well implant
出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子工程, retrograde well implant, 逆行井植入. 以逆行井植入 進行詞彙精確檢索結果. 出處/學術領域, 中文詞彙, 英文 ... ,In a triple-well technology, the addition of a high energy implant allows the creation of a separate tub which is junction isolated from the substrate. We study the ... ,This well proximity effect (WPE) is caused by the well implant atoms that scatter laterally from the photoresist mask. From first principles of this scattering effect ... ,retrograde well, buried layer. → MOS電性調整 well. Field oxide substrate gate. Channel stop ... (3) TEOS deposition → PLCVD, P-well implant mask. (4) CMP ... ,well implant中文阱區離子注入…，點擊查查權威綫上辭典詳細解釋well implant的中文翻譯，well implant的發音，音標，用法和例句等。 ,0.6μm的CMOS製程下，ESD-Implant Process的NMOS元件. 最小通道長度L ... 利用N-well結構把這中間的N+ diffusion連接到MOS通道的. 汲極N+diffusion去。 ,2008年9月28日 — 圖一是N-Well的製作過程，Well PR是指Well Photo Resistant，是用來阻擋Well Implant，也就是不是形成N-Well的地方就有Well PR，來把N-Well ... ,中文 逆行井植入. 英文 retrograde well implant. 學術領域 電子工程. 逆行井植入用英文怎麼說？ retrograde well implant. 【逆行井植入】相關詞彙中英文 ...
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retrograde well implant - 逆行井植入 - 國家教育研究院雙語詞彙
出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 電子工程, retrograde well implant, 逆行井植入. 以逆行井植入 進行詞彙精確檢索結果. 出處/學術領域, 中文詞彙, 英文 ... http://terms.naer.edu.tw The effect of triple well implant dose on performance of NMOS ...
In a triple-well technology, the addition of a high energy implant allows the creation of a separate tub which is junction isolated from the substrate. We study the ... https://ieeexplore.ieee.org 抑制WPE 之佈植製程改良 - Cypress Semiconductor
This well proximity effect (WPE) is caused by the well implant atoms that scatter laterally from the photoresist mask. From first principles of this scattering effect ... http://www.cypress.com IC 製程簡介
retrograde well, buried layer. → MOS電性調整 well. Field oxide substrate gate. Channel stop ... (3) TEOS deposition → PLCVD, P-well implant mask. (4) CMP ... http://www.topchina.com.tw well implant中文翻譯,well implant是什麼意思:阱區離子注入…
well implant中文阱區離子注入…，點擊查查權威綫上辭典詳細解釋well implant的中文翻譯，well implant的發音，音標，用法和例句等。 https://tw.ichacha.net 6.2.1 ESD-Implant Process(防靜電放電佈植製程)
0.6μm的CMOS製程下，ESD-Implant Process的NMOS元件. 最小通道長度L ... 利用N-well結構把這中間的N+ diffusion連接到MOS通道的. 汲極N+diffusion去。 http://www.ics.ee.nctu.edu.tw Well Proximity Effect - BuBuChen的旅遊記事本
2008年9月28日 — 圖一是N-Well的製作過程，Well PR是指Well Photo Resistant，是用來阻擋Well Implant，也就是不是形成N-Well的地方就有Well PR，來把N-Well ... http://www.bubuchen.com 逆行井植入英文，retrograde well implant中文，電子工程- 雙語 ...
中文 逆行井植入. 英文 retrograde well implant. 學術領域 電子工程. 逆行井植入用英文怎麼說？ retrograde well implant. 【逆行井植入】相關詞彙中英文 ... https://www.3du.tw |