wpe effect

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wpe effect

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wpe effect 相關參考資料
Impact of Well Edge Proximity Effect on Timing - Osaka ...

effect” (WPE). As advanced deep well implants with high- energy implanters are introduced to suppress parasitic bipolar gain for latch-up protection, WPE ...

http://www-ise2.ist.osaka-u.ac

Introduction to LOD Effect (上) - BuBuChen的旅遊記事本

在先進的CMOS製程裡,LOD (Length of Diffusion) Effect將會是影響類比電路的一個重要參數。 剛好最近讀了 ... 延伸閱讀2:Well Proximity Effect

http://www.bubuchen.com

Well Proximity Effect - BuBuChen的旅遊記事本

談完LOD Effect,就不得不再談談WPE。 在先進半導體製程中,除了LOD (Length of Diffusion) Effect外,另一個常被提到的問題就是Well Proximity ...

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Well Proximity Effect @ BuBuChen的旅遊記事本(2013-5之後 ...

談完LOD Effect,就不得不再談談WPE。在先進半導體製程中,除了LOD (Length of Diffusion) Effect外,另ㄧ個常被提到的問題就是Well Proximity ...

https://bubuchen.pixnet.net

WPE & LOD(应力效应)_WPE,LOD_zhangzker的博客-CSDN ...

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https://blog.csdn.net

抑制WPE 之佈植製程改良 - Cypress Semiconductor

This well proximity effect (WPE) is caused by the well implant atoms that scatter laterally from the photoresist mask. From first principles of this scattering effect ...

http://www.cypress.com

纳米级IC设计中制造工艺对电路性能的影响_图文_百度文库

本文重點介紹制程帶來的兩個重要效應:WPE、STI。 ... 種不均勻造成MOS管閾值電壓Vth、體效應參數gamma、 遷移率u等的改變,這就是WPE(Well Proximity Effect).

https://wenku.baidu.com

集成电路中的WPE 和LOD 效应| Return To Innocence

WPE, 也即Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中, 在对阱作离子注入时,注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在 ...

http://rt2innocence.net

集成電路中的WPE和LOD(STI)效應- 壹讀

WPE, 也即Well Proximity Effect, 其原理可以參見下圖: 集成電路製造過程中, 在對阱作離子注入時,注入的離子與阱區周圍的光刻膠發生濺射而富集 ...

https://read01.com