电子迁移
電子移動率（英語：electron mobility）是固態物理學中用於描述金屬或半導體內部電子，在電場作用下移動快慢程度的物理量。在半導體中，另一個類似的物理量稱為電 ... ,电迁移（英語：Electromigration）是由于通电导体内的电子运动，把它们的动能传递给导体的金属离子，使离子朝电场反方向运动而逐渐迁移，导致导体的原子扩散、 ... ,再说一次，空穴不是简单的电子运动等效，我们说的空穴导电和电子导电有物理意义上的区别。最简单的理解方… ,粒子迁移率对于有机电子器件例如场致发射晶体管（OFET）、有机发光二极管、光伏电池非常关键。载流子从一个位置迁移到另一个位置，迁移率主要有转移积分决定。 ,电子迁移(Electric mess move)”是上世纪50年代斯茂·斯迪尤德恩在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的金属原子移动的现象。因为此时 ... ,摩擦力来自晶格缺陷对电子的散射，包括杂质原子、空隙、间隙原子、位错甚至原子自身的热振动。 ... 由此可定义出散射事件频率的物理量，称作电子迁移率μe。... ,电子迁移率（英语：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空 ... ,迁移率（mobility）是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米2/（伏·秒）。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度 ... ,高电子迁移率晶体管（英语：High electron mobility transistor, HEMT），也称调制掺杂场效应管（modulation-doped FET, MODFET）是场效应晶体管的一种，它使用两 ...
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 电子迁移 相關參考資料
電子移動率- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
電子移動率（英語：electron mobility）是固態物理學中用於描述金屬或半導體內部電子，在電場作用下移動快慢程度的物理量。在半導體中，另一個類似的物理量稱為電 ... https://zh.wikipedia.org 电迁移- 维基百科，自由的百科全书
电迁移（英語：Electromigration）是由于通电导体内的电子运动，把它们的动能传递给导体的金属离子，使离子朝电场反方向运动而逐渐迁移，导致导体的原子扩散、 ... https://zh.wikipedia.org 空穴是假想出来的，那为什么空穴和电子迁移率不同？ - 知乎
再说一次，空穴不是简单的电子运动等效，我们说的空穴导电和电子导电有物理意义上的区别。最简单的理解方… https://www.zhihu.com 如何计算分子间的转移积分、电子迁移率、空穴迁移率[费米维基]
粒子迁移率对于有机电子器件例如场致发射晶体管（OFET）、有机发光二极管、光伏电池非常关键。载流子从一个位置迁移到另一个位置，迁移率主要有转移积分决定。 https://www.fermitech.com.cn 电子迁移_百度百科
电子迁移(Electric mess move)”是上世纪50年代斯茂·斯迪尤德恩在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的金属原子移动的现象。因为此时 ... https://baike.baidu.com 电子迁移率_百度百科
摩擦力来自晶格缺陷对电子的散射，包括杂质原子、空隙、间隙原子、位错甚至原子自身的热振动。 ... 由此可定义出散射事件频率的物理量，称作电子迁移率μe。... https://baike.baidu.com 载流子迁移率_百度百科
电子迁移率（英语：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空 ... https://baike.baidu.com 迁移率_百度百科
迁移率（mobility）是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米2/（伏·秒）。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度 ... https://baike.baidu.com 高电子迁移率晶体管_百度百科
高电子迁移率晶体管（英语：High electron mobility transistor, HEMT），也称调制掺杂场效应管（modulation-doped FET, MODFET）是场效应晶体管的一种，它使用两 ... https://baike.baidu.com |