punch through原理
MOSFET的操作原理(定性的描述）. 3. ... 依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,. BJT）和場效電 ...... 稱為“punch-through”。 3. 當閘極 ... , ... 注入(APT: Anti Punch Through)，記住它要打和well同type的specis。 .... 它的工作原理類似於晶閘管，依靠PN結的擊穿電流觸發器件導通放電， ..., 在講結構之前，先講簡單的原理，也是便於理解後面的結構吧。 ... 在LV時代，我們可以通過增加Anti-punch Through implant或者增加溝道長度來 ...,2. 對短通道的元件，當汲極的電壓太大時(以NMOS為例)，在汲極附. 近的空乏區會到達源極，電流忽然增加。稱為“punch-through”。 3. 當閘極對源極電壓太大（約50V) ... ,半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的 ... 電荷穿隧過絕緣氧化層，稱為「打穿」（punch through），會導致閘極的破壞。近來，業界嘗試以高介電係數（high-k）材料取代以往的二氧化矽絕緣氧化層， ... , Punch-through: 也是因外加電壓而有高電流出現，但對象侷限於電晶體因外加電壓造成空乏區重疊的狀況。 ======================= 參考 ..., ... 的狀況，因為它會造成基極電流變大、汲極電流在飽和區無法飽和，即電流隨著汲極電壓增大而增大，嚴重時會產生punch through，也就是漏電。, 在結構上，IGBT可說是結合了Bipolar與MOS(但在原理上並不完全是)。在正常操作下，P+ .... Punch-Through(PT) or Non-Punch-Through(NPT)., 原理及特性做一簡單的探討。 二、Super .... (Punch-Through，PT) 型IGBT 如圖6(a). 所示。 ... 二種非穿通(Non Punch-Through，NPT). 型IGBT 如 ...,雙擴散金氧半電晶體部分則應用Reduce Surface Field(簡稱RESURF 原理). 來增進電 ..... 然脫離不了雪崩崩潰，跟穿透崩潰（Punch-through Breakdown）就討論這兩.
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... 注入(APT: Anti Punch Through)，記住它要打和well同type的specis。 .... 它的工作原理類似於晶閘管，依靠PN結的擊穿電流觸發器件導通放電， ... https://kknews.cc HV的結構與原理–DDDMOS or LDMOS? - 每日頭條
在講結構之前，先講簡單的原理，也是便於理解後面的結構吧。 ... 在LV時代，我們可以通過增加Anti-punch Through implant或者增加溝道長度來 ... https://kknews.cc MOSFET的2nd order effect
2. 對短通道的元件，當汲極的電壓太大時(以NMOS為例)，在汲極附. 近的空乏區會到達源極，電流忽然增加。稱為“punch-through”。 3. 當閘極對源極電壓太大（約50V) ... http://ezphysics.nchu.edu.tw 半导体中的隧道效应- 维基百科，自由的百科全书
半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的 ... 電荷穿隧過絕緣氧化層，稱為「打穿」（punch through），會導致閘極的破壞。近來，業界嘗試以高介電係數（high-k）材料取代以往的二氧化矽絕緣氧化層， ... https://zh.wikipedia.org 半導體的疑問..... | Yahoo奇摩知識+
Punch-through: 也是因外加電壓而有高電流出現，但對象侷限於電晶體因外加電壓造成空乏區重疊的狀況。 ======================= 參考 ... https://tw.answers.yahoo.com 何謂hot - carrier degradation?? | Yahoo奇摩知識+
... 的狀況，因為它會造成基極電流變大、汲極電流在飽和區無法飽和，即電流隨著汲極電壓增大而增大，嚴重時會產生punch through，也就是漏電。 https://tw.answers.yahoo.com CTIMES- IGBT原理與設計:
在結構上，IGBT可說是結合了Bipolar與MOS(但在原理上並不完全是)。在正常操作下，P+ .... Punch-Through(PT) or Non-Punch-Through(NPT). https://ctimes.com.tw 矽基電力電子半導體元件 - 台灣電子材料與元件協會
原理及特性做一簡單的探討。 二、Super .... (Punch-Through，PT) 型IGBT 如圖6(a). 所示。 ... 二種非穿通(Non Punch-Through，NPT). 型IGBT 如 ... http://www.edma.org.tw 水平雙擴散電晶體之SOI 結構模擬分析LDMOS of SOI structure by ...
雙擴散金氧半電晶體部分則應用Reduce Surface Field(簡稱RESURF 原理). 來增進電 ..... 然脫離不了雪崩崩潰，跟穿透崩潰（Punch-through Breakdown）就討論這兩. http://dspace.lib.fcu.edu.tw |