射頻電漿
論文摘要本論文分析與研製應用於低壓製程之射頻電漿電源，電路採用三級架構：第一級為昇壓型功率因數校正器；第二級為非對稱半橋直流/直流轉換器；第三級為E類射頻換流器。 ,特性 · 低溫-工作溫度在40°-70°，相較於一般射頻，電刀與雷射，能大幅度減少熱傷害。 · 消融效率高，為電漿射頻手術獨有的優勢。 · 凝血效果好，通過射頻凝固止血。 · 部份 ... ,2024年3月29日 — 電漿(Plasma)，又被稱為離子化氣體，為固態、液態和氣態之外的第四大物質狀態，通常在熱和電場的條件下生成。電漿產生的方法包含：「射頻放電 ... ,探. 討的製程參數包括電感式電漿源功率、偏壓射頻功. 率、工作氣體(混合比或流量)、系統壓力等，這些都. 是影響蝕刻結果的重要變因。圖二十一和圖二十二是. 根據過去電感式 ... ,2016年3月11日 — 因為直流電漿無法濺射介電材料(介電質)，此時可在介電質靶背加一金屬電極且改用射頻交流電，由於電子的速度比正離子的速度大，在射頻的正半週期已飛向 ... ,晶圓上射頻熱電極. –晶圓上(射頻熱電極): 200 to 1000 eV. –蓋子上(接地電極): 10 to 20 eV. 51. (. ) Page 52. Plasma Etch Chambers. ,RF電漿之特色為其游離效率較直流電漿為高。 •. 維持住RF電漿之氣體壓力較直流電漿為低。 •. 在RF電漿中，轟擊試片之離子能量受制於可操控之負偏壓；然而置於直流電漿中. ,伏特. 直流偏壓. 射頻電位. 電漿電位. 18. CVD反應室電漿的直流偏壓. Vp = 10 − 20 V. 射頻熱電極. 接地電壓. 暗區或鞘層區域. Page 10. 19. 非對稱電極系統的電漿電位. ,▫ 需要外界的能量- 射頻（RF）電漿源是半導. 體製程中最普遍的電漿源. ▫ 欲產生射頻電漿需要真空系統. Page 3. 3. 5. 平行板電漿系統. 電漿. 射頻功率. 暗區. 或. 鞘層.
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特性 · 低溫-工作溫度在40°-70°，相較於一般射頻，電刀與雷射，能大幅度減少熱傷害。 · 消融效率高，為電漿射頻手術獨有的優勢。 · 凝血效果好，通過射頻凝固止血。 · 部份 ... https://www.kromax.com 電漿表面處理技術- 改質原理、應用領域大解密！
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晶圓上射頻熱電極. –晶圓上(射頻熱電極): 200 to 1000 eV. –蓋子上(接地電極): 10 to 20 eV. 51. (. ) Page 52. Plasma Etch Chambers. http://140.117.153.69 電漿製程技術
RF電漿之特色為其游離效率較直流電漿為高。 •. 維持住RF電漿之氣體壓力較直流電漿為低。 •. 在RF電漿中，轟擊試片之離子能量受制於可操控之負偏壓；然而置於直流電漿中. https://www.mse.nchu.edu.tw 第五章電漿基礎原理
伏特. 直流偏壓. 射頻電位. 電漿電位. 18. CVD反應室電漿的直流偏壓. Vp = 10 − 20 V. 射頻熱電極. 接地電壓. 暗區或鞘層區域. Page 10. 19. 非對稱電極系統的電漿電位. http://homepage.ntu.edu.tw Ch7 Plasma
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