曝光機波長

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曝光機波長

根據Rayleigh's 法則,光學系統(例如曝光機)的解析度R的公式是:R= 0.6*(λ/NA) , NA= numerical aperture也就是說, 波長λ愈長, 則能解析的尺吋R愈大(解析力愈差). , 最樸素的多重曝光技術就是,做一次、再做一次,可以稱作LELE(Litho-Etch-Litho_Etch),如下圖。 20180426NT01P2. 最上層是已經過一次Patterning ...,3. 曝光(exposure)用光罩對準儀(mask aligner)或步進照像機(stepper)。 前者一次曝光一整片晶圓(wafer),後者以步進重覆方式,一次曝光數個晶. 片 ... , 64、如何提高曝光機的解析度呢? 答:減短曝光的光波長, 選擇新的光源; 把透鏡做大,提高NA. 65、為什么光刻區 ...

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半導體製程中,曝光光源的波長和解析度有何關係? | Yahoo奇摩知識+

根據Rayleigh's 法則,光學系統(例如曝光機)的解析度R的公式是:R= 0.6*(λ/NA) , NA= numerical aperture也就是說, 波長λ愈長, 則能解析的尺吋R愈大(解析力愈差).

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193nm波長光刻機如何刻出28nm線寬晶片? - EDN Taiwan

最樸素的多重曝光技術就是,做一次、再做一次,可以稱作LELE(Litho-Etch-Litho_Etch),如下圖。 20180426NT01P2. 最上層是已經過一次Patterning ...

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微影照像

3. 曝光(exposure)用光罩對準儀(mask aligner)或步進照像機(stepper)。 前者一次曝光一整片晶圓(wafer),後者以步進重覆方式,一次曝光數個晶. 片 ...

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關於黃光及其100個疑問,這篇文章已全面解答- 每日頭條

64、如何提高曝光機的解析度呢? 答:減短曝光的光波長, 選擇新的光源; 把透鏡做大,提高NA. 65、為什么光刻區 ...

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