暫態加速擴散
離子佈植技術所產生矽晶格的破壞,在而後的回火所引起的暫態加速擴散(Transient Enhanced Diffusion,TED)對元件特性影響很大。 硼離子(原子量11)佈植 ... ,輻射線的防止與防護:在離子源及離子加速區,若有電子進入(一般機臺都設計有防止電子進入加速區的 ... 快速暫態擴散(Transient Enhanced Diffusion) 7-10. ,1-2-4暫態加速擴散……………………………………………9 1-3離子植入技術的瓶頸………………………………………11 1-3-1低能量硼離子電流萃取的 ... ,3.5 二極體的暫態響應. 3.6 特殊二極體 ... 然後加熱,n型雜質即擴散入基板表面,形成pn接面。 半導體物理與 ... 的電洞會向n型半導體中擴散,在n型半導體中的電子會向p型半導體中擴散。 由於帶電載體的 ... 加速到足夠高的動. 能。故VZ增加。 ,佈值源極時的N+直接打在閘極邊緣,以致於電晶體內部的暫態加速. 擴散(TED)拉高臨界電壓;而在移除了此效應之後,果然得到對稱元. 件與不對稱元件一致的臨界 ... ,以碳離子植入於矽中來抑制硼離子暫態加速擴散. Front Cover. 張榮峰. 長庚大學, 2004. 0 Reviews. What people are saying - Write a review. We haven't found any ... ,離子佈植技術所產生矽晶格的破壞,在而後的回火所引起的暫態加速擴散(Transient Enhanced Diffusion,TED)對元件特性影響很大。硼離子(原子量11)佈植 ... ,結晶過程來活化載子並避開暫態加速擴散效. 應。但其結果顯示仍須加上一快速熱退火製. 程來修復閘極氧化層的缺陷[ 9 ]。 昇源汲式結構不但可降低短接面所產生.
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1-2-4暫態加速擴散……………………………………………9 1-3離子植入技術的瓶頸………………………………………11 1-3-1低能量硼離子電流萃取的 ... http://etds.lib.ncku.edu.tw 三、二極體原理及電路模型
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結晶過程來活化載子並避開暫態加速擴散效. 應。但其結果顯示仍須加上一快速熱退火製. 程來修復閘極氧化層的缺陷[ 9 ]。 昇源汲式結構不但可降低短接面所產生. http://www.me.ncue.edu.tw |