電子電洞遷移率
hole mobility, 空穴遷移率，電洞移動率. 學術名詞 物理學名詞, hole mobility, 電洞遷移率. 學術名詞 電機工程, hole mobility, 電洞移動率. 學術名詞 電子工程 , 半導體中的電流是由電子(electron)及電洞(hole)兩種載子(carrier)移動所產生 ... 其中μp 為電洞遷移率(mobility of holes)，μn 為電子遷移率。,又由於電子與電洞的電性相反，所以可利用量測到的霍爾電壓的「正負」號，來判斷在此薄片中移動的多數載子是電子或是電洞。再者，多數載子的遷移率（μ） ... ,一般而言，導電電子的移動率較電洞為高。 移動率(mobility). E. E. F av. *. *. ,導體內產生電子-電洞對(exciton)，電子和電洞因半導體p-n 接面形成的 ... 電洞及電子分別有高載子遷移率(mobility)的兩種材料，來提高電荷傳遞. 的速率。在當作 ... ,比例常數µ：移動率(mobility)，單位：cm2/V·s. 不同種類的載體及濃度，在不同的材料中，在不同的溫度，移動率都不相. 同。一般而言，導電電子的移動率較電洞為 ... ,電場方向與對電子產生之力量同向. 4. 漂移電流密度(A/cm. 2. ) 其中，. 電洞遷移率μp =480 (cm2/V-s) --低摻雜矽. ✧ 總漂移電流密度：不管n 或p 型半導體都同時有 ... ,Ip＝電洞移動造成的電流. A＝矽晶棒的截面積 q＝電子電荷量值 p＝電洞濃度 μp ＝電洞遷移率. E＝電場. 1.9.1.漂移電流. ▫ 步驟3:將(1.32) 式中的. 值(m p. E)代入. ,
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hole mobility - 電洞遷移率 - 國家教育研究院雙語詞彙
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半導體中的電流是由電子(electron)及電洞(hole)兩種載子(carrier)移動所產生 ... 其中μp 為電洞遷移率(mobility of holes)，μn 為電子遷移率。 https://ch-hsieh.blogspot.com 「載子」秘密—霍爾效應的新發現 - 科普寫作網路平台
又由於電子與電洞的電性相反，所以可利用量測到的霍爾電壓的「正負」號，來判斷在此薄片中移動的多數載子是電子或是電洞。再者，多數載子的遷移率（μ） ... http://foundation.nmns.edu.tw 半導體物理簡介
一般而言，導電電子的移動率較電洞為高。 移動率(mobility). E. E. F av. *. *. http://ezphysics.nchu.edu.tw 國立交通大學機構典藏- 交通大學
導體內產生電子-電洞對(exciton)，電子和電洞因半導體p-n 接面形成的 ... 電洞及電子分別有高載子遷移率(mobility)的兩種材料，來提高電荷傳遞. 的速率。在當作 ... https://ir.nctu.edu.tw 移動電流與擴散電流
比例常數µ：移動率(mobility)，單位：cm2/V·s. 不同種類的載體及濃度，在不同的材料中，在不同的溫度，移動率都不相. 同。一般而言，導電電子的移動率較電洞為 ... http://ezphysics.nchu.edu.tw 第1 章半導體材料與特性講義與作業Example 1.1：
電場方向與對電子產生之力量同向. 4. 漂移電流密度(A/cm. 2. ) 其中，. 電洞遷移率μp =480 (cm2/V-s) --低摻雜矽. ✧ 總漂移電流密度：不管n 或p 型半導體都同時有 ... http://eportfolio.lib.ksu.edu. 電子學與半導體
Ip＝電洞移動造成的電流. A＝矽晶棒的截面積 q＝電子電荷量值 p＝電洞濃度 μp ＝電洞遷移率. E＝電場. 1.9.1.漂移電流. ▫ 步驟3:將(1.32) 式中的. 值(m p. E)代入. http://aries.dyu.edu.tw 電子移動率- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
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