參雜濃度公式
你的觀念有點問題不應該是說"數載子濃度高少數載子濃度多少少數載子濃度 ... 子(N型是電子P型是電洞)是摻雜雜質而來(N型摻雜5價雜質P型摻雜3價雜質) ... 單純就公式而言也很好解釋啊!!!np=ni^2 N型摻雜施體使n大增故p就下降 ... , 摻雜物的濃度改變時, n, p 與μn, μp 會跟著變化, 影響了電阻率的改變, 但此 ... 若此材料是P型半導體(p>>n), 則電阻率公式可簡化為ρ= 1/ [q*p*(μp)].,代表純半導體中之導電電子及電洞的濃度，或稱固有濃度(intrinsic concentration). 沒有摻雜質的純半導體：固有半導體(intrinsic semiconductor)，. 摻有雜質的不純 ... ,將其中的自由電子質量修正成mn（電子在晶體中的有效質量），則以上之公式變為 ..... 3.6 在無摻雜的半導體中，有本質電子(或電洞) 濃度ni，這是由於熱能在價帶和導 ... , Mass-Action-Low的公式呢就是下面這條公式 ... 若將半導體參雜(鎵原子)濃度1.5x10的15次方單位cm -3次方，又同時參雜(砷原子)濃度6x10的15次 ...,T=300 °K 求矽之本質載子濃度. 解：代入公式即可 ni=1.5×10. 10 個/cm3，雖不小，但比起原子濃度5×1022 cm/. 3 則很小. 二、外質(掺雜)半導體. 1. 本質半導體的電子 ... ,對重摻雜半導體而言，在低溫時雜質散射效應較顯著，所以溫度越高，遷移率越大。在高溫 .... 若在高電場作用下，公式中的 nε及 pε要修正成電子及電洞的飽和電流。 , Mass-Action-Low的公式呢就是下面這條公式 ... 若將半導體參雜(鎵原子)濃度1.5x10的15次方單位cm -3次方，又同時參雜(砷原子)濃度6x10的15次 ..., 在本質半導體時 no=po=ni (Ec:導電帶最低的能量, Ev:價電帶最大的能量) (Ef:費米能階)(Mn:等效質量)(Mp:等效質量) 在外質半導體時(有掺雜時), 質量作用定律P*N=Ni平方這個沒什問題反正就是公式但是P+Nd=Na+n 可以解說一下這 ... 明明沒有參雜卻有電子電洞 ... 但是N型沒有參雜3族元素 ... ND為施體原子濃度是正離子等於電子數. NA為受體原子濃度是負離子等於電洞數
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摻雜物的濃度改變時, n, p 與μn, μp 會跟著變化, 影響了電阻率的改變, 但此 ... 若此材料是P型半導體(p>>n), 則電阻率公式可簡化為ρ= 1/ [q*p*(μp)]. https://tw.answers.yahoo.com 半導體簡介（pdf）
代表純半導體中之導電電子及電洞的濃度，或稱固有濃度(intrinsic concentration). 沒有摻雜質的純半導體：固有半導體(intrinsic semiconductor)，. 摻有雜質的不純 ... http://ezphysics.nchu.edu.tw 本質半導體的載子濃度受到溫度
將其中的自由電子質量修正成mn（電子在晶體中的有效質量），則以上之公式變為 ..... 3.6 在無摻雜的半導體中，有本質電子(或電洞) 濃度ni，這是由於熱能在價帶和導 ... http://een.ctu.edu.tw 求高手-電子學電子濃度計算| Yahoo奇摩知識+
Mass-Action-Low的公式呢就是下面這條公式 ... 若將半導體參雜(鎵原子)濃度1.5x10的15次方單位cm -3次方，又同時參雜(砷原子)濃度6x10的15次 ... https://tw.answers.yahoo.com 第1 章半導體材料與特性講義與作業Example 1.1：
T=300 °K 求矽之本質載子濃度. 解：代入公式即可 ni=1.5×10. 10 個/cm3，雖不小，但比起原子濃度5×1022 cm/. 3 則很小. 二、外質(掺雜)半導體. 1. 本質半導體的電子 ... http://eportfolio.lib.ksu.edu. 與摻雜濃度和遷移率有關
對重摻雜半導體而言，在低溫時雜質散射效應較顯著，所以溫度越高，遷移率越大。在高溫 .... 若在高電場作用下，公式中的 nε及 pε要修正成電子及電洞的飽和電流。 http://een.ctu.edu.tw 解電子學題目| Yahoo奇摩知識+
Mass-Action-Low的公式呢就是下面這條公式 ... 若將半導體參雜(鎵原子)濃度1.5x10的15次方單位cm -3次方，又同時參雜(砷原子)濃度6x10的15次 ... https://tw.answers.yahoo.com 請問什麼是半導體本質濃度| Yahoo奇摩知識+
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