lightly doped drain中文
lightly doped drain中文輕摻雜漏極…，點擊查查權威綫上辭典詳細解釋lightly doped drain的中文翻譯，lightly doped drain的發音，音標，用法和例句等。 ,LDD（Lightly Doped Drain，轻掺杂漏）的形成是为了避免晶体管微型化带来的不利影响（操作速度变慢等）。 LDD也被称为扩展。 n型LDD：在n型MOS的区域内加入n型 ... ,Lightly doped drain (LDD). B/7/5×1013. B/5/1×1014. B/2/8×1013. Halo (45° implant). -. -. As/30/5×1013. Source/drain contact. B/10/2×1015. B/7/2×1015. B/6/2× ... ,LDD结构即是在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区，让该低掺杂的漏区也承受部分电压，这种结构可防止热电子退化效应。 中文名. LDD结构/轻掺杂漏结构. ,以lightly doped drain technology=LDD technology} 進行詞彙精確檢索結果. 出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子計算機名詞, lightly doped drain ... , 為了克服這些挑戰，半導體業界不斷開發出一系列的先進工藝技術，例如多晶矽柵、源漏離子注入自對準、LDD離子注入、polycide、Salicide、SRD、 ..., 有兩種製程可以改善特性其一是低摻雜汲極(LDD)主要是防止熱載子效應，穿過閘極氧化層所造成的漏電流增加；其二是袋形植 ... 本文將討論在元件裡面LDD和Pocket高低摻雜的濃度對元件電性造成的影響。由量測 ... 語文別: 中文., 因為GATE愈做愈小, 使得source(S)和drain(D)兩端的距離變得很近; 又V= E*L (電位=電場*長度), 若電位不變,則電場和S/D兩端的距離成反比,,輕微摻雜汲極法（Lightly Doped Drain, LDD). – 所謂LDD法乃是在原來的MOS的源極和汲極接近通道的地方，在增. 加一組摻雜程度較原來n型的源極與汲極為低的n ...
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 lightly doped drain中文 相關參考資料
"lightly doped drain" 中文翻譯
lightly doped drain中文輕摻雜漏極…，點擊查查權威綫上辭典詳細解釋lightly doped drain的中文翻譯，lightly doped drain的發音，音標，用法和例句等。 https://tw.ichacha.net 4. LDD形成: 三重富士通半导体股份有限公司
LDD（Lightly Doped Drain，轻掺杂漏）的形成是为了避免晶体管微型化带来的不利影响（操作速度变慢等）。 LDD也被称为扩展。 n型LDD：在n型MOS的区域内加入n型 ... https://www.fujitsu.com Chapter 8 離子佈植
Lightly doped drain (LDD). B/7/5×1013. B/5/1×1014. B/2/8×1013. Halo (45° implant). -. -. As/30/5×1013. Source/drain contact. B/10/2×1015. B/7/2×1015. B/6/2× ... http://www.isu.edu.tw LDD结构_百度百科
LDD结构即是在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区，让该低掺杂的漏区也承受部分电压，这种结构可防止热电子退化效应。 中文名. LDD结构/轻掺杂漏结构. https://bkso.baidu.com lightly doped drain technology=LDD technology} - 輕摻雜汲極技術
以lightly doped drain technology=LDD technology} 進行詞彙精確檢索結果. 出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子計算機名詞, lightly doped drain ... http://terms.naer.edu.tw 一文看懂MOS器件的發展與面臨的挑戰｜半導體行業觀察- 每日頭條
為了克服這些挑戰，半導體業界不斷開發出一系列的先進工藝技術，例如多晶矽柵、源漏離子注入自對準、LDD離子注入、polycide、Salicide、SRD、 ... https://kknews.cc 不同低摻雜汲極與袋形植入摻雜濃度之超薄型矽覆蓋絕緣層元件特性 ...
有兩種製程可以改善特性其一是低摻雜汲極(LDD)主要是防止熱載子效應，穿過閘極氧化層所造成的漏電流增加；其二是袋形植 ... 本文將討論在元件裡面LDD和Pocket高低摻雜的濃度對元件電性造成的影響。由量測 ... 語文別: 中文. https://ndltd.ncl.edu.tw 何謂Lightly Doped Drain (LDD)?? | Yahoo奇摩知識+
因為GATE愈做愈小, 使得source(S)和drain(D)兩端的距離變得很近; 又V= E*L (電位=電場*長度), 若電位不變,則電場和S/D兩端的距離成反比, https://tw.answers.yahoo.com 元件物理基礎The scale of things Crystal Structure Crystal
輕微摻雜汲極法（Lightly Doped Drain, LDD). – 所謂LDD法乃是在原來的MOS的源極和汲極接近通道的地方，在增. 加一組摻雜程度較原來n型的源極與汲極為低的n ... http://jupiter.math.nctu.edu.t |