穿隧電晶體
在本論文中，吾人針對利用能帶間穿隧效應(band-to-band tunneling)作為操作機制的穿隧電晶體元件進行研究。為了瞭解此新穎元件的基本特性與設計考量，吾人 ... ,半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的 ... 參考文獻[编辑]. ^ 林景鴻. 具高介電係數與二氧化矽閘極介電層推疊結構金氧半電晶體直接穿隧電流之模擬分析. 台灣: 國立成功大學. 2008年7月（ ... ,以金氧半場效電晶體為例，當閘極施予不同的偏壓，便可以打開或關上源極與汲 ... 2004 年IBM 做出奈米碳管穿隧場效電晶體，其SS 約僅40 mV∕decade，2010 年 ... , 這元件主要利用PN接面間的穿隧機制進行通與不通的開關，是高度量子力學穿隧效應的展現。 超薄氧化層金氧半雙穿隧二極體耦合電晶體. 在2015年 ...,穿隧電晶體(Tunnel Field-Effect Transistors, TFETs)因利用閘極偏壓控制能帶間穿隧(Band-to-Band Tunneling)來進行元件操作，使其電晶體元件的次臨界擺幅，能 ... ,穿隧式電晶體(tunnel field-effect transistor, TFET)被視為可提升電路功耗效能的新穎電晶體，藉由能帶間穿隧(band to band tunneling)的特殊電流導通機制，在低 ... ,穿隧式電晶體(The tunnel field-effect transistor, TFET) 被視為相當適用於低電壓電路設計的元件，藉由能帶間穿隧(band to band tunneling) 的特殊電流導通機制， ... ,一、穿隧電晶體：. 不同傳統的電晶體，其電流傳導是利用在供應端（源極）的部份電子能量高於源極與通道間的. 能量壁壘，故能穿越此壁壘而供給電流，然而，若 ... ,為了得到更好的穿隧機率，在此討論以四族為主的穿隧場效電晶體及利. 用半古典Kane 模型了解直接與間接能隙對元件特性的影響。。 Abstract. Tunnel field-effect ... , 東京大學開發出超低耗電穿隧式電晶體( Tunnel FET )，新元件採用一般橫型構造，以適合目前集積電路製程的材料製作，高濃度Ge 作為Source ...
| 相關軟體 Intel Graphics Driver 資訊 | |
|---|---|
 穿隧電晶體 相關參考資料
Airiti Library華藝線上圖書館_磊晶穿隧層穿隧電晶體之研究
在本論文中，吾人針對利用能帶間穿隧效應(band-to-band tunneling)作為操作機制的穿隧電晶體元件進行研究。為了瞭解此新穎元件的基本特性與設計考量，吾人 ... https://www.airitilibrary.com 半导体中的隧道效应- 维基百科，自由的百科全书
半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的 ... 參考文獻[编辑]. ^ 林景鴻. 具高介電係數與二氧化矽閘極介電層推疊結構金氧半電晶體直接穿隧電流之模擬分析. 台灣: 國立成功大學. 2008年7月（ ... https://zh.wikipedia.org 半導體元件電晶體的演進
以金氧半場效電晶體為例，當閘極施予不同的偏壓，便可以打開或關上源極與汲 ... 2004 年IBM 做出奈米碳管穿隧場效電晶體，其SS 約僅40 mV∕decade，2010 年 ... https://ejournal.stpi.narl.org 半導體元件電晶體的演進－科技大觀園
這元件主要利用PN接面間的穿隧機制進行通與不通的開關，是高度量子力學穿隧效應的展現。 超薄氧化層金氧半雙穿隧二極體耦合電晶體. 在2015年 ... https://scitechvista.nat.gov.t 博碩士論文行動網 - 全國博碩士論文資訊網
穿隧電晶體(Tunnel Field-Effect Transistors, TFETs)因利用閘極偏壓控制能帶間穿隧(Band-to-Band Tunneling)來進行元件操作，使其電晶體元件的次臨界擺幅，能 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 國立交通大學機構典藏：具穿隧式電晶體與金氧半場效電晶體 ...
穿隧式電晶體(tunnel field-effect transistor, TFET)被視為可提升電路功耗效能的新穎電晶體，藉由能帶間穿隧(band to band tunneling)的特殊電流導通機制，在低 ... https://ir.nctu.edu.tw 國立交通大學機構典藏：穿隧式電晶體與金氧半場效電晶體異質 ...
穿隧式電晶體(The tunnel field-effect transistor, TFET) 被視為相當適用於低電壓電路設計的元件，藉由能帶間穿隧(band to band tunneling) 的特殊電流導通機制， ... https://ir.nctu.edu.tw 淺談電晶體 - 台大電機系
一、穿隧電晶體：. 不同傳統的電晶體，其電流傳導是利用在供應端（源極）的部份電子能量高於源極與通道間的. 能量壁壘，故能穿越此壁壘而供給電流，然而，若 ... https://ee.ntu.edu.tw 簡介四族半導體的穿隧效應與穿隧電晶體
為了得到更好的穿隧機率，在此討論以四族為主的穿隧場效電晶體及利. 用半古典Kane 模型了解直接與間接能隙對元件特性的影響。。 Abstract. Tunnel field-effect ... http://www.ndl.org.tw 超低耗電穿隧式電晶體：材料世界網
東京大學開發出超低耗電穿隧式電晶體( Tunnel FET )，新元件採用一般橫型構造，以適合目前集積電路製程的材料製作，高濃度Ge 作為Source ... https://www.materialsnet.com.t |