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http://www.premtek.com.tw

半導體製程技術 - 聯合大學

氮化矽. 矽. 襯墊氧化層. 氮化矽. 矽. USG. 阻擋氧化層. 槽溝蝕刻. 槽溝填充. USG CMP; USG 退火; 氮化矽和襯墊氧化層剝除. STI製程中的襯墊氧化層和阻擋氧化層 ...

http://web.nuu.edu.tw

何謂STI effect? - Layout設計討論區- Chip123 科技應用創新 ...

最近聽到有人談到STI effect請問板上的先進們~~那是什麼意思呢? ... 在同一半導體基板上製做複數個元件時,元件之間不應造成相互的影響(=寄生 ...

http://chip123.com

Process Integration

矽蝕刻及淺溝槽的氧化被研究來減少氧化物. 侵入. ▫ STI製程和CVD氧化物溝槽之填充被接著發展. 出來. 6. STI: 襯墊氧化及LPCVD 氮化矽. P型磊晶層. P型晶圓.

http://homepage.ntu.edu.tw

半導體製程技術之簡介簡介

半導體製程技術之簡介. 簡介 ... 第一個半導體電晶體, AT&T Bell Labs (. 貝爾實驗 ... Shallow trench isolation (STI). Vss. Vdd. NMOS. PMOS. Vin. Vout. STI. (a). (b). (c)

http://homepage.ntu.edu.tw

國立交通大學機構典藏:高壓半導體元件淺溝槽隔離製程之差排 ...

Shallow Trench Isolation (STI) techniques are essential for semiconductor device for reducing electrical interferences between devices of sub-micro and sub ...

https://ir.nctu.edu.tw

第一章導論 - 國立交通大學機構典藏

高壓半導體元件淺溝槽隔離製程之差排改善及良率提昇研究. Dislocation Improvement ... Shallow Trench Isolation (STI) techniques are essential for semiconductor ...

https://ir.nctu.edu.tw

何謂STI? @ WU MIN SHIN :: 痞客邦::

STI = Shallow Trench Isolation 顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離,那是隔離 ... 延伸:LOCOS與STI的不同? ... 更多WU MIN SHIN 的半導體 推薦文章.

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