nf3解離
Improvement of PECVD Chamber Clean Efficiency Using NF3-Based Remote Plasma ... 電漿蝕刻反應 ； CVD腔體清潔 ； 遠程電漿 ； NF3解離率 ； remote plasma ... ,選取, 序號, 研究生, 論文名稱/ 校院名稱/ 系所名稱/ 學年度/ 學位類別/ 頁數. 1, 謝馥霞, NF3遠程電漿應用於CVD鍍膜腔體清潔效能提升之研究 中原大學/工學院/化學 ... , 關鍵詞: 電漿蝕刻反應;CVD腔體清潔;遠程電漿;NF3解離率 remote plasma;dissociation ratio;NF3;CVD chamber clean;plasma etching. 上傳時間 ...,本研究將電漿蝕刻反應Si-Based膜分為兩主題進行探討，首先以NF3為進料氣體，在電漿功率、 ... 中文關鍵詞: 電漿蝕刻反應、CVD腔體清潔、遠程電漿、NF3解離率. ,標題[問題]有關半導體生產設備NF3的clean的反應過程 ... IZO:NF3經過電漿解離後產生N2,F等活性物種; F活性物種再與Ti反應 08/04 21:00. ,三氟化氮（NF3）在半導體及TFT-LCD 製造的薄膜製程中扮演「清潔劑」的角. 色，不過這類清潔劑是氣態，而非液態。 薄膜製程的主要設備是「化學氣相沉積」（CVD）機 ... ,如以CF3I 來替代蝕刻時C2F6 的使用(Levy et al.,1998) ，或是在CVD 中以NF3 ... 受電場加速，解離其他原子或分子，如此反覆循環，氣體急速成為高度電離狀態，. ,clean) 使用電漿解離蝕刻氣體， 如C2F6 , C3F8 or NF3 對腔體作化學反應蝕刻. 及離子撞擊(Ion Bombardment)之物理性蝕刻，達到清潔腔體之目的。 半導體製程大量 ... ,NF3. → N2 + °F (CVD clean 製程反應). °F + Si → SiF4. (CVD clean 製程反應). SiH4 ... NF3、SiH4. 、. NH3、PH3 .... 勢結果，確認製程機台對PFCs 的解離效果。 0. ,異，而一般用在PECVD 鍍膜的電漿源其解離率小於1%，近幾年由於對鍍膜要 ..... NF3,ClF3. 等方向. 在SiO2,SixNy,金屬，矽化物上. 頗高. SiO2. 同上. 低離子能量有等 ...
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選取, 序號, 研究生, 論文名稱/ 校院名稱/ 系所名稱/ 學年度/ 學位類別/ 頁數. 1, 謝馥霞, NF3遠程電漿應用於CVD鍍膜腔體清潔效能提升之研究 中原大學/工學院/化學 ... http://ethesis.lib.cycu.edu.tw NF3遠程電漿應用於CVD鍍膜腔體清潔效能提升之研究
關鍵詞: 電漿蝕刻反應;CVD腔體清潔;遠程電漿;NF3解離率 remote plasma;dissociation ratio;NF3;CVD chamber clean;plasma etching. 上傳時間 ... http://cycuir.lib.cycu.edu.tw NF3遠程電漿應用於CVD鍍膜腔體清潔效能提升之研究__臺灣博碩士 ...
本研究將電漿蝕刻反應Si-Based膜分為兩主題進行探討，首先以NF3為進料氣體，在電漿功率、 ... 中文關鍵詞: 電漿蝕刻反應、CVD腔體清潔、遠程電漿、NF3解離率. https://ndltd.ncl.edu.tw [問題]有關半導體生產設備NF3的clean的反應過程- 看板Chemistry - 批踢 ...
標題[問題]有關半導體生產設備NF3的clean的反應過程 ... IZO:NF3經過電漿解離後產生N2,F等活性物種; F活性物種再與Ti反應 08/04 21:00. https://www.ptt.cc 三氟化氮三氟化氮（NF3）
三氟化氮（NF3）在半導體及TFT-LCD 製造的薄膜製程中扮演「清潔劑」的角. 色，不過這類清潔劑是氣態，而非液態。 薄膜製程的主要設備是「化學氣相沉積」（CVD）機 ... http://atlantis.tw 下載
如以CF3I 來替代蝕刻時C2F6 的使用(Levy et al.,1998) ，或是在CVD 中以NF3 ... 受電場加速，解離其他原子或分子，如此反覆循環，氣體急速成為高度電離狀態，. https://saturn.sipa.gov.tw 第一章緒論 - 國立交通大學機構典藏
clean) 使用電漿解離蝕刻氣體， 如C2F6 , C3F8 or NF3 對腔體作化學反應蝕刻. 及離子撞擊(Ion Bombardment)之物理性蝕刻，達到清潔腔體之目的。 半導體製程大量 ... https://ir.nctu.edu.tw 第三章製程尾氣處理研究實驗設備3.1 製程尾氣處理設備Local scrubber
NF3. → N2 + °F (CVD clean 製程反應). °F + Si → SiF4. (CVD clean 製程反應). SiH4 ... NF3、SiH4. 、. NH3、PH3 .... 勢結果，確認製程機台對PFCs 的解離效果。 0. https://ir.nctu.edu.tw 電漿反應器與原理
異，而一般用在PECVD 鍍膜的電漿源其解離率小於1%，近幾年由於對鍍膜要 ..... NF3,ClF3. 等方向. 在SiO2,SixNy,金屬，矽化物上. 頗高. SiO2. 同上. 低離子能量有等 ... http://ebooks.lib.ntu.edu.tw |