非晶矽薄膜
非晶矽（Amorphous silicon, a-Si），又名無定形矽，是矽的一種同素異形體。晶體矽通常呈正四面體排列，每一個矽原子位於正四面體的頂點，並與另外四個矽原子以共價鍵 ... ,我們一個較早期實驗的結果顯示，使用LPCVD 在矽晶片兩面鍍製多晶矽薄膜後，太陽能電池效率從. 18.1% 提升至18.4%。 Hydrogenated amorphous silicon (a-Si) is a material ... ,由 羅佳雄 著作 · 2011 — 非晶矽的優點在於對於可見光譜的吸光能力很強，而且利用濺鍍或是化學氣相沉積方式在玻璃或金屬基板上生成薄膜的生產方式成熟且成本低廉，材料成本相對於其他化合物半導體 ... ,2010年11月16日 — 非晶矽薄膜(a-Si:H)通常是在低溫製程下成長(200~250°C)，且已被廣泛應用於大面積液晶螢幕上的薄膜電晶體元件和薄膜太陽電池。由於其非晶結構，在這些 ... ,非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT) 因在大面積基板上有好的均勻度、低製程溫度、以及高生產良率, 而成為主動式矩陣液晶顯示器(AMLCD)的主流技術。 近幾年為了降低成本的考量, ... ,(polysilicon, poly-Si TFT LCD) 多使用直接共平面式. 的結構，而非晶矽薄膜電晶體則大部份是選擇反轉. 堆疊式(inverted-staggered) 結構，原因是a-Si:H 是. 敏感性的材質 ... ,本報告說明氫化非晶矽薄膜中的矽氫峰量測結果。 我們使用透射法搭配單次反射衰減全反射率(ATR) 配件(MIRacle Ge 棱鏡)，以ATR 法進行量測。 樣品為不同厚度(11 nm、22 nm、 ... ,由於目前氫化非晶矽薄膜比非晶矽薄膜的電性更佳、缺陷密度小，而受到重視。因此本研究目的是使用離子束濺鍍系統製作氫化非晶矽薄膜，藉由低鍍率沉積可減少缺陷密度、準確地 ... ,由 連水養 著作 · 2013 — 本文回顧氫化非晶矽太陽電池在近年來的發展，首先在薄膜方面介紹了氫化非晶矽材料的基本特性以及目前主要的製備方式，接著在電池元件方面則說明了製作氫化非晶矽太陽 ... ,由 陳達欣 著作 · 2009 — 首先，對於本質非晶矽，p型非晶矽跟 n 型非晶矽 的單膜的光電特性進行分析，並且找出最佳適用於薄膜太陽能電池。著我們利用加入甲烷 (CH4) 以改變p型非晶矽的光學特性， ...
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 非晶矽薄膜 相關參考資料
非晶矽- 維基百科，自由的百科全書
非晶矽（Amorphous silicon, a-Si），又名無定形矽，是矽的一種同素異形體。晶體矽通常呈正四面體排列，每一個矽原子位於正四面體的頂點，並與另外四個矽原子以共價鍵 ... https://zh.wikipedia.org 非晶矽薄膜鈍化之矽晶太陽能電池
我們一個較早期實驗的結果顯示，使用LPCVD 在矽晶片兩面鍍製多晶矽薄膜後，太陽能電池效率從. 18.1% 提升至18.4%。 Hydrogenated amorphous silicon (a-Si) is a material ... https://www.tiri.narl.org.tw 非晶矽薄膜太陽能板的原理及運用
由 羅佳雄 著作 · 2011 — 非晶矽的優點在於對於可見光譜的吸光能力很強，而且利用濺鍍或是化學氣相沉積方式在玻璃或金屬基板上生成薄膜的生產方式成熟且成本低廉，材料成本相對於其他化合物半導體 ... https://www.airitilibrary.com 非晶矽薄膜太陽電池的光輻照效應(上)
2010年11月16日 — 非晶矽薄膜(a-Si:H)通常是在低溫製程下成長(200~250°C)，且已被廣泛應用於大面積液晶螢幕上的薄膜電晶體元件和薄膜太陽電池。由於其非晶結構，在這些 ... https://www.materialsnet.com.t 改善液晶顯示器之大尺寸非晶矽薄膜電晶體的電特性
非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT) 因在大面積基板上有好的均勻度、低製程溫度、以及高生產良率, 而成為主動式矩陣液晶顯示器(AMLCD)的主流技術。 近幾年為了降低成本的考量, ... https://ndltd.ncl.edu.tw 非晶矽薄膜電晶體液晶顯示器製造
(polysilicon, poly-Si TFT LCD) 多使用直接共平面式. 的結構，而非晶矽薄膜電晶體則大部份是選擇反轉. 堆疊式(inverted-staggered) 結構，原因是a-Si:H 是. 敏感性的材質 ... https://www.tiri.narl.org.tw 非晶矽薄膜中的矽氫(Si-H) 量測
本報告說明氫化非晶矽薄膜中的矽氫峰量測結果。 我們使用透射法搭配單次反射衰減全反射率(ATR) 配件(MIRacle Ge 棱鏡)，以ATR 法進行量測。 樣品為不同厚度(11 nm、22 nm、 ... https://www.shimadzu.com.tw 以離子束濺鍍法製作非晶矽薄膜之研究
由於目前氫化非晶矽薄膜比非晶矽薄膜的電性更佳、缺陷密度小，而受到重視。因此本研究目的是使用離子束濺鍍系統製作氫化非晶矽薄膜，藉由低鍍率沉積可減少缺陷密度、準確地 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 氫化非晶矽薄膜太陽電池的發展及應用
由 連水養 著作 · 2013 — 本文回顧氫化非晶矽太陽電池在近年來的發展，首先在薄膜方面介紹了氫化非晶矽材料的基本特性以及目前主要的製備方式，接著在電池元件方面則說明了製作氫化非晶矽太陽 ... https://www.airitilibrary.com 氫化非晶矽薄膜太陽能電池之最佳化研究
由 陳達欣 著作 · 2009 — 首先，對於本質非晶矽，p型非晶矽跟 n 型非晶矽 的單膜的光電特性進行分析，並且找出最佳適用於薄膜太陽能電池。著我們利用加入甲烷 (CH4) 以改變p型非晶矽的光學特性， ... https://ir.lib.nycu.edu.tw |