電子遷移率公式
半導體中的電流是由電子(electron)及電洞(hole)兩種載子(carrier)移動所產生 ... 其中μp 為電洞遷移率(mobility of holes)，μn 為電子遷移率。 上式vn ...,Jn and Jp 代表電子電流和空穴電流。 R 代表載流子產生和複合率（R>0表示電子-空穴對正在被產生，R<0 表示電子和空穴複合了） ... 代表電子和空穴的[遷移率]]. ,漂移速度可以用以下公式表達：. J d r i f t = σ ⋅ v a v g -displaystyle ... E} v_-it avg}}}}=-mu - ， μ是以m2/(V·s)為單位的電子遷移率，而E是以V/m為單位的電場強度。 ,其中u是漂移速度，μ是材料的电子迁移率（单位为m 2 /（V⋅s）），E为电场（单位V / m）。 ... 用于评估恒定横截面积材料中载流子漂移速度的公式由下式给出：. 其中u是 ... ,電子在一條直線(宏觀上)上的無規則運動叫做飄移運動。飄移運動也跟載流子在導介電質中的遷移率有關。 PN結二極體中的漂移 ... ,比例常數µ：移動率(mobility)，單位：cm2/V·s. 不同種類的載體及濃度，在不同的材料中，在不同的溫度，移動率都不相. 同。一般而言，導電電子的移動率較電洞為高。 ,其中有機半導體近年來在電子元件的應用上. 已成為相當熱門的研究 ... 載子是否獲得足夠的活化能來決. 定該載子是否被釋放，載子遷移率與溫度關係如公式2 所示。 0. ,电子迁移率（英语：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空 ... ,
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 電子遷移率公式 相關參考資料
[半導體] 半導體中的電流- drift current & diffusion current
半導體中的電流是由電子(electron)及電洞(hole)兩種載子(carrier)移動所產生 ... 其中μp 為電洞遷移率(mobility of holes)，μn 為電子遷移率。 上式vn ... https://ch-hsieh.blogspot.com 漂移–擴散方程- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
Jn and Jp 代表電子電流和空穴電流。 R 代表載流子產生和複合率（R>0表示電子-空穴對正在被產生，R<0 表示電子和空穴複合了） ... 代表電子和空穴的[遷移率]]. https://zh.wikipedia.org 漂移速度- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
漂移速度可以用以下公式表達：. J d r i f t = σ ⋅ v a v g -displaystyle ... E} v_-it avg}}}}=-mu - ， μ是以m2/(V·s)為單位的電子遷移率，而E是以V/m為單位的電場強度。 https://zh.wikipedia.org 漂移速度_百度百科
其中u是漂移速度，μ是材料的电子迁移率（单位为m 2 /（V⋅s）），E为电场（单位V / m）。 ... 用于评估恒定横截面积材料中载流子漂移速度的公式由下式给出：. 其中u是 ... https://baike.baidu.com 漂移電流- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
電子在一條直線(宏觀上)上的無規則運動叫做飄移運動。飄移運動也跟載流子在導介電質中的遷移率有關。 PN結二極體中的漂移 ... https://zh.wikipedia.org 移動電流與擴散電流
比例常數µ：移動率(mobility)，單位：cm2/V·s. 不同種類的載體及濃度，在不同的材料中，在不同的溫度，移動率都不相. 同。一般而言，導電電子的移動率較電洞為高。 http://ezphysics.nchu.edu.tw 第一章緒論
其中有機半導體近年來在電子元件的應用上. 已成為相當熱門的研究 ... 載子是否獲得足夠的活化能來決. 定該載子是否被釋放，載子遷移率與溫度關係如公式2 所示。 0. https://ir.nctu.edu.tw 载流子迁移率_百度百科
电子迁移率（英语：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空 ... https://baike.baidu.com 遷移率：遷移率(mobility)是指單位電場強度下所產生的載流子 ...
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