ccp電漿
由 CC Yang 著作 · 2010 — 1.3.4 電容耦合電漿(Capacitively Coupled Plasma, CCP) . 16. 1.3.5 介電質放電電漿(Dielectric-Barrier Discharge, DBD). ,由 吳宗信 著作 · 2006 — 簡而言之,和其它的電漿源相比較之下,它的普及性來自它的結構的簡單性。因此,對電感式耦合電漿(CCP) 有基礎的認識在發展製程設備上是很重要的。 ,由 廖木生 著作 · 2004 · 被引用 1 次 — 電漿技術在半導體製程中廣泛被應用,例如乾蝕刻、薄膜沈積、. 去光阻等等都與電漿技術相關。 ... Plasma,CCP)陸續被發表出來,1980 年代晚期至1990 年代初期,. ,感應耦合電漿(英語:Inductively Coupled Plasma,縮寫:ICP)是一種通過隨時間變化的磁場電磁感應產生電流作為能量來源的電漿體源。 ,本研究主要探討石英玻璃之蝕刻特性,使用感應耦合電漿離子蝕刻(inductively coupled plasma-reactive ion ... 電漿源(capacitively coupled plasma, CCP) 等系統(11). ,電容耦合式電漿源. Capacitively Coupled Plasma Source, CCP .駐波效應 standing wave effect .趨膚效應 skin effect .邊緣效應 edge effect. 摘要(Abstract). ,在電漿材料處理中,電漿是用電容耦合法(CCP)或電感耦合法(ICP)或兩者的組合產生的。在我們的例子中,我們假設在模擬中預加載了電漿。 ,模擬低溫非平衡放電的軟體專用於低溫電漿的源和系統的模擬介面電漿模組專門用於模擬低溫 ... l 電漿化學. l 容性耦合電漿(CCP). l 電漿顯示面板. l 電漿過程. l 電漿源. ,由 李安平 著作 — 電感偶合式電漿(Inductively-Coupled Plasma,. ICP) 為一結構簡單而應用廣泛之電漿源。ICP 之電漿. 產生與維持,為利用電磁感應產生之電場,加熱電漿. 電子,以應游離反應 ...
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由 CC Yang 著作 · 2010 — 1.3.4 電容耦合電漿(Capacitively Coupled Plasma, CCP) . 16. 1.3.5 介電質放電電漿(Dielectric-Barrier Discharge, DBD). https://etd.lis.nsysu.edu.tw 低氣壓射頻電容式耦合電漿源之模擬及實驗研究
由 吳宗信 著作 · 2006 — 簡而言之,和其它的電漿源相比較之下,它的普及性來自它的結構的簡單性。因此,對電感式耦合電漿(CCP) 有基礎的認識在發展製程設備上是很重要的。 https://ir.nctu.edu.tw 國立交通大學機械工程研究所碩士論文
由 廖木生 著作 · 2004 · 被引用 1 次 — 電漿技術在半導體製程中廣泛被應用,例如乾蝕刻、薄膜沈積、. 去光阻等等都與電漿技術相關。 ... Plasma,CCP)陸續被發表出來,1980 年代晚期至1990 年代初期,. https://ir.nctu.edu.tw 感應耦合電漿- 維基百科,自由的百科全書
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