anti punch through原理
Anti-punch through. P/100/5×1013. As/100/5×1012. As/50/2×1012. Threshold. B/10/7×1012. B/5/3×1012. B/2/4×1012. Poly dope. P/30/2×1015. B/20/2×1015. , 上一篇介紹了簡單的MOS的歷史和原理結構介紹，應該能夠建立起比較 ... 4) 防止穿通(Anti-Punch Through):底部濃度高，前面PN結理論說過那個耗 ..., 在講結構之前，先講簡單的原理，也是便於理解後面的結構吧。 ... 在LV時代，我們可以通過增加Anti-punch Through implant或者增加溝道長度來 ...,2. 對短通道的元件，當汲極的電壓太大時(以NMOS為例)，在汲極附. 近的空乏區會到達源極，電流忽然增加。稱為“punch-through”。 3. 當閘極對源極電壓太大（約50V) ... ,半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的 ... 電荷穿隧過絕緣氧化層，稱為「打穿」（punch through），會導致閘極的破壞。近來，業界嘗試以高介電係數（high-k）材料取代以往的二氧化矽絕緣氧化層， ... ,依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,. BJT）和場效電晶體（field ... 1964年諾貝爾物理獎： “ for fundamental work in the field of quantum electronics, which has led ...... 稱為“punch-through”。 3. 當閘極對源極電壓太 ... , ... 注入(APT: Anti Punch Through)，記住它要打和well同type的specis。 .... 它的工作原理類似於晶閘管，依靠PN結的擊穿電流觸發器件導通放電， ...,元件少了Pwell，而Pwell 這一道光罩包含Pwell 離子植入、anti-punchthrough 離. 子植入及channel 離子植入。也就是說一般元件利用Pwell 這一道光罩的離子佈. , ... 掺杂浓度有关，浓度越高可以抑制耗尽区宽度延展，所以flow里面有个防穿通注入(APT: Anti Punch Through)，记住它要打和well同type的specis。
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Chapter 8 離子佈植
Anti-punch through. P/100/5×1013. As/100/5×1012. As/50/2×1012. Threshold. B/10/7×1012. B/5/3×1012. B/2/4×1012. Poly dope. P/30/2×1015. B/20/2×1015. http://www.isu.edu.tw CMOS器件進階版講解- 每日頭條
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2. 對短通道的元件，當汲極的電壓太大時(以NMOS為例)，在汲極附. 近的空乏區會到達源極，電流忽然增加。稱為“punch-through”。 3. 當閘極對源極電壓太大（約50V) ... http://ezphysics.nchu.edu.tw 半导体中的隧道效应- 维基百科，自由的百科全书
半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的 ... 電荷穿隧過絕緣氧化層，稱為「打穿」（punch through），會導致閘極的破壞。近來，業界嘗試以高介電係數（high-k）材料取代以往的二氧化矽絕緣氧化層， ... https://zh.wikipedia.org 四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性的描述） 3 ...
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... 注入(APT: Anti Punch Through)，記住它要打和well同type的specis。 .... 它的工作原理類似於晶閘管，依靠PN結的擊穿電流觸發器件導通放電， ... https://kknews.cc 曾當貴柯明道
元件少了Pwell，而Pwell 這一道光罩包含Pwell 離子植入、anti-punchthrough 離. 子植入及channel 離子植入。也就是說一般元件利用Pwell 這一道光罩的離子佈. http://www.ics.ee.nctu.edu.tw 浅谈MOSFET有多少种“击穿”？ | 《芯苑》
... 掺杂浓度有关，浓度越高可以抑制耗尽区宽度延展，所以flow里面有个防穿通注入(APT: Anti Punch Through)，记住它要打和well同type的specis。 http://ic-garden.cn |