overlay量測
整合白光干涉量測技術，進行非破壞性的光學尺寸量測。 可進行待測物之關鍵尺寸(CD)、Overlay(OVL)及Thickness等量測需求; 垂直與水平軸向掃描範圍大，適合各種自動量測 ... ,2018年11月15日 — Overlay測量主要在位於晶片劃片區域的target上執行，因此，EUVL光罩的背面缺陷與telecentricity的耦合會導致target和元件pattern的最佳焦點不同，這將推動 ... ,2020年5月19日 — 晶圓廠使用疊對量測(overlay metrology)技術來測量和控制生產製程中的圖案/圖案對準。疊對誤差通常是在目標(整個曝光場中處於獨立位置的特殊圖案結構) ... ,層疊(Overlay) 是用以量測一個微影圖案置於晶圓時的精準度，而在晶圓上先前已有定義 ... 由於層疊錯誤會受到光罩或晶圓所影響，因此量測步驟針對晶圓上的曝光區域以及 ... ,標題: 半導體微影製程疊對量測模擬系統之研製. Research and Design of Semiconductor Lithography Overlay Metrology Simulation System. 作者: 蔡永坤 ,Overlay 既然代表著前層與當層的對準狀況，因此量測的結果就會受到前層與當層圖形的影響，前製程所沉積的薄膜會因為生成的特性，影響到量測mark 的圖形，而當層因為是光阻 ... ,由 詹孟勳 著作 · 2011 — 本論文另一評估項目是覆蓋誤差量測Mark評估，Overlay量測Mark在量測時選擇微影與蝕刻製程完Overlay量測上差異最小的Mark，為最適當的量測Mark，並變更Run貨Recipe， ... ,關鍵字：疊對量測(Overlay measurement)，TIS(Tool Induce Shift)，WIS(Wafer Induce. Shift)，參考量測系統(Reference Measurement System-RMS). ,由 吳國裕 著作 · 2007 — 由於層疊錯誤會受到光罩或晶圓所影響，因此量測步驟針對晶圓上的曝光區域不同位 ... Process Induced Shift, WIS），目前商品化之微影覆蓋量測機台（Overlay Metrology ...
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2020年5月19日 — 晶圓廠使用疊對量測(overlay metrology)技術來測量和控制生產製程中的圖案/圖案對準。疊對誤差通常是在目標(整個曝光場中處於獨立位置的特殊圖案結構) ... https://www.eettaiwan.com 光學微影的新限制
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標題: 半導體微影製程疊對量測模擬系統之研製. Research and Design of Semiconductor Lithography Overlay Metrology Simulation System. 作者: 蔡永坤 https://scholars.lib.ntu.edu.t 國立交通大學機構典藏：微影製程疊對量測改善
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由 詹孟勳 著作 · 2011 — 本論文另一評估項目是覆蓋誤差量測Mark評估，Overlay量測Mark在量測時選擇微影與蝕刻製程完Overlay量測上差異最小的Mark，為最適當的量測Mark，並變更Run貨Recipe， ... https://ir.nctu.edu.tw 疊對量測不確定度評估 - AOIEA
關鍵字：疊對量測(Overlay measurement)，TIS(Tool Induce Shift)，WIS(Wafer Induce. Shift)，參考量測系統(Reference Measurement System-RMS). https://aoiea.itri.org.tw 第一章緒論 - 國立交通大學機構典藏
由 吳國裕 著作 · 2007 — 由於層疊錯誤會受到光罩或晶圓所影響，因此量測步驟針對晶圓上的曝光區域不同位 ... Process Induced Shift, WIS），目前商品化之微影覆蓋量測機台（Overlay Metrology ... https://ir.nctu.edu.tw |