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功能等要求較高,以致於除了部分製程化學品外,多數仰賴國. 外進口。常見的高沸點VOCs成份說明如下:. □ 高沸點的VOCs(去光阻劑/光阻剝離劑, 樹脂溶劑, 導電漿料. 溶劑及電池正負極材料溶劑等). □ ACT-690C, ACT-935, EKC-162, EKC-265, EKC-800,. EKC-830, EKC-922, N-300, RNS-409, TOK-106, PV159,.,通常使用EKC溶液去除晶圆表面的化合物,然后再利用异丙醇(IPA)去除残留在晶圆表面的EKC溶液。在这一过程中,EKC溶液与IPA的含水量都十分重要,这是因为,在0. 13μπι工艺以上的半导体工艺制程中,Al/Cu金属线是主要的互连引线,而太多的水会对金属线造成一些损害。 [0003] EKC溶液的主要成分为:(1)羟胺(HDA) ; O) 2_ ... ,EKC是什么有机溶剂是什么成分组成的 10. RT. tq2404635 2010-04-02. 我要回答. 可选中1个或多个下面的关键词,搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题。 有机溶剂; ekc; 成分; 搜索资料. 正在求助. 查看更多问题>. 换一换. 登录. 还没有百度账号? 立即注册 ... , MSDS-Che-28 Material Safety Data Sheet / 物质安全资料表第一部分化学品及企业标识化学品中文名称: 化学品中文名称:蚀刻后残留物去除液化学品俗名或商品名: 蚀刻后残留物去除液, EKC270 -T(Post Etch Residue Remover EKC 270 -T) 化学品俗名或商品名: 化学品英文名称: 化学品英文名称:EKC270 -T(Post ..., 在原始設計條件下,陽離子交換樹脂塔. 所吸附的陽離子變少,那麼再生所需HCl 藥劑量. 是否就可減少,再者再生HCl 藥劑量減少,如此. 廢水中和用之NaOH 亦可隨之減少。 2.3 EBO(光罩廠)排放H2SO4 回收再利用【Reuse】. 由於Fab8 製程中所使用之化學品種類繁多,. 除有機溶劑如EKC、NMP、IPA 及廢光阻液等有.,在高密度快閃記憶體元件上,為了從有邊界通道金屬線製程上,獲. 得更小的晶格尺寸,所以使用無邊界通道製程,但是IMD 內金屬介電. 層物質,將會因為蝕刻和蝕刻後清洗,而被侵蝕後退。這將會導致Rv. 電阻值升高,和EM 電子遷移信賴度產生的問題〔1〕。 關於這個狀況,在58nm 快閃記憶體元件上,利用氨化物和氟化物. 的化學品來 ... ,濕式清潔法概要: 最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry),在1980 年代亦曾有以乾式清潔. 法取代濕式清潔法之論點,同時亦有一些相關的嘗試性研究,然而時至今日仍未有完整之乾式. 清潔法被研發成功得以完全取代濕式清潔法。目前,濕式清潔法依然是最主要的晶圓清潔方法。 晶圓清洗之簡介: 在超大型積體 ... ,用途:於微影成像後,去除光. 用途於微影成像後去除光. 阻,清洗晶圓,達到酸鹼中和,. 以進行後續製程。 清洗劑:. • 清洗劑:. – APM(SC-1 或HA):. • 成分:NH. 4. OH +H. 2. O. 2. + H. 2. O. • 去除微粒子與有機物。 • 加入金屬鉗合劑(chelating agent). 如乙二胺四醋酸(EDTA)可抑制金. 屬污染物逆向吸著。 • 可利用超音波提高洗淨效果。 ,光阻是一種感光材料,其主要成分由感光劑(Sensitizer)、樹脂(Resin)與溶劑(Solvent)三種主要成分所混合而成。感光劑是一種可以吸收曝曬光源能量並產生反應之化學物質,此種反應可增加正光阻樹脂在顯影劑中的溶解度或減少負光阻樹脂在顯影劑中的溶解度;樹脂是一種黏著劑(Binder),使感光劑能順利附著於晶片表面,並提供 ... ,銅轉成廢棄物;有一家銅製程化學機械研磨劑製造商(EKC. Technology)曾進行實地測量。研磨劑含羥胺與矽(0.1%),使用研磨. 機(IPEC/Westech Avanti 472),以及晶圓清潔機(Ontrak)。實驗過程. 如下:. 1.一片20 公分晶圓拿來研磨,銅膜磨除率約每分鐘5,533 A 的厚度,. 歷時約1 分鐘。 2.研磨廢水每12 秒收集一次,約450 毫升,歷時3 ...

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2011年科學工業園區廠務技術研討會 - 台灣科學工業園區科學工業 ...

功能等要求較高,以致於除了部分製程化學品外,多數仰賴國. 外進口。常見的高沸點VOCs成份說明如下:. □ 高沸點的VOCs(去光阻劑/光阻剝離劑, 樹脂溶劑, 導電漿料. 溶劑及電池正負極材料溶劑等). □ ACT-690C, ACT-935, EKC-162, EKC-265, EKC-800,. EKC-830, EKC-922, N-300, RNS-409, TOK-106, PV15...

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CN102039282A - 半导体晶圆的清洗方法- Google Patents

通常使用EKC溶液去除晶圆表面的化合物,然后再利用异丙醇(IPA)去除残留在晶圆表面的EKC溶液。在这一过程中,EKC溶液与IPA的含水量都十分重要,这是因为,在0. 13μπι工艺以上的半导体工艺制程中,Al/Cu金属线是主要的互连引线,而太多的水会对金属线造成一些损害。 [0003] EKC溶液的主要成分为:(1)羟胺(HDA) ; O) 2_ ...

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EKC是什么有机溶剂是什么成分组成的_百度知道

EKC是什么有机溶剂是什么成分组成的 10. RT. tq2404635 2010-04-02. 我要回答. 可选中1个或多个下面的关键词,搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题。 有机溶剂; ekc; 成分; 搜索资料. 正在求助. 查看更多问题>. 换一换. 登录. 还没有百度账号? 立即注册 ...

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MSDS_EKC-270_百度文库

MSDS-Che-28 Material Safety Data Sheet / 物质安全资料表第一部分化学品及企业标识化学品中文名称: 化学品中文名称:蚀刻后残留物去除液化学品俗名或商品名: 蚀刻后残留物去除液, EKC270 -T(Post Etch Residue Remover EKC 270 -T) 化学品俗名或商品名: 化学品英文名称: 化学品英文名称:EKC270 -T(Post&...

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半導體廠廠務化學品3R 減量

在原始設計條件下,陽離子交換樹脂塔. 所吸附的陽離子變少,那麼再生所需HCl 藥劑量. 是否就可減少,再者再生HCl 藥劑量減少,如此. 廢水中和用之NaOH 亦可隨之減少。 2.3 EBO(光罩廠)排放H2SO4 回收再利用【Reuse】. 由於Fab8 製程中所使用之化學品種類繁多,. 除有機溶劑如EKC、NMP、IPA 及廢光阻液等有.

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國立交通大學機構典藏- 交通大學

在高密度快閃記憶體元件上,為了從有邊界通道金屬線製程上,獲. 得更小的晶格尺寸,所以使用無邊界通道製程,但是IMD 內金屬介電. 層物質,將會因為蝕刻和蝕刻後清洗,而被侵蝕後退。這將會導致Rv. 電阻值升高,和EM 電子遷移信賴度產生的問題〔1〕。 關於這個狀況,在58nm 快閃記憶體元件上,利用氨化物和氟化物. 的化學品來 ...

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最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)

濕式清潔法概要: 最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry),在1980 年代亦曾有以乾式清潔. 法取代濕式清潔法之論點,同時亦有一些相關的嘗試性研究,然而時至今日仍未有完整之乾式. 清潔法被研發成功得以完全取代濕式清潔法。目前,濕式清潔法依然是最主要的晶圓清潔方法。 晶圓清洗之簡介: 在超大型積體 ...

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清洗製程

用途:於微影成像後,去除光. 用途於微影成像後去除光. 阻,清洗晶圓,達到酸鹼中和,. 以進行後續製程。 清洗劑:. • 清洗劑:. – APM(SC-1 或HA):. • 成分:NH. 4. OH +H. 2. O. 2. + H. 2. O. • 去除微粒子與有機物。 • 加入金屬鉗合劑(chelating agent). 如乙二胺四醋酸(EDTA)可抑制金. 屬污染物逆向吸著。 • 可利用超...

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詳內文 - 環保簡訊 - 國立中央大學

光阻是一種感光材料,其主要成分由感光劑(Sensitizer)、樹脂(Resin)與溶劑(Solvent)三種主要成分所混合而成。感光劑是一種可以吸收曝曬光源能量並產生反應之化學物質,此種反應可增加正光阻樹脂在顯影劑中的溶解度或減少負光阻樹脂在顯影劑中的溶解度;樹脂是一種黏著劑(Binder),使感光劑能順利附著於晶片表面,並提供 ...

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銅製程化學機械研磨廢水化學性質與處理

銅轉成廢棄物;有一家銅製程化學機械研磨劑製造商(EKC. Technology)曾進行實地測量。研磨劑含羥胺與矽(0.1%),使用研磨. 機(IPEC/Westech Avanti 472),以及晶圓清潔機(Ontrak)。實驗過程. 如下:. 1.一片20 公分晶圓拿來研磨,銅膜磨除率約每分鐘5,533 A 的厚度,. 歷時約1 分鐘。 2.研磨廢水每12 秒收集一次,約450 毫升,歷時3&n...

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