載子遷移率定義
可得. 同理，n型半導體之電子遷移率（低電場下）為. 載子擴散. 載子會由濃度高處往濃度低處移動。 考慮單位時間單位面積通過x = 0 平面之淨電子流. F1. F2. 左邊流過來. 右邊流過來. 故淨電子流為. dp/dx. dn/dx. 擴散電流. 用泰勒展開式展開n(-l)與n(l)，取前二項：. 其中定義擴散係數. （熱速率乘以平均自由徑）. 所以電子的擴散電流為. ,电子迁移率（英语：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（hole mobility）。人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。... ,電子移動率（英語：electron mobility）是固態物理學中用於描述金屬或半導體內部電子，在電場作用下移動快慢程度的物理量。在半導體中，另一個類似的物理量稱為電洞遷移率（hole mobility）。人們常用載子遷移率（carrier mobility）來指代半導體內部電子和電洞整體的運動快慢。 ,迁移率（mobility）是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米2/（伏·秒）。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。迁移率与载流子的有效质量和散射概率成反比。载流子的有效质量与材料有关，不同的半导体中电子有不同的有效质量。如硅中电子的有效质量 ... ,子或電洞在半導體晶. 格做熱運動，如同在. 熱學中討論的理想氣. 體一般，每一個載子. 平均約有隨機運動的. 動能. 其中k為波茲曼常數，. 等於理想氣體常數除. 以亞佛加厥常數；T為. 絕對溫度。 平均速度為零， <v d. >=0 ，因任一方向的平均速率均相同。 由於載體在運動時，不斷受到晶格振動與雜質的影響（散射），直線行進. 一段距離後 ... ,電阻率的提出，提供科學家去定義一材料其電流傳輸的性能和不. 同樣品之間有意義的比較。然而在20 世紀初，科學家又發現到不一. 樣的材料亦可以擁有相同的電阻率，此現象在半導體材料上尤其明. 顯，只有電阻率並無法說明所有觀察到的結果，所以電阻率並不是材. 料的基本參數。最後，提出了載子濃度和遷移率來說明現今大部分 ... ,RH = −1 en. 霍爾效應中霍爾遷移率( Hall mobility ) 定義則如下 μ ≡. |RH| ρxx. = 1 enρxx. 因此我們在做霍爾效應實驗時，可以利用量測霍爾偏壓( Hall voltage ) ，即. 上圖中的Vy ，和x方向偏壓，即上圖中的Vx 去推算x 方向的電阻率ρxx 再. 利用已知的條件則可以計算出載子濃度以及霍爾係數並且再藉此可得知霍耳. 遷移率[25] 。 13 ... ,為了量測出遷移率和載子片濃度nS(sheet density)，. 需要電阻率量測和霍爾量測，以下將介紹電阻率量測和霍爾量 .... 子濃度n 還方便。 S n nd. = (3-14). |. |. S. H. IB n q V. = (3-15). 而載子移動率(mobility)定義為 .... 而霍爾遷移率μ將可以從片載子濃度nS 和片電阻RS 計算出。 以下將利用八個霍爾電壓一步一步計算出載子濃度和遷移 ... ,不同表面閘極偏壓以調變載子濃度，結合變溫量測來探討電子遷移率因為不同散. 射源之影響，摻雜源在元件中的深淺能階分佈 ..... 電子遷移率與載子濃度的關係如式(1-4)所式，其中L 為量測片電阻兩點間. 的長度(720um)，W 為通道 .... level)如式(1-12)，l稱為填充因子(filling factor)其定義成二維電子數目與. 磁通量子(magnetic flux ... ,並藉由FET元件和水平元件來探討載子密度和遷移率的關係，我們發現遷移率和. 載子密度並無明顯的關聯性，而 .... 前藉由不同的材料合成加上結構的最佳化，使得有機半導體材料的載子遷移率不. 斷地提昇，在室溫下的最高場效 ..... 曝光( exposure )：利用金屬製Shadow Mask 來曝光，定義出ITO 圖形。曝. 光的圖形如下圖所示，依不同 ...
| 相關軟體 MSI Afterburner 資訊 | |
|---|---|
 載子遷移率定義 相關參考資料
與摻雜濃度和遷移率有關
可得. 同理，n型半導體之電子遷移率（低電場下）為. 載子擴散. 載子會由濃度高處往濃度低處移動。 考慮單位時間單位面積通過x = 0 平面之淨電子流. F1. F2. 左邊流過來. 右邊流過來. 故淨電子流為. dp/dx. dn/dx. 擴散電流. 用泰勒展開式展開n(-l)與n(l)，取前二項：. 其中定義擴散係數. （熱速率乘以平均自由徑）. 所以電子的擴散電流為. http://een.ctu.edu.tw 载流子迁移率_百度百科
电子迁移率（英语：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（hole mobility）。人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。... https://baike.baidu.com 電子移動率- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
電子移動率（英語：electron mobility）是固態物理學中用於描述金屬或半導體內部電子，在電場作用下移動快慢程度的物理量。在半導體中，另一個類似的物理量稱為電洞遷移率（hole mobility）。人們常用載子遷移率（carrier mobility）來指代半導體內部電子和電洞整體的運動快慢。 https://zh.wikipedia.org 迁移率_百度百科
迁移率（mobility）是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米2/（伏·秒）。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。迁移率与载流子的有效质量和散射概率成反比。载流子的有效质量与材料有关，不同的半导体中电子有不同的有效质量。如硅中电子的有效质量 ... https://baike.baidu.com 移動率(mobility)
子或電洞在半導體晶. 格做熱運動，如同在. 熱學中討論的理想氣. 體一般，每一個載子. 平均約有隨機運動的. 動能. 其中k為波茲曼常數，. 等於理想氣體常數除. 以亞佛加厥常數；T為. 絕對溫度。 平均速度為零， <v d. >=0 ，因任一方向的平均速率均相同。 由於載體在運動時，不斷受到晶格振動與雜質的影響（散射），直線行進. 一段距離後 ... http://ezphysics.nchu.edu.tw 霍爾效應的量測 - eThesys 國立中山大學學位論文服務
電阻率的提出，提供科學家去定義一材料其電流傳輸的性能和不. 同樣品之間有意義的比較。然而在20 世紀初，科學家又發現到不一. 樣的材料亦可以擁有相同的電阻率，此現象在半導體材料上尤其明. 顯，只有電阻率並無法說明所有觀察到的結果，所以電阻率並不是材. 料的基本參數。最後，提出了載子濃度和遷移率來說明現今大部分 ... http://etd.lib.nsysu.edu.tw Electrical transport study of graphene
RH = −1 en. 霍爾效應中霍爾遷移率( Hall mobility ) 定義則如下 μ ≡. |RH| ρxx. = 1 enρxx. 因此我們在做霍爾效應實驗時，可以利用量測霍爾偏壓( Hall voltage ) ，即. 上圖中的Vy ，和x方向偏壓，即上圖中的Vx 去推算x 方向的電阻率ρxx 再. 利用已知的條件則可以計算出載子濃度以及霍爾係數並且再藉此可得知霍耳. 遷移率[25]... http://etd.lib.nsysu.edu.tw 第一章緒論
為了量測出遷移率和載子片濃度nS(sheet density)，. 需要電阻率量測和霍爾量測，以下將介紹電阻率量測和霍爾量 .... 子濃度n 還方便。 S n nd. = (3-14). |. |. S. H. IB n q V. = (3-15). 而載子移動率(mobility)定義為 .... 而霍爾遷移率μ將可以從片載子濃度nS 和片電阻RS 計算出。 以下將利用八個霍爾電壓一步一步計算... https://ir.nctu.edu.tw 國立交通大學機構典藏
不同表面閘極偏壓以調變載子濃度，結合變溫量測來探討電子遷移率因為不同散. 射源之影響，摻雜源在元件中的深淺能階分佈 ..... 電子遷移率與載子濃度的關係如式(1-4)所式，其中L 為量測片電阻兩點間. 的長度(720um)，W 為通道 .... level)如式(1-12)，l稱為填充因子(filling factor)其定義成二維電子數目與. 磁通量子(magnetic flux .... https://ir.nctu.edu.tw 國立交通大學機構典藏- 交通大學
並藉由FET元件和水平元件來探討載子密度和遷移率的關係，我們發現遷移率和. 載子密度並無明顯的關聯性，而 .... 前藉由不同的材料合成加上結構的最佳化，使得有機半導體材料的載子遷移率不. 斷地提昇，在室溫下的最高場效 ..... 曝光( exposure )：利用金屬製Shadow Mask 來曝光，定義出ITO 圖形。曝. 光的圖形如下圖所示，依不同 ... https://ir.nctu.edu.tw |