超淺接面
長超薄閘極介電層以增加閘極電容與使用超. 淺源汲極接面來降低短通道效應或者是控制. 基板離子佈植濃度以降低短通道 ... 來降低接面深度。目前在淺接面離子佈植方. 面，將離子能量降低雖然能有效減低接面深. 度，但仍無法克服暫態加速擴散效應。目前. 發展的雷射退火，電漿離子植入等主要目的. 均是以降低退火溫度與時間，並 ... ,11. 離子佈植與擴散的比較. PR. SiO. 2. Si. Si. 離子佈植. 擴散. 掺雜區. 接面深度 ..... 111. 超淺型接面(USJ). • USJ (x j. ≤ 0.05 μm) for sub-0.1 μm 元件. –P型接面，硼離子能量要低至0.2 keV. • USJ 的條件. –淺度. –低薄片電阻. –低接觸電阻. –對閘極通道分佈輪廓衝擊最小. –與多晶矽閘極的相容性 ... ,在本論文，將利用低能量氟離子預先佈植技術，在不同活化環境下形成p+/n超淺接面。其中以能量為2keV、劑量5E15cm-2之氟離子預先佈植者，可得到接面深度約52nm的淺接面，且其接面深度隨著氟離子佈植劑量的增加而變淺。而在雜質的活化方式中，則包含了傳統的升溫至950~1050停留10sec的快速熱回火及特別的：極 ... ,超淺接面的形成--先進離子佈植退火製程=Formation of Ultra-Shallow Junction--Advanced Ion Implantation Annealing Process. 呂侑倫 ; 趙天生 ; 薛富國 ; 李耀仁 · 奈米通訊; 16:1 2009.03[民98.03]; 頁25-30. null, 中文. null, 超淺接面 ; 快速高溫退火 ; 雷射退火 ; 微波退火 ; Ultra-shallow junction ; Spike annealing,本論文主要討論以不同製程製備超淺接面之特性，及以鈦鈷（Ti/Co）堆疊結構形成矽化鈷（CoSi2）的材料特性。以一種同時具有離子佈植（ion implantation）及擴散（diffusion）優點的固態擴散方式製作超淺接面，p+n接面二極體的反向偏壓漏電流密度小於0.2nA/cm2。 除此之外，實驗中將另以非晶化佈植方式及低能量離子佈植技術製作淺 ... ,新趨勢與超淺接面的製作. New Trends in Ultra-shallow Junction. Formation and Low Energy Ion Implantation. 張文亮. 亞舍立科技股份有限公司. 摘要. 隨著半導體元件（Semiconductor Devices）不斷縮小，離子植入（Ion Implantation）製程必須降低植入能量（Implant. Energy）和提高摻雜（Dopant）劑量（Dose），才能讓先進金屬氧化 ... , 此論文探討低能量離子佈植與微波退火應用在超淺接面製程上。兩階段的微波退火應用於矽晶圓佈植硼離子時的恢復與活化。在第一階段退火，2.4千瓦的高功率微波退火用於非晶層的重新成長成結晶矽層，且增強微波退火能量的吸收。重新成長結晶矽層後，第二階段，使用0.6千瓦的低功率微波退火來活化佈值的硼。,摘要最近幾年暫態加強式擴散（TED）經常在很多人的論文中被討論到。在本篇論文裡，我們將焦點放在超低能量離子佈值和低溫回火所形成的淺接面有怎樣的TED擴散行為。通常都是利用低能量的離子佈值製程來完成淺接面，另外由於利用低能量的離子佈值可以減低TED的擴散能力。但是在本次一連串的低能量離子佈值和低溫回火的 ... , 為了改善短通道效應的現象，超淺型接面(ultra-shallow junction, USJ)之低能量佈植技術將變得相當重要。 本論文以離子植入機作為實驗設備，植入氣體為硼離子，佈植於n 型的(001)矽基材上，離子植入劑量為6.00×1015 ions/cm2，植入後使用回火溫度為950℃持溫10 秒；使用三種離子植入機台的製程條件控制模式， ...,本論文中，我們提出一種應用在奈米MOS元件形成超淺接面的方法。隨著元件的微小化，短通道效應日趨嚴重。 超淺接面的形成則可以減輕穿遂效應及短通道效應。本文提出一種可以利用既有的離子佈植和快速退火技術，無須低能量離子佈植機台以形成超淺接面的方式。Diffusion from implanted amorphous silicon (DIA) 是以離子植入 ...
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50nm 以下之元件開發
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11. 離子佈植與擴散的比較. PR. SiO. 2. Si. Si. 離子佈植. 擴散. 掺雜區. 接面深度 ..... 111. 超淺型接面(USJ). • USJ (x j. ≤ 0.05 μm) for sub-0.1 μm 元件. –P型接面，硼離子能量要低至0.2 keV. • USJ 的條件. –淺度. –低薄片電阻. –低接觸電阻. –對閘極通道分佈輪廓衝擊最小. –與多晶矽閘極的... http://www.isu.edu.tw 利用低能量離子佈植技術以形成p+n超淺接面之研究__臺灣博碩士論文 ...
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