遷移率單位

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遷移率單位

是電流密度,σ是以C/m3為單位的電荷密度,vavg是載體的平均速度(即漂移速度);; v a v g ... μ是以m2/(V·s)為單位的電子遷移率,而E是以V/m為單位的電場強度。 ,其中u是漂移速度,μ是材料的电子迁移率(单位为m 2 /(V⋅s)),E为电场(单位V / m)。 漂移速度实验测量. 编辑. 用于评估恒定横截面积材料中载流子漂移速度 ... ,漂移速度以及產生的電流,是通過遷移率(mobility)來表述的。更詳細的內容,請參見 ... 由載流子(如電洞和自由電子)產生的漂移電流密度是通過單位截面積的電流。 ,由此可定义出散射事件频率的物理量,称作电子迁移率μe。 中文名: 电子迁移率; 外文名: Electron mobility. 含 义: 单位外电场下电子的定向漂移速度; 影响因素: 晶格 ... ,比例常數µ:移動率(mobility),單位:cm2/V·s. 不同種類的載體及濃度,在不同的材料中,在不同的溫度,移動率都不相. 同。一般而言,導電電子的移動率較電洞為 ... ,在半导体中,另一个类似的物理量称为空穴迁移率(hole mobility)。 ... 为载流子的漂移迁移率,简称迁移率,表示单位电场下载流子的平均漂移速度,单位是m 2V ... ,2020年11月27日 — c㎡/v·s,载流子迁移2113率在5261固体物理学中用于指代4102半导体内部1653电子和空穴整体回的运动快慢。 电子运动速度等答于迁移率乘以 ... , ,遷移率(mobility)是指單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度。它的單位是厘米²/(伏·秒)即cm²/V s。中文名稱. ,在半導體中,另一個類似的物理量稱為電洞遷移率(hole mobility)。人們常用載子遷移率(carrier mobility)來指代半導體內部電子和電洞整體的運動快慢。

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遷移率單位 相關參考資料
漂移速度- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia

是電流密度,σ是以C/m3為單位的電荷密度,vavg是載體的平均速度(即漂移速度);; v a v g ... μ是以m2/(V·s)為單位的電子遷移率,而E是以V/m為單位的電場強度。

https://zh.wikipedia.org

漂移速度_百度百科

其中u是漂移速度,μ是材料的电子迁移率(单位为m 2 /(V⋅s)),E为电场(单位V / m)。 漂移速度实验测量. 编辑. 用于评估恒定横截面积材料中载流子漂移速度 ...

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漂移電流- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia

漂移速度以及產生的電流,是通過遷移率(mobility)來表述的。更詳細的內容,請參見 ... 由載流子(如電洞和自由電子)產生的漂移電流密度是通過單位截面積的電流。

https://zh.wikipedia.org

电子迁移率_百度百科

由此可定义出散射事件频率的物理量,称作电子迁移率μe。 中文名: 电子迁移率; 外文名: Electron mobility. 含 义: 单位外电场下电子的定向漂移速度; 影响因素: 晶格 ...

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移動電流與擴散電流

比例常數µ:移動率(mobility),單位:cm2/V·s. 不同種類的載體及濃度,在不同的材料中,在不同的溫度,移動率都不相. 同。一般而言,導電電子的移動率較電洞為 ...

http://ezphysics.nchu.edu.tw

载流子迁移率_百度百科

在半导体中,另一个类似的物理量称为空穴迁移率(hole mobility)。 ... 为载流子的漂移迁移率,简称迁移率,表示单位电场下载流子的平均漂移速度,单位是m 2V ...

https://baike.baidu.com

载流子迁移率的单位是什么_百度知道

2020年11月27日 — c㎡/v·s,载流子迁移2113率在5261固体物理学中用于指代4102半导体内部1653电子和空穴整体回的运动快慢。 电子运动速度等答于迁移率乘以 ...

https://zhidao.baidu.com

迁移率_百度百科

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遷移率:遷移率(mobility)是指單位電場強度下所產生的載流子 ...

遷移率(mobility)是指單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度。它的單位是厘米²/(伏·秒)即cm²/V s。中文名稱.

https://www.itsfun.com.tw

電子移動率- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia

在半導體中,另一個類似的物理量稱為電洞遷移率(hole mobility)。人們常用載子遷移率(carrier mobility)來指代半導體內部電子和電洞整體的運動快慢。

https://zh.wikipedia.org