通道長度調變效應公式
通道長度調變效應（channel length modulation effect）：. 當. ) (sat. DS. DS. V. V >. 時，汲極通道之接面空乏區將占去一部分通道，導致通道有效長度eff. L 變短，. ,而產生通道長度調變. (Channel Length. Modulation)，此特性曲線類似BJT 的厄利效應(Early Effect)。 對N通道元件，iD. -VDS. 特性可由公式iD = kn[(VGS − VTN)2(1 ... ,A: 電流可由單位通道長度的電荷以及電子飄移速 ... 道長度調變效應(即λ = 0)。注意這個 ... 它的特性公式與增強型元件相同(空乏型PMOS 電晶體的 . 為正值) ... ,應用電子學7-34中興物理孫允武. MOSFET的2nd order effect. 通道長度調變效應. 基板電壓效應. 溫度效應. 崩潰. MOSFET中的電容 ... ,通道長度調變效應? Channel length modulation effect: 元件工作於線性區時，其有效的通道長度將會固定不變，但是當汲極偏壓提升至飽和區時， ... ,生變化，導致電流改變。 源極. S. 汲極. D. 閘極. G. 控制電場區. 電洞通道. 電洞流 ... MOSFET的2nd order effect. 通道長度調變效應. 基板電壓效應. 溫度效應. 崩潰. ,爾利效應（英語：Early effect），又譯厄爾利效應或譯歐萊效應，也稱基區寬度調變效應，是指當雙極性電晶體（BJT）的 ... 通道長度調變係數，通常與通道長度L成反比。 ,爾利效應（英語：Early effect），又譯厄爾利效應或譯歐萊效應，也稱基區寬度調變效應，是指當雙極性電晶體（BJT）的 ... 通道長度調變係數，通常與通道長度L成反比。 ,上述的公式也是理想狀況下，金氧半場效電晶體在飽和區操作的電流與電壓關係式。事實上在飽和區的金氧半場效電晶體汲極電流會因為通道長度調變效應（ ...
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通道長度調變效應（channel length modulation effect）：. 當. ) (sat. DS. DS. V. V >. 時，汲極通道之接面空乏區將占去一部分通道，導致通道有效長度eff. L 變短，. http://www.public.tw Chapter 3 場效電晶體(The Field-Effect Transistor)
而產生通道長度調變. (Channel Length. Modulation)，此特性曲線類似BJT 的厄利效應(Early Effect)。 對N通道元件，iD. -VDS. 特性可由公式iD = kn[(VGS − VTN)2(1 ... https://ocw.stust.edu.tw Chapter05 金氧半場效電晶體
A: 電流可由單位通道長度的電荷以及電子飄移速 ... 道長度調變效應(即λ = 0)。注意這個 ... 它的特性公式與增強型元件相同(空乏型PMOS 電晶體的 . 為正值) ... http://aries.dyu.edu.tw MOSFET的2nd order effect
應用電子學7-34中興物理孫允武. MOSFET的2nd order effect. 通道長度調變效應. 基板電壓效應. 溫度效應. 崩潰. MOSFET中的電容 ... http://140.120.11.1 Re: [問題] 有關超大積體電路的解釋名詞（急），拜… - 看板 ...
通道長度調變效應? Channel length modulation effect: 元件工作於線性區時，其有效的通道長度將會固定不變，但是當汲極偏壓提升至飽和區時， ... https://www.ptt.cc 四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...
生變化，導致電流改變。 源極. S. 汲極. D. 閘極. G. 控制電場區. 電洞通道. 電洞流 ... MOSFET的2nd order effect. 通道長度調變效應. 基板電壓效應. 溫度效應. 崩潰. http://140.120.11.1 爾利效應- Wikiwand
爾利效應（英語：Early effect），又譯厄爾利效應或譯歐萊效應，也稱基區寬度調變效應，是指當雙極性電晶體（BJT）的 ... 通道長度調變係數，通常與通道長度L成反比。 https://www.wikiwand.com 爾利效應- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
爾利效應（英語：Early effect），又譯厄爾利效應或譯歐萊效應，也稱基區寬度調變效應，是指當雙極性電晶體（BJT）的 ... 通道長度調變係數，通常與通道長度L成反比。 https://zh.wikipedia.org 金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科，自由的百科全书
上述的公式也是理想狀況下，金氧半場效電晶體在飽和區操作的電流與電壓關係式。事實上在飽和區的金氧半場效電晶體汲極電流會因為通道長度調變效應（ ... https://zh.wikipedia.org |