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被簡化的CMOS 在p- 型矽結合電路製造的處理順序如圖2.1。開始的過程以n-well 價帶的製造為pMOS 電晶體，由雜質滲入基體。然後，一種濃厚的氧化物增長在 ... ,N- well/ P- well Technology. CMOS can be obtained by integrating both NMOS and PMOS transistors over the same silicon wafer. In N–well technology an n-type ... , 直到1980年，人類發明了Well(阱)，註解: 因為NMOS要在P-Si裡面，而PMOS要在N-Si裡面，所以一個單一摻雜的矽片(wafer)上無法同時做NMOS ...,井: 承載MOS的區域. Multi-MOS. 井(well). • 場氧化層: MOS之間的isolation. 場氧化層. (field oxide). [2] 種類–. 1. NMOS : n-channel MOS. 2. PMOS : p-channel MOS. , 除了最常用的P基底植入N-well製程外，如圖a所示。還有其他種類的製程；例如：P-well製程，如圖b所示；雙well製程，如圖c所示；P基底三well ...,先進的CMOS IC晶片通常使用具P型磊晶層. 之p型<100> 單晶矽晶圓. ▫ 雙極體(bipolar) IC晶片通常使用<111> 晶圓. 4. P-Epi. P-Wafer. Boron Ions. P-Well. N-Well. ,引述《niceguy (niceguy)》之銘言： : 大家好!!! : 小弟有些關於layout時P-well與N-well的問題想跟大家請教一下: 雖然之前有問過了但還是希望能讓 ... ,p-well cmos process是指在n-type晶圓上製作p-well（p型井）以形成製作cmos的條件。 ,P-Epi. P-Wafer. N-Well. P-Well. PMD p+ p + n + n +. W. Metal 1. Contact. P-well. N-well. Polycide gate and local interconnection. N-channel active region.

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2.3 The CMOS n-Well Process (CMOS n-阱製程)

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CMOS Fabrication using N-well and P-well Technology

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