暫態加速擴散
結晶過程來活化載子並避開暫態加速擴散效. 應。但其結果顯示仍須加上一快速熱退火製. 程來修復閘極氧化層的缺陷[ 9 ]。 昇源汲式結構不但可降低短接面所產生. ,輻射線的防止與防護：在離子源及離子加速區，若有電子進入（一般機臺都設計有防止電子進入加速區的 ... 快速暫態擴散（Transient Enhanced Diffusion） 7-10. ,3.5 二極體的暫態響應. 3.6 特殊二極體 ... 然後加熱，n型雜質即擴散入基板表面，形成pn接面。 半導體物理與 ... 的電洞會向n型半導體中擴散，在n型半導體中的電子會向p型半導體中擴散。 由於帶電載體的 ... 加速到足夠高的動. 能。故VZ增加。 ,以碳離子植入於矽中來抑制硼離子暫態加速擴散. Front Cover. 張榮峰. 長庚大學, 2004. 0 Reviews. What people are saying - Write a review. We haven't found any ... ,佈值源極時的N+直接打在閘極邊緣，以致於電晶體內部的暫態加速. 擴散(TED)拉高臨界電壓；而在移除了此效應之後，果然得到對稱元. 件與不對稱元件一致的臨界 ... ,離子佈植技術所產生矽晶格的破壞，在而後的回火所引起的暫態加速擴散（Transient Enhanced Diffusion，TED）對元件特性影響很大。 硼離子（原子量11）佈植 ... ,1-2-4暫態加速擴散……………………………………………9 1-3離子植入技術的瓶頸………………………………………11 1-3-1低能量硼離子電流萃取的 ... ,離子佈植技術所產生矽晶格的破壞，在而後的回火所引起的暫態加速擴散（Transient Enhanced Diffusion，TED）對元件特性影響很大。硼離子（原子量11）佈植 ...
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 暫態加速擴散 相關參考資料
50nm 以下之元件開發
結晶過程來活化載子並避開暫態加速擴散效. 應。但其結果顯示仍須加上一快速熱退火製. 程來修復閘極氧化層的缺陷[ 9 ]。 昇源汲式結構不但可降低短接面所產生. http://www.me.ncue.edu.tw ch7离子植入_百度文库
輻射線的防止與防護：在離子源及離子加速區，若有電子進入（一般機臺都設計有防止電子進入加速區的 ... 快速暫態擴散（Transient Enhanced Diffusion） 7-10. https://wenku.baidu.com 三、二極體原理及電路模型
3.5 二極體的暫態響應. 3.6 特殊二極體 ... 然後加熱，n型雜質即擴散入基板表面，形成pn接面。 半導體物理與 ... 的電洞會向n型半導體中擴散，在n型半導體中的電子會向p型半導體中擴散。 由於帶電載體的 ... 加速到足夠高的動. 能。故VZ增加。 http://140.120.11.1 以碳離子植入於矽中來抑制硼離子暫態加速擴散- 張榮峰 ...
以碳離子植入於矽中來抑制硼離子暫態加速擴散. Front Cover. 張榮峰. 長庚大學, 2004. 0 Reviews. What people are saying - Write a review. We haven't found any ... https://books.google.com 佈局參數對高壓金氧半場效電晶體電性影響之研究
佈值源極時的N+直接打在閘極邊緣，以致於電晶體內部的暫態加速. 擴散(TED)拉高臨界電壓；而在移除了此效應之後，果然得到對稱元. 件與不對稱元件一致的臨界 ... https://ir.nctu.edu.tw 博碩士論文行動網 - 全國博碩士論文資訊網
離子佈植技術所產生矽晶格的破壞，在而後的回火所引起的暫態加速擴散（Transient Enhanced Diffusion，TED）對元件特性影響很大。 硼離子（原子量11）佈植 ... https://ndltd.ncl.edu.tw 成功大學電子學位論文服務
1-2-4暫態加速擴散……………………………………………9 1-3離子植入技術的瓶頸………………………………………11 1-3-1低能量硼離子電流萃取的 ... http://etds.lib.ncku.edu.tw 離子佈植損傷對摻雜擴散之影響__臺灣博碩士論文知識加值系統
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