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LOCOS優缺點. ▫ 與全區覆蓋式氧化物的比較. ▫ 較佳的隔離效果. ▫ 較低的台階高度. ▫ Less steep sidewall. ▫ 缺點. ▫ 粗糙的表面. ▫ 鳥嘴(Bird's beak). ▫ 由淺溝槽 ... ,沒有這個頁面的資訊。瞭解原因 ,且設法改良LOCOS製程技術，因許多工廠依舊採用LOCOS做隔離，其嚴重缺點就是會產生鳥嘴效應而. 讓元件減去部份可用的面積，故藉由在氮化矽與氧化層之間 ... ,矽的局部氧化(LOCOS). ▫ 厚的氧化層 ... 較好的絕緣效果. ▫ 表面台階高度較低. ▫ 側壁坡度較小. ▫ 缺點. ▫ 表面粗糙的拓璞. ▫ 鳥嘴 ... 較厚的氧化層, LOCOS氧化層. ,鸟嘴的SEM 示意图 LOCOS 的其他缺点还包括白带效应和Kooi 氮化效应。白带效应是指在氮化物的边缘下，硅表面上形成氮氧化合物的情况。白带效应是由Si3N4 与 ... ,電晶體製作方法。傳統多晶矽薄膜電晶體主要缺點就是有自我加熱效應及浮體效 ... 為傳統的LOCOS 絕緣技術會有較長之鳥嘴，SILO 及PBL 絕緣技術的類似方法被. ,STI則為Shallow Trench Isolation(淺溝分離法)的簡稱，與LOCOS相同，先形成氧化層與氮化層，依次除去分離區域部分中的氮化層與襯墊氧化層，並 ... ,缺點與應用在那一種線寬製程？（20 分）. 【擬答】. LOCOS. 使用LOCOS(localized oxidation isolation method)技術形成氧化層隔離，主要是利用氧要. 經由氮化矽 ... ,locos sti優缺點,且設法改良LOCOS製程技術，因許多工廠依舊採用LOCOS做隔離，其嚴重缺點就是會產生鳥嘴效應... 探討元件LOCOS與STI的隔離技術，且元件特性 ...

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