Divot 半導體
对于现有的半导体制程技术,浅沟隔离槽(Shallow Trench Isolation, 简称STI)是主流 ... 本身材料性质以及工艺上的一些原因，在制造过程中会引起边缘凹陷（Divot)效应。 ,Method of reducing sti divot formation during semi ... 習知的STI製造技術包括於半導體基板之上表面上形成襯墊氧化物（pad oxide);在該襯墊氧化物上形成例如氮化矽 ... ,divot半導體,CN103227143B - 浅沟槽隔离工艺- Google Patents,本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种浅沟槽隔离工艺，通过分步对硅衬底和氮化硅层进行刻蚀工艺， ... ,step height半導體,1191 Wet Chemical Etching Behavior Investigation for CMOS ...,2016年5月31日— Shallow trench isolation (STI) divot shape control is always ... ,隔离(STI)而不具有或具有基本减少凹陷区(divot)形成之高集成电路半导体装置。 ... 习知的STI制造技术包括于半导体衬底的上表面上形成衬垫氧化物(pad oxide)； . ,边缘凹坑(Divot)是浅沟道隔离在后面工艺的湿法刻蚀中，上边角的氧化硅局部受到刻蚀而形成的凹坑。传统的工艺方法在进行半导体制造中，如果需要进行浅沟道隔离，其基本 ... ,... 沟隔离(STI)而不具有或具有基本减少凹陷区(divot)形成之高集成电路半导体装置。 ... 参照图1，衬垫氧化物11形成于半导体衬底10的上表面，而氮化硅抛光终止层12形成 ... ,由 嚴永民 著作 · 2011 — 在去除氮化矽與墊氧化矽，及其. 它濕式處理程序時，可能由於局部應力的集中之故，容易過度蝕刻接近. 隔離邊緣的充填氧化層而形成一凹陷區，一般稱為Divot。當閘極跨過隔. ,2019年5月7日 — 本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种浅沟槽 ... 这种“divot”现象导致晶体管栅极在跨越sti与有源区域时，组成栅极的多晶硅会填入stisio2 ...
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2019年5月7日 — 本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种浅沟槽 ... 这种“divot”现象导致晶体管栅极在跨越sti与有源区域时，组成栅极的多晶硅会填入stisio2 ... http://www.xjishu.com |