短通道效應速度飽和
,短通道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管的導電溝 ... 降低而降低、漏致勢壘降低、載流子表面散射、速度飽和、離子化和熱電子效應。 , 影響推動力的最主要因素還是來自於短通道效應，特別是本身就已經夠短 ... 原本我們希望閘極在拉高電位一到飽和態後，電晶體就可以把源極的輸出 ...,vDS>vDS(sat) ：飽和區：理想MOSFET 有固定之D 極電流 ... 短通道效應. ◇ 現今元件中通 ... 飽和. ◇ 當通道水平電場(正比於vDS)持續增加，則水平飄一速度會達到一. ,TMA-TSUPREM4模擬軟體加以驗證，由實驗得知，速度飽和長度變化是隨通道長度、閘 ... 2.3通道電場效應．．．．．．．．．．．．．．．．．．．17 2.4短通道與熱載子效應． ,為通道阻絕層。 MOSFET. •. 短通道效應. – MOS元件越小，通道的長度將隨之縮短，因此電晶體的操作速度將加快。但. 是電晶體的通道長度並不能無限制的縮減，當其 ... ,對短通道電晶體而言，重疊電容會變得更為重要，因為這時它佔了全部電容的大部分。 第2 章金 ... 其原因是兩項效應所造成：速度飽和(velocity saturation) 與遷移率的 ... , 在這樣的高電場下，發生影響MOSFET的I-V特性的速度飽和。對於相同的 ... 如果通道長度與耗盡區相比較小，則短通道效應變得不可容忍。這限制了 ..., 短通道效應（英語：short-channel effects）是當金屬氧化物半導體場效應管 ... 而降低、漏致勢壘降低、載流子表面散射、速度飽和、離子化和熱電子效應。,通道長度調變效應? ... 使得載子速度達到飽和狀態，因此有效通道長度在高電場的狀態下會減短， 這個效應 ... 不過當元件尺寸縮小後， 臨限電壓(Vt)就會跟有效通道長度(Leff)與有效通道寬度(Weff)有關， 這稱做短通道與窄通道效應。
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vDS>vDS(sat) ：飽和區：理想MOSFET 有固定之D 極電流 ... 短通道效應. ◇ 現今元件中通 ... 飽和. ◇ 當通道水平電場(正比於vDS)持續增加，則水平飄一速度會達到一. http://eportfolio.lib.ksu.edu. n型金氧半場效電晶體速度飽和長度受溫度效應影響之研究=study on the ...
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為通道阻絕層。 MOSFET. •. 短通道效應. – MOS元件越小，通道的長度將隨之縮短，因此電晶體的操作速度將加快。但. 是電晶體的通道長度並不能無限制的縮減，當其 ... http://jupiter.math.nctu.edu.t 第2 章金氧半導體電晶體理論
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