divot半導體
除外，在金屬氧化物半導體場效應電晶體前段製程其多晶矽閘極晶粒結構和蝕刻技術亦是 ... can improve the parasitic device at STI edge because of smaller divot. ,对于现有的半导体制程技术,浅沟隔离槽(Shallow Trench Isolation, 简称STI)是主流 ... 材料性质以及工艺上的一些原因，在制造过程中会引起边缘凹陷（Divot)效应。 ,本发明的方法可以改进半导体器件的结构，避免了后续过程中因为SiN被蚀刻而 ... 的微小缝隙洗成较深的凹槽（divot)，如图2和图3所示，在图2中表示由于去除SIN ... ,本发明系关于制造集成电路半导体装置。本发明尤其可应用于制造具有高品质浅沟隔离(STI)而不具有或具有基本减少凹陷区(divot)形成之高集成电路半导体装置。 ,1355678 % • 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 • · 本發明係關於製造積體電路半導體裝置。本發明尤其可應用於製造具有高品質淺溝隔離（STI)而不具有或 ... ,divot半導體,Airiti Library華藝線上圖書館_淺溝槽隔離層應變工程和氮氣... ,淺溝槽隔離層應變工程和氮氣等離子體向氧化矽介質中掺雜氮成長氮氧化矽閘極的介電質 ... ,边缘凹坑(Divot)是浅沟道隔离在后面工艺的湿法刻蚀中，上边角的氧化硅局部受到刻蚀而形成的凹坑。传统的工艺方法在进行半导体制造中，如果需要进行浅沟道 ... ,2007年7月17日 — Besides, impact of the deposition and etch cycles repeat rates, divot ad ... 除外，在金屬氧化物半導體場效應電晶體前段製程其多晶矽閘極晶粒 ... ,高壓半導體元件淺溝槽隔離製程之差排改善及良率提昇研究. Dislocation Improvement and ... 隔離邊緣的充填氧化層而形成一凹陷區，一般稱為Divot。當閘極跨過隔.
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对于现有的半导体制程技术,浅沟隔离槽(Shallow Trench Isolation, 简称STI)是主流 ... 材料性质以及工艺上的一些原因，在制造过程中会引起边缘凹陷（Divot)效应。 https://patents.google.com CN101752289A - 一种改善浅沟槽绝缘结构的方法- Google ...
本发明的方法可以改进半导体器件的结构，避免了后续过程中因为SiN被蚀刻而 ... 的微小缝隙洗成较深的凹槽（divot)，如图2和图3所示，在图2中表示由于去除SIN ... https://patents.google.com CN1926679A - 在半导体装置制造中减少浅沟槽隔离凹陷区形成 ...
本发明系关于制造集成电路半导体装置。本发明尤其可应用于制造具有高品质浅沟隔离(STI)而不具有或具有基本减少凹陷区(divot)形成之高集成电路半导体装置。 https://patents.google.com TWI355678B - Method of reducing sti divot formation during ...
1355678 % • 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 • · 本發明係關於製造積體電路半導體裝置。本發明尤其可應用於製造具有高品質淺溝隔離（STI)而不具有或 ... https://patents.google.com 【divot半導體】資訊整理& 淺溝槽隔離相關消息| 綠色工廠
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边缘凹坑(Divot)是浅沟道隔离在后面工艺的湿法刻蚀中，上边角的氧化硅局部受到刻蚀而形成的凹坑。传统的工艺方法在进行半导体制造中，如果需要进行浅沟道 ... http://www.xjishu.com 成功大學電子學位論文服務
2007年7月17日 — Besides, impact of the deposition and etch cycles repeat rates, divot ad ... 除外，在金屬氧化物半導體場效應電晶體前段製程其多晶矽閘極晶粒 ... http://etds.lib.ncku.edu.tw 第一章導論 - 國立交通大學機構典藏
高壓半導體元件淺溝槽隔離製程之差排改善及良率提昇研究. Dislocation Improvement and ... 隔離邊緣的充填氧化層而形成一凹陷區，一般稱為Divot。當閘極跨過隔. https://ir.nctu.edu.tw |