p型半導體能帶圖
電子佔據之能帶未完全填滿時即為導電電子 ... 導電帶. 價電帶. 能隙 g. E. 電子高能量. 電洞高能量 p型外質半導體電子受激 ... 不同半導體之能帶圖. 2., 固體的能帶理論(3):. 簡易能帶圖. 絕緣體. 半導體. 金屬. 導帶. 價帶 ... 下原來的N型摻雜原子(帶正電),而電洞則會由左側的P型半導體擴散至右側., 從能帶圖可以看出,對於電子,可以輕易地從P型半導體進入N型半導體,但是P型半導體內電子非常少。而N型半導體中的電子,則需要越過一個勢壘 ..., 例如pn接面能帶發生彎曲,是因為p型材料費米能階與n型材料費米能階,必須保持在同一位置所造成。 7.JPG. 10.jpg. 此能帶圖顯示,異質介面兩邊 ...,我們將發現單由能帶圖其實以足以看出許多有用的訊息. E p-type. E intrinsic. E ... P型半導體內的多數載子為電洞,而N型半導體內的多數載子為電子。當P型半導. ,.圖一:半導體能帶圖,(a)本質半導體;(b)n型半導體;(c)p型半導體。 .圖二:(a)pn接面;(b)熱平衡狀態之能帶圖;(c)電流電壓特性。 ,能帶. 導電帶(conduction band). 價電帶(valence band). 帶溝(band gap) empty full. 絕緣體 ... 價電帶. 導電帶. 帶溝E g. 電子能量. 位置. 導電電子與電洞在帶圖中的圖像. E v. E ... 其中再摻雜入比原來施子濃度高的受子,就可以形成p型半導體。 •最後還 ... ,掺杂(英語:doping)是半导体制造工艺中,为纯的本征半导体引入杂质,使之电气属性被改变的过程 ... 舉例來說,一個p-n结的能帶會彎折,起因是原本p型半導體和n型半導體的費米能階位置各 ... 在解釋半導體元件的行為時,能帶圖是非常有用的工具。 ,跳到 摻雜對半導體能帶結構的影響 - 依照摻雜物的不同,本徵半導體的能隙之間會出現不同的能階 ... 舉例來說,一個p-n結的能帶會彎折,起因是原本p型半導體 ... 上述的效應可以用能帶圖(英語:Band diagram)(band diagram)來解釋,如右圖 ...
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掺杂(英語:doping)是半导体制造工艺中,为纯的本征半导体引入杂质,使之电气属性被改变的过程 ... 舉例來說,一個p-n结的能帶會彎折,起因是原本p型半導體和n型半導體的費米能階位置各 ... 在解釋半導體元件的行為時,能帶圖是非常有用的工具。 https://zh.wikipedia.org 摻雜(半導體) - Wikiwand
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