poly-si或amorphous si

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poly-si或amorphous si

非晶矽(Amorphous silicon, a-Si),又名無定形矽,是矽的一種同素異形體。晶體矽通常呈正四面體排列,每一個矽原子位於正四面體的頂點,並與另外四個矽原子以共價鍵 ... ,低溫多晶矽(Low-temperature polycrystalline silicon,LTPS)是一種與傳統 ... 許多晶體或高有序晶格顆粒組成的純導電元素形式。1984年,研究表明,非晶矽(a-Si)是 ... ,此條目需要精通或熟悉多晶矽的編者參與及協助編輯。 ... 低溫多晶硅(Low-temperature polycrystalline silicon,LTPS)是一種與傳統方法(900°C以上)相比,在相對較 ... ,2008年8月1日 — 本研究在不同非晶矽(Amorphous Silicon; a-Si)厚度以及不同預熱溫度條件 ... 運用場發射電子顯微鏡來觀察多晶矽(Polycrystalline Silicon; Poly-Si)之 ... ,由 吳耀銓 著作 · 2003 — 的方式來誘發矽結晶,利用PVD 製程或是無電鍍方式直接將金屬膜鍍覆在非晶矽薄膜上來 ... Keywords: Metal induced crystallization of amorphous silicon, poly-Si, ... ,由 黃璽豪 著作 · 2009 · 被引用 1 次 — 多晶矽(bulk polycrystalline silicon)與薄膜多晶矽(thin film polycrystalline ... 非晶矽(Amorphous Silicon, a-Si)薄膜太陽電池是在1976 年由Cralson 和Wronski. ,由 邱泓瑜 著作 · 2009 — Highly stable and efficient amorphous silicon thin film solar cell ... 多晶矽(polycrystalline silicon: poly-Si)、非晶矽(amorphous silicon: a-Si)、III-V 族、. ,由 童騰賦 著作 · 2010 — aspect ratio. F+ ion was used to drive Ni into the amorphous silicon layer. Annealing treatment can induce lateral crystallization polysilicon and. ,【LPCVD Poly Si】壓力350mTorr ... Polysilicon 是由多種不同Crystal Orientation 的Single Crystal of Silicon ... 就是介於單晶矽與Amorphous Silicon 之間的. ,目前顯示器所用的薄膜電晶體元件是以非晶矽(amorphous silicon;a-Si)與多晶矽( poly silicon)為主,而以非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)來說其電子遷移率僅 ...

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poly-si或amorphous si 相關參考資料
非晶矽- 維基百科,自由的百科全書

非晶矽(Amorphous silicon, a-Si),又名無定形矽,是矽的一種同素異形體。晶體矽通常呈正四面體排列,每一個矽原子位於正四面體的頂點,並與另外四個矽原子以共價鍵 ...

https://zh.wikipedia.org

低溫多晶矽- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia

低溫多晶矽(Low-temperature polycrystalline silicon,LTPS)是一種與傳統 ... 許多晶體或高有序晶格顆粒組成的純導電元素形式。1984年,研究表明,非晶矽(a-Si)是 ...

https://zh.wikipedia.org

低溫多晶硅- 維基百科,自由的百科全書

此條目需要精通或熟悉多晶矽的編者參與及協助編輯。 ... 低溫多晶硅(Low-temperature polycrystalline silicon,LTPS)是一種與傳統方法(900°C以上)相比,在相對較 ...

https://zh.wikipedia.org

不同矽膜厚度與預熱溫度之再結晶特性研究 - 材料世界網

2008年8月1日 — 本研究在不同非晶矽(Amorphous Silicon; a-Si)厚度以及不同預熱溫度條件 ... 運用場發射電子顯微鏡來觀察多晶矽(Polycrystalline Silicon; Poly-Si)之 ...

https://www.materialsnet.com.t

金屬壓印誘發矽結晶化摘要複晶矽薄膜電

由 吳耀銓 著作 · 2003 — 的方式來誘發矽結晶,利用PVD 製程或是無電鍍方式直接將金屬膜鍍覆在非晶矽薄膜上來 ... Keywords: Metal induced crystallization of amorphous silicon, poly-Si, ...

https://ir.nctu.edu.tw

第一章緒論 - 國立交通大學機構典藏

由 黃璽豪 著作 · 2009 · 被引用 1 次 — 多晶矽(bulk polycrystalline silicon)與薄膜多晶矽(thin film polycrystalline ... 非晶矽(Amorphous Silicon, a-Si)薄膜太陽電池是在1976 年由Cralson 和Wronski.

https://ir.nctu.edu.tw

顯示科技研究所 - 國立交通大學

由 邱泓瑜 著作 · 2009 — Highly stable and efficient amorphous silicon thin film solar cell ... 多晶矽(polycrystalline silicon: poly-Si)、非晶矽(amorphous silicon: a-Si)、III-V 族、.

https://ir.nctu.edu.tw

鎳誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體 - 國立交通大學機構典藏

由 童騰賦 著作 · 2010 — aspect ratio. F+ ion was used to drive Ni into the amorphous silicon layer. Annealing treatment can induce lateral crystallization polysilicon and.

https://ir.nctu.edu.tw

水平爐管個別原理

【LPCVD Poly Si】壓力350mTorr ... Polysilicon 是由多種不同Crystal Orientation 的Single Crystal of Silicon ... 就是介於單晶矽與Amorphous Silicon 之間的.

https://www.tsri.org.tw

成果報告資料顯示 - eTop-工程科技推展平台

目前顯示器所用的薄膜電晶體元件是以非晶矽(amorphous silicon;a-Si)與多晶矽( poly silicon)為主,而以非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)來說其電子遷移率僅 ...

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