Ovl residual
2018年11月15日 — Overlay是IC製造中的關鍵參數之,其意義是當層與前層圖案(pattern)間對準的精準度(圖1)。 各層元件之間的電路連結,例如從電晶體到接觸點到導電連接,都 ... ,第二項分析了透鏡組(lens)所產生的失真(distortion),我們也可以經由疊對. (overlay)的量測來得到殘值(residual)的大小,此殘值指的是由於透鏡組的失真而導致. 線性(linear) ... ,After exposure, we measure the distance (or difference) from each OVL (KLA Company) marks on the ... A study of Overlay Budget Improvement by Alignment Mark. ,... 曝光程式之建立模式、堆疊對準(Overlay)量測機台量測程式之建立,分析黃光生產 ... 改善機台間之誤差的系統,以因應機台或過程(Process)所造成之殘量(Residual)。 ,由 詹孟勳 著作 · 2011 — 黃光微影製程控制的幾個要項中,覆蓋誤差(Overlay Error)是重要的項目之一, ... 實際下貨驗證,比較變更前後Overlay量測之殘值Residual (X & Y方向不可線性補償之覆蓋 ... ,關鍵字:疊對量測(Overlay measurement),TIS(Tool Induce Shift),WIS(Wafer Induce. Shift),參考量測系統(Reference Measurement System-RMS). ,由 吳國裕 著作 · 2007 — 良率降低,而對準誤差的檢測仰賴覆蓋誤差的檢驗設備,層疊(Overlay) 是用以量測一個 ... 層對層覆蓋誤差檢查(Overlay error) ... Internally Studentized Residuals. ,由 郭宏銘 著作 · 2010 — 以 Alignment mark 的選擇作為改善黃光製程上的 OVL budget 之. 研究. 學生:郭宏銘. 指導教授:張國明 ... 4.12: N04 MM simulate KLA OVL measurement residual.
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EUV微影和Overlay控制詳解 - 電子工程專輯
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After exposure, we measure the distance (or difference) from each OVL (KLA Company) marks on the ... A study of Overlay Budget Improvement by Alignment Mark. https://9lib.co 博碩士論文行動網
... 曝光程式之建立模式、堆疊對準(Overlay)量測機台量測程式之建立,分析黃光生產 ... 改善機台間之誤差的系統,以因應機台或過程(Process)所造成之殘量(Residual)。 https://ndltd.ncl.edu.tw 國立交通大學機構典藏:微影製程覆蓋誤差控制
由 詹孟勳 著作 · 2011 — 黃光微影製程控制的幾個要項中,覆蓋誤差(Overlay Error)是重要的項目之一, ... 實際下貨驗證,比較變更前後Overlay量測之殘值Residual (X & Y方向不可線性補償之覆蓋 ... https://ir.nctu.edu.tw 疊對量測不確定度評估 - 工業技術研究院
關鍵字:疊對量測(Overlay measurement),TIS(Tool Induce Shift),WIS(Wafer Induce. Shift),參考量測系統(Reference Measurement System-RMS). https://aoiea.itri.org.tw 第一章緒論 - 國立交通大學機構典藏
由 吳國裕 著作 · 2007 — 良率降低,而對準誤差的檢測仰賴覆蓋誤差的檢驗設備,層疊(Overlay) 是用以量測一個 ... 層對層覆蓋誤差檢查(Overlay error) ... Internally Studentized Residuals. https://ir.nctu.edu.tw 電機學院 電子與光電學程 - 國立交通大學
由 郭宏銘 著作 · 2010 — 以 Alignment mark 的選擇作為改善黃光製程上的 OVL budget 之. 研究. 學生:郭宏銘. 指導教授:張國明 ... 4.12: N04 MM simulate KLA OVL measurement residual. https://ir.nctu.edu.tw |