電子遷移率溫度
在溫度300K，矽的單位立方晶格的邊長a（稱為晶格常數，lattice constant）. 為5.43Å，計算 ..... 達成平衡時，對於同一種半導體，固定溫度時導電電子濃度與電洞的濃度. ,氮化鎵有著高崩潰電壓、高電子遷移率和飽和速度，使其成為一個非常適合應用在 ... 於電子遷移率隨電場與溫度上升而下降，本論文模擬結果顯示，二維電子氣濃度隨 ... ,其他：如溫度不均勻造成電流，穿隧效應(tunneling effect)等。 在半導體中和基本 ... 有外加電場時，導電電子會沿電場相反方向、電洞則沿電場方向會有一平. 均的移動 ... ,... 來表述的。更詳細的內容，請參見電子遷移率(對於固體)和電遷移率(更一般的討論)。 ... 但由於少數載流子可以通過升溫產生，漂移電流是和溫度有關的。 當一個電場 ... ,由此可定义出散射事件频率的物理量，称作电子迁移率μe。... ... 其原因是，在一定温度下，材料内部的大量载流子，即使没有电场作用，它们也不是静止不动，而是永不 ... ,Eg 與溫度之關係不重 k 為Boltzmann ... 本質半導體的電子電洞濃度相當小，僅可有微量電流。適當地加入控制量的某 ... 電子遷移率μn =1350 (cm2/V-s) --低摻雜矽. ,為電洞的遷移率 p. Mobility的討論：與 c有關. c 受電子碰撞影響，其機制有二：. 晶格散射：溫度越高，晶格熱震動越劇烈， L越小。 雜質散射：雜質濃度越高， I越小. ,迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。 ... 掺杂浓度和温度对μ的影响，本质上是对载流子散射强弱的影响。 ,遷移率代表了載流子導電能力的大小，它和載流子（電子或空穴）濃度決定了半導體的電導率。 ... 摻雜濃度和溫度對μ的影響，本質上是對載流子散射強弱的影響。
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 電子遷移率溫度 相關參考資料
半導體物理簡介
在溫度300K，矽的單位立方晶格的邊長a（稱為晶格常數，lattice constant）. 為5.43Å，計算 ..... 達成平衡時，對於同一種半導體，固定溫度時導電電子濃度與電洞的濃度. http://140.120.11.1 國立交通大學機構典藏：高載子遷移率電晶體之電性與能量傳遞 ...
氮化鎵有著高崩潰電壓、高電子遷移率和飽和速度，使其成為一個非常適合應用在 ... 於電子遷移率隨電場與溫度上升而下降，本論文模擬結果顯示，二維電子氣濃度隨 ... https://ir.nctu.edu.tw 擴散電流
其他：如溫度不均勻造成電流，穿隧效應(tunneling effect)等。 在半導體中和基本 ... 有外加電場時，導電電子會沿電場相反方向、電洞則沿電場方向會有一平. 均的移動 ... http://ezphysics.nchu.edu.tw 漂移電流- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
... 來表述的。更詳細的內容，請參見電子遷移率(對於固體)和電遷移率(更一般的討論)。 ... 但由於少數載流子可以通過升溫產生，漂移電流是和溫度有關的。 當一個電場 ... https://zh.wikipedia.org 电子迁移率_百度百科
由此可定义出散射事件频率的物理量，称作电子迁移率μe。... ... 其原因是，在一定温度下，材料内部的大量载流子，即使没有电场作用，它们也不是静止不动，而是永不 ... https://baike.baidu.com 第1 章半導體材料與特性講義與作業Example 1.1：
Eg 與溫度之關係不重 k 為Boltzmann ... 本質半導體的電子電洞濃度相當小，僅可有微量電流。適當地加入控制量的某 ... 電子遷移率μn =1350 (cm2/V-s) --低摻雜矽. http://eportfolio.lib.ksu.edu. 與摻雜濃度和遷移率有關
為電洞的遷移率 p. Mobility的討論：與 c有關. c 受電子碰撞影響，其機制有二：. 晶格散射：溫度越高，晶格熱震動越劇烈， L越小。 雜質散射：雜質濃度越高， I越小. http://een.ctu.edu.tw 迁移率_百度百科
迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。 ... 掺杂浓度和温度对μ的影响，本质上是对载流子散射强弱的影响。 https://baike.baidu.com 遷移率:技術套用,溶液的遷移率,電子遷移率,_中文百科全書
遷移率代表了載流子導電能力的大小，它和載流子（電子或空穴）濃度決定了半導體的電導率。 ... 摻雜濃度和溫度對μ的影響，本質上是對載流子散射強弱的影響。 https://www.newton.com.tw |