locos sti比較
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在CMOS元件的製程中，需要用到隔離技術來隔離P型/N型接面，而隔離技術以LOCOS與STI較為普遍. 使用，目前最先進的製程為STI淺槽隔離技術，故在本次研究中， ... http://csie.asia.edu.tw www2.isu.edu.twupload5243topic103-208photo.pdf
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Chapter 5 加熱製程,LOCOS. •與整面全區覆蓋式氧化層比較. –絕緣效果較佳. –階梯高度較低. –側邊較緩. •缺點. –表面不平坦. –鳥嘴. •被淺溝槽絕緣(STI)技術所取代 . https://easylife.tw 投影片1
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最後介紹典型工藝模塊（STI、LOCOS、硬掩膜版、HCI效應和LDD IMP）的特點和物理機理。 ..... 介紹PD-SOI技術，體CMOS 和SOI CMOS比較。 https://kknews.cc |