載子遷移率單位
,是電流密度，σ是以C/m3為單位的電荷密度，vavg是載體的平均速度(即漂移速度)；; v a v g ... μ是以m2/(V·s)為單位的電子遷移率，而E是以V/m為單位的電場強度。 ,... 子運動的平均速度。漂移速度以及產生的電流，是通過遷移率(mobility)來表述的。 ... 由載流子(如電洞和自由電子)產生的漂移電流密度是通過單位截面積的電流。 ,體一般，每一個載子. 平均約有隨機 ... 比例常數µ：移動率(mobility)，單位：cm2/V·s. 不同種類的載體及濃度，在不同的材料中，在不同的溫度，移動率都不相. 同。 ,遷移率是指載流子(電子和空穴)在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度，運動得越快，遷移率越大;運動得慢，遷移率小。 ,人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的 ... 载流子的漂移迁移率，简称迁移率，表示单位电场下载流子的平均漂移速度，单位 ... , c㎡/v·s，载流子2113迁移率在固体物理学中用于指代5261半导体内部电子和空4102穴整体的运动快慢。1653. 电子运动速度等于迁移率乘以电场 ...,迁移率（mobility）是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米2/（伏·秒）。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空 ... ,遷移率(mobility)是指單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度。它的單位是厘米²/(伏·秒)即cm²/V s。中文名稱. ,人們常用載子遷移率（carrier mobility）來指代半導體內部電子和電洞整體的運動快慢。 外部連結[編輯]. The minority Carrier Lifetime in silicon wafer · semiconductor ...
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是電流密度，σ是以C/m3為單位的電荷密度，vavg是載體的平均速度(即漂移速度)；; v a v g ... μ是以m2/(V·s)為單位的電子遷移率，而E是以V/m為單位的電場強度。 https://zh.wikipedia.org 漂移電流- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
... 子運動的平均速度。漂移速度以及產生的電流，是通過遷移率(mobility)來表述的。 ... 由載流子(如電洞和自由電子)產生的漂移電流密度是通過單位截面積的電流。 https://zh.wikipedia.org 移動電流與擴散電流
體一般，每一個載子. 平均約有隨機 ... 比例常數µ：移動率(mobility)，單位：cm2/V·s. 不同種類的載體及濃度，在不同的材料中，在不同的溫度，移動率都不相. 同。 http://ezphysics.nchu.edu.tw 載流子遷移率：遷移率是指載流子(電子和空穴)在單位電場作用 ...
遷移率是指載流子(電子和空穴)在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度，運動得越快，遷移率越大;運動得慢，遷移率小。 https://www.itsfun.com.tw 载流子迁移率_百度百科
人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的 ... 载流子的漂移迁移率，简称迁移率，表示单位电场下载流子的平均漂移速度，单位 ... https://baike.baidu.com 载流子迁移率的单位是什么_百度知道
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迁移率（mobility）是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米2/（伏·秒）。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空 ... https://baike.baidu.com 遷移率：遷移率(mobility)是指單位電場強度下所產生的載流子 ...
遷移率(mobility)是指單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度。它的單位是厘米²/(伏·秒)即cm²/V s。中文名稱. https://www.itsfun.com.tw 電子移動率- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
人們常用載子遷移率（carrier mobility）來指代半導體內部電子和電洞整體的運動快慢。 外部連結[編輯]. The minority Carrier Lifetime in silicon wafer · semiconductor ... https://zh.wikipedia.org |