鈦蝕刻液配方
除了使用含有35重量％过氧化氢、0.1重量％膦酸、0.01重量％的1-羟基乙叉-1，1-二膦酸和氨，pH调整至8.0的蚀刻液以外，其余按照与实施例1同样的方法进行。结果如表1所示。 比较例1. ,TI-70S是以雙氧水為基礎的選擇性鈦蝕刻液，應用於半導體晶圓封裝、高階IC載板、光電產業、被動元件等鈦或鈦鎢的UBM層蝕刻製程。藥水不含氟鹽聚合物、氫氟酸，製程廢液 ... ,依據本發明之含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物包括：過硫酸鹽；氟化合物；選自無機酸、無機酸鹽、及其混合物中之一者或多者；環狀胺化合物；氯化合物；對甲苯磺酸；及水。 包含於 ... ,微電子工業上常用的鈦蝕刻液，大部份採用以氫氟酸為基礎的溶液，此種蝕刻液不會攻擊銅(Cu)和鋁(Pb)，並且經由適當調整溶液成份，目前已廣泛應用於高鉛和高錫之凸塊材料上。 ,[1]一種蝕刻液組成物,其用於蝕刻氧化物半導體上 的鈦層或含鈦層,該蝕刻液組成物包含:含有銨離子之化 合物、過氧化氫及鹼性化合物;並且,該蝕刻液組成物的 pH值是7~11。,都有可能影響到CD值的變化。 本文就針對鈦蝕刻液之配方改善，利用實驗的方法在鈦蝕刻液中添加不同界面活性劑，增加鈦蝕刻液的潤濕效果及CD loss達到一個最小的狀態使製程 ...,STE 系列, 適用於晶圓製程之酸性鈦蝕刻液。 1.不含氫氟酸 2. 蝕刻速率可接受客製化調整 ; SAE 系列, 適用於晶圓製程之酸/鹼性鋁蝕刻液。 1.單劑型 2. 蝕刻速率、酸鹼性，可 ... ,TiST-800鈦剝除劑主要是以電子級雙氧水為基礎的剝除劑，並添加了雙氧水分解抑制劑作為穩定與提升剝除製程的性能，減少雙氧水因分解所產生嚴重的刺鼻氣味，可廣泛用在半導體 ...,
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CN1706986A - 钛或钛合金用蚀刻液
除了使用含有35重量％过氧化氢、0.1重量％膦酸、0.01重量％的1-羟基乙叉-1，1-二膦酸和氨，pH调整至8.0的蚀刻液以外，其余按照与实施例1同样的方法进行。结果如表1所示。 比较例1. https://patents.google.com TI-70S - 蝕刻液
TI-70S是以雙氧水為基礎的選擇性鈦蝕刻液，應用於半導體晶圓封裝、高階IC載板、光電產業、被動元件等鈦或鈦鎢的UBM層蝕刻製程。藥水不含氟鹽聚合物、氫氟酸，製程廢液 ... https://www.etching-chem.com.t TWI510675B - 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(2)
依據本發明之含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物包括：過硫酸鹽；氟化合物；選自無機酸、無機酸鹽、及其混合物中之一者或多者；環狀胺化合物；氯化合物；對甲苯磺酸；及水。 包含於 ... https://patents.google.com UBM蝕刻-Grand Process Technology Corporation.
微電子工業上常用的鈦蝕刻液，大部份採用以氫氟酸為基礎的溶液，此種蝕刻液不會攻擊銅(Cu)和鋁(Pb)，並且經由適當調整溶液成份，目前已廣泛應用於高鉛和高錫之凸塊材料上。 https://www.gptc.com.tw 【中文發明名稱】鈦層或含鈦層的蝕刻液組成物以及蝕刻方法
[1]一種蝕刻液組成物,其用於蝕刻氧化物半導體上 的鈦層或含鈦層,該蝕刻液組成物包含:含有銨離子之化 合物、過氧化氫及鹼性化合物;並且,該蝕刻液組成物的 pH值是7~11。 https://patentimages.storage.g 半導體晶圓凸塊製造之鈦蝕刻液配方改善
都有可能影響到CD值的變化。 本文就針對鈦蝕刻液之配方改善，利用實驗的方法在鈦蝕刻液中添加不同界面活性劑，增加鈦蝕刻液的潤濕效果及CD loss達到一個最小的狀態使製程 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 蝕刻液
STE 系列, 適用於晶圓製程之酸性鈦蝕刻液。 1.不含氫氟酸 2. 蝕刻速率可接受客製化調整 ; SAE 系列, 適用於晶圓製程之酸/鹼性鋁蝕刻液。 1.單劑型 2. 蝕刻速率、酸鹼性，可 ... https://www.sunstech.com.tw 鈦蝕刻液> TiST-800鈦剝除劑(半導體級)
TiST-800鈦剝除劑主要是以電子級雙氧水為基礎的剝除劑，並添加了雙氧水分解抑制劑作為穩定與提升剝除製程的性能，減少雙氧水因分解所產生嚴重的刺鼻氣味，可廣泛用在半導體 ... https://www.uwin-nano.com 鈦蝕刻液- 產品介紹 - 添鴻科技股份有限公司
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