鈦銅蝕刻
鈦銅蝕刻液 ... 藥水穩定且不含氫氟酸，對人員環境污染小。 ... 對基材，以及金、錫等其他基板上的金屬攻擊性極低，幾乎不傷。 ... 對溶解金屬承載量大，鈦濃度可達10g/L以上。 ,鈦蝕刻液 · 半導體封裝的UBM製程(Under Bump Metallization) 中的濺鍍鈦功能做為濺鍍銅與底材之間的黏著層與擴散阻障層。 · 早期半導體製程常使用氫氟酸進行鈦蝕刻，但容易 ... ,又依據本發明，蝕刻液組成物具有快速蝕刻速率且允許形成均一蝕刻，如此提供優異蝕刻性質。又依據本發明，蝕刻液組成物不會損壞設備且蝕刻時無需昂貴設備，可有利地施用至 ... ,鈦, Ti Etch-899 A/B · UBM 鈦蝕刻(對鋁墊及大多數金屬具選擇性; 側蝕非常小等特性) ; 鈦, Ti Etch-C15, 對氧化矽具選擇性 ; 銅-鈦, TiCu Etch-621, 對於玻璃底材的樣品具適用 ... ,6 & 8 吋兼容鈦銅鋁蝕刻機 · 提供6 & 8晶圓背面Si蝕刻制程dry-in/dry-out清洗平臺，適用于先進封裝制程的particle、有機、無機、助焊劑等污染物清洗 · 占地面積小， ... ,2024年1月29日 — 預計2024年至2030年全球銅鈦蝕刻劑市場將以4.6%的複合年成長率成長。該市場的主要驅動力是對微電子元件的需求不斷增加、半導體裝置的複雜性不斷增加以及對 ... ,鈦蝕刻添加劑為雙氧水系統下只對鈦金屬進行蝕刻之添加劑，藥水不含氟鹽化合物、氫氟酸，製程廢液容易處理。用於鈦表面處理製程，對於鈦金屬具有蝕刻性，相對其側蝕有較低之 ... ,經分析後，可知道蝕刻對表面粗糙度的影響，從掃描式電子顯微鏡觀察到不同參數時，蝕刻後的表面的狀態以及膜厚的變化。 另外進行奈米多孔陽極氧化鈦的研究，通過陽極氧化鈦 ... ,1. 為酸性系統的金屬蝕刻液。 · 2. 不含氫氟酸，蝕刻過程不需要加熱處理，不具像氫氟酸一樣的劇毒特性。 · 3. 不會攻擊與分解乾溼光阻、PE膜、PI膜、抗蝕刻油墨等等保護層。 ,1.可同時用於蝕刻Ti, TiW, TiN等相關鈦金屬導電層 · 2.其蝕刻速度較其他一般市面之鈦蝕刻液快(溫度25度, pH8.0時即可達500A/min的蝕刻速率; TiW可達800A/min)
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1. 為酸性系統的金屬蝕刻液。 · 2. 不含氫氟酸，蝕刻過程不需要加熱處理，不具像氫氟酸一樣的劇毒特性。 · 3. 不會攻擊與分解乾溼光阻、PE膜、PI膜、抗蝕刻油墨等等保護層。 https://cherng-tay.web66.com.t 密特(MIT)先進材料股份有限公司
1.可同時用於蝕刻Ti, TiW, TiN等相關鈦金屬導電層 · 2.其蝕刻速度較其他一般市面之鈦蝕刻液快(溫度25度, pH8.0時即可達500A/min的蝕刻速率; TiW可達800A/min) https://www.mit-material.com.t |