Kirk 效應 MOS
2016年2月4日 — 我們知道MOS的擊穿電壓是在Drain加高電壓，其他三端接地，直到擊穿(@1uA)為止， ... 正是由於DDDMOS有kirk-effect的致命問題，所以它的應用非常窄，理論上限制 ... 但是它是在normal switch下並且考慮了self-heat效應的。 ,Different from the conventional low-voltage n-type MOS transistors V ... BJT的非理想效應： Base width modulation High level injection Kirk effect current. ,Diffused Drain MOSFET 或簡稱DDDMOS)與側邊雙擴散金氧半場效電晶. 體(Lateral ... 極功率電晶體中，微分負電阻的效應也有可能是源自於電晶體內部的Kirk. ,... Doping Concentration on Characteristic and Reliability of High Voltage MOS ... 效電晶體(MOSFET)元件之特性，包含了其基板電流的差異以及克爾克效應(Kirk ... ,2009年11月12日 — 對於長通道之元件，此非預期中之結果可以由消除克爾克效應(Kirk effect) ... transistors and drain-extended MOS (DEMOS) transistors) fabricated ... ,（kirk 效应） ： 在大电流密度下通过集电结势垒区的电子密度会相应增大， 有效 ... MOS 体效应对阈值电压的影响：对NMOS 晶体管，一般存在负偏压， VBS <0。 ,英文摘要, In this thesis, we discussed hot-carrier effects in n-MOSFET and ... 經過實驗發現，在低壓元件所沒有的克爾克效應(Kirk Effect)會在此種LDMOS電晶體 ... ,爾利效應（英語：Early effect），又譯厄爾利效應或譯歐萊效應，也稱基區寬度調 ... 由於MOSFET也有類似的雙極性，MOSFET中也會使用「爾利效應」這一術語 ... ,... Doping Concentration on Characteristic and Reliability of High Voltage MOS ... 效電晶體(MOSFET)元件之特性，包含了其基板電流的差異以及克爾克效應(Kirk ... ,關鍵字：靜電放電、閂鎖效應、觸發電壓、保持電壓、. 臨界電壓、 ... [1][3]，其結構可用以預防Kirk effect 的產生並且 ... nLDMOS 的導通工作原理與一般MOSFET.
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 Kirk 效應 MOS 相關參考資料
HV的結構與原理–DDDMOS or LDMOS? - 每日頭條
2016年2月4日 — 我們知道MOS的擊穿電壓是在Drain加高電壓，其他三端接地，直到擊穿(@1uA)為止， ... 正是由於DDDMOS有kirk-effect的致命問題，所以它的應用非常窄，理論上限制 ... 但是它是在normal switch下並且考慮了self-heat效應的。 https://kknews.cc kirk effect mos - FHQKH
Different from the conventional low-voltage n-type MOS transistors V ... BJT的非理想效應： Base width modulation High level injection Kirk effect current. http://www.ovtpy.co 佈局參數對高壓金氧半場效電晶體電性影響之研究
Diffused Drain MOSFET 或簡稱DDDMOS)與側邊雙擴散金氧半場效電晶. 體(Lateral ... 極功率電晶體中，微分負電阻的效應也有可能是源自於電晶體內部的Kirk. https://ir.nctu.edu.tw 博碩士論文行動網
... Doping Concentration on Characteristic and Reliability of High Voltage MOS ... 效電晶體(MOSFET)元件之特性，包含了其基板電流的差異以及克爾克效應(Kirk ... https://ndltd.ncl.edu.tw 國立成功大學機構典藏
2009年11月12日 — 對於長通道之元件，此非預期中之結果可以由消除克爾克效應(Kirk effect) ... transistors and drain-extended MOS (DEMOS) transistors) fabricated ... http://ir.lib.ncku.edu.tw 复试名词解释_百度文库
（kirk 效应） ： 在大电流密度下通过集电结势垒区的电子密度会相应增大， 有效 ... MOS 体效应对阈值电压的影响：对NMOS 晶体管，一般存在负偏压， VBS <0。 https://wenku.baidu.com 成功大學電子學位論文服務
英文摘要, In this thesis, we discussed hot-carrier effects in n-MOSFET and ... 經過實驗發現，在低壓元件所沒有的克爾克效應(Kirk Effect)會在此種LDMOS電晶體 ... http://140.116.207.88 爾利效應- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
爾利效應（英語：Early effect），又譯厄爾利效應或譯歐萊效應，也稱基區寬度調 ... 由於MOSFET也有類似的雙極性，MOSFET中也會使用「爾利效應」這一術語 ... https://zh.wikipedia.org 輕摻雜區濃度對於高電壓金氧半電晶體特性與可靠度影響
... Doping Concentration on Characteristic and Reliability of High Voltage MOS ... 效電晶體(MOSFET)元件之特性，包含了其基板電流的差異以及克爾克效應(Kirk ... http://etds.lib.ncku.edu.tw 電源nLDMOS 元件源汲極工程探討研究A Study of Source ...
關鍵字：靜電放電、閂鎖效應、觸發電壓、保持電壓、. 臨界電壓、 ... [1][3]，其結構可用以預防Kirk effect 的產生並且 ... nLDMOS 的導通工作原理與一般MOSFET. http://ir.lib.ksu.edu.tw |