載子平均碰撞時間
而在相邻两次碰撞之间的平均时间，即称为载流子的平均自由时间（Mean free time），其值t决定于平均自由程λ和热运动速度v，即有t= λ/v；典型的数值为1ps， ... ,因為聲子的數目較多，聲子的碰撞就成為決定載子遷移率最重要的因. 素．但在低溫時 ...... 平均碰撞時間也因此而變短，所以載子的遷移率μ跟隨著溫度的增加. 而減少。 ,分子與容器器壁的碰撞時間遠遠小於兩次碰撞間隔時間。 ... 對於稀薄氣體，本體性質的梯度與分子的平均自由徑相比較，這種情況叫克努森區，可以對克努森數展開來 ... ,氣體分子的平均自由徑（英語：mean free path）指氣體分子兩次碰撞之間的時間內經過的路程的 ... 氣體分子的平均自由徑與分子的直徑或半徑、分子數密度成反比。 ,隙間的能量載子彼此破壞其入射時的狀態而呈現出較窄的能量分佈，. 這使得熱電優 ...... 向過程對於降低聲子平均自由徑的影響，將由逐漸增高的比熱來決定. 熱導係數 ..... 再將粒子間的碰撞以鬆弛時間近似之後，朝向x 方向變化的分佈函數. 展開為： o. ,又因为平均自由程相同，那么加外电场的自由电子两次碰撞的平均时间应该比没有加 .... 强场下载流子温度比晶格温度高，载流子平均能量比晶格的大，在平均自由程 ... ,載子飄移(carrier drift); 載子擴散(carrier diffusion); 產生與復合過程generation and ... c 為平均自由時間（mean free time），約為10-12s，為平均自由徑（約10-5cm)除以vth。 ... 由此能帶圖可看出，電子碰撞損失動能給晶格，然後掉到能量較低的位置。 ,子或電洞在半導體晶. 格做熱運動，如同在. 熱學中討論的理想氣. 體一般，每一個載子. 平均約有隨機 ... 平均載體受到兩次碰撞間的時間為τ，稱做平均自. 由時間（mean ... ,半導體中的導電載子---電子與電洞. 帶溝與 .... =1.45×1010 cm-3，遠小於矽原子密度5.0×1022 cm-3，平均約每 ..... 平均載體受到兩次碰撞間的時間為τ，稱做平均自. ,功率P：平均功率：設在時間t內所作的功為W P＝ W＝P×t. 瞬時功率： P＝功對時間 ... 完全非彈性碰撞：物體碰撞後，連結在一起，共同以質心速度前進，恢復係數e＝0. 註：爆炸、核反應為化學能 ...... (b) 電洞為主要載子(P有洞). (c) 又稱受體(acceptor).
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 載子平均碰撞時間 相關參考資料
平均自由程_百度百科
而在相邻两次碰撞之间的平均时间，即称为载流子的平均自由时间（Mean free time），其值t决定于平均自由程λ和热运动速度v，即有t= λ/v；典型的数值为1ps， ... https://baike.baidu.com 國立中山大學物理研究所碩士論文δ-doped InxGa1-xAsInAlAs ...
因為聲子的數目較多，聲子的碰撞就成為決定載子遷移率最重要的因. 素．但在低溫時 ...... 平均碰撞時間也因此而變短，所以載子的遷移率μ跟隨著溫度的增加. 而減少。 http://etd.lib.nsysu.edu.tw 分子運動論- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
分子與容器器壁的碰撞時間遠遠小於兩次碰撞間隔時間。 ... 對於稀薄氣體，本體性質的梯度與分子的平均自由徑相比較，這種情況叫克努森區，可以對克努森數展開來 ... https://zh.wikipedia.org 平均自由徑- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
氣體分子的平均自由徑（英語：mean free path）指氣體分子兩次碰撞之間的時間內經過的路程的 ... 氣體分子的平均自由徑與分子的直徑或半徑、分子數密度成反比。 https://zh.wikipedia.org 國立交通大學機構典藏- 交通大學
隙間的能量載子彼此破壞其入射時的狀態而呈現出較窄的能量分佈，. 這使得熱電優 ...... 向過程對於降低聲子平均自由徑的影響，將由逐漸增高的比熱來決定. 熱導係數 ..... 再將粒子間的碰撞以鬆弛時間近似之後，朝向x 方向變化的分佈函數. 展開為： o. https://ir.nctu.edu.tw 在导体中，自由电子的平均自由时间为什么与外电场强度无关？ - 知乎
又因为平均自由程相同，那么加外电场的自由电子两次碰撞的平均时间应该比没有加 .... 强场下载流子温度比晶格温度高，载流子平均能量比晶格的大，在平均自由程 ... https://www.zhihu.com 與摻雜濃度和遷移率有關
載子飄移(carrier drift); 載子擴散(carrier diffusion); 產生與復合過程generation and ... c 為平均自由時間（mean free time），約為10-12s，為平均自由徑（約10-5cm)除以vth。 ... 由此能帶圖可看出，電子碰撞損失動能給晶格，然後掉到能量較低的位置。 http://een.ctu.edu.tw 擴散電流
子或電洞在半導體晶. 格做熱運動，如同在. 熱學中討論的理想氣. 體一般，每一個載子. 平均約有隨機 ... 平均載體受到兩次碰撞間的時間為τ，稱做平均自. 由時間（mean ... http://ezphysics.nchu.edu.tw 半導體簡介（pdf）
半導體中的導電載子---電子與電洞. 帶溝與 .... =1.45×1010 cm-3，遠小於矽原子密度5.0×1022 cm-3，平均約每 ..... 平均載體受到兩次碰撞間的時間為τ，稱做平均自. http://ezphysics.nchu.edu.tw 物理公式總表
功率P：平均功率：設在時間t內所作的功為W P＝ W＝P×t. 瞬時功率： P＝功對時間 ... 完全非彈性碰撞：物體碰撞後，連結在一起，共同以質心速度前進，恢復係數e＝0. 註：爆炸、核反應為化學能 ...... (b) 電洞為主要載子(P有洞). (c) 又稱受體(acceptor). https://www.csie.ntu.edu.tw |