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淺溝槽隔離

淺溝槽隔離層應變工程和氮氣等離子體向氧化矽介質中掺雜氮成長氮氧化矽閘極的介電質結構之互補金屬氧化物半導體技術應用與研究. The Study of STI Strain ... ,矽蝕刻及淺溝槽的氧化被研究來減少氧化物. 侵入. ▫ STI製程和CVD氧化物溝槽之填充被接著發展. 出來. 6. STI: 襯墊氧化及LPCVD 氮化矽. P型磊晶層. P型晶圓. , ... 即便是些微的變異都會對良率造成不可忽視的影響，因此業界已開發出新的淺溝槽隔離(STI)電漿蝕刻技術，以克服邊緣溝槽輪廓控制及圖案崩毀等 ...,多層金屬連線中當做電器隔離的介電質層. ▫ CVD 和自旋塗 ... 淺溝槽絕緣(STI) ... 溝槽填充. CMP USG. USG 退火. Si. Si. Si. Si. Si. 剝除氮化矽. 與氧化矽. USG. USG. ,標題: 淺溝槽隔離平坦化技術在奈米半導體積體電路製造製程研究. Study of Nano-scale Shallow Trench Isolation Planarization Process for Semiconductor ... ,積體電路技術的縮小化，是為了加強電路之元件積成密度與功能性，改善速度切換與元件消耗功率，其中以其通道長度與閘極氧化層的縮小化最為顯著。而通道的隔離 ... ,標題: 淺溝槽隔離平坦化技術在奈米半導體積體電路製造製程研究. Study of Nano-scale Shallow Trench Isolation Planarization Process for Semiconductor ... ,高壓半導體元件淺溝槽隔離製程之差排改善及良率提昇研究. Dislocation Improvement and Yield Enhancement for the Process of the Shallow Trench Isolation of ...

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