dram至少是重複疊幾層
2022年8月29日 — DRAM工艺之所以提升越来越难,还需要回归到它的结构上。DRAM是基于一个晶体管和一个电容器的存储单元。其扩展是在一个平面上,将每个存储单元像拼图一样 ... ,2010年2月26日 — 如稍早恩益禧(NEC)對一個八層堆疊DRAM散熱所做的分析,TSV的散熱效果比傳統用打線接合的方式提升二至三倍。 來當訊號線外,也可以用來散熱--這正是導熱孔( ... ,2021年4月9日 — DRAM技術與市場淺談(上), 041021' 動態隨機存取記憶體(DRAM) 晶圓製造在台灣應該是陌生了,很多人都會把記憶體模組廠和記憶體封測廠跟記憶體晶圓廠 ... ,2018年8月16日 — 第一個是線路內的單元(cell)排列要有高度的重複性,互連線路簡單,像是記憶體。 第二個是每個單元內有些結構可以與鄰近單元相連接,譬如像charge trap ... ,2021年7月21日 — 新加坡科技研究局(A*STAR)旗下微電子研究院(Institute of Microelectronics;IME)的科學家開發出可以堆疊多達四層半導體晶圓的突破性技術,使生產成本降低 ...,... Memory;DRAM)兩層堆疊架構,建立Oxide-to-Oxide晶圓級接合技術,以DRAM real wafer 驗證,堆疊製程前後良率幾近相同。 ,2020年3月11日 — 美國半導體IP公司Xperi揭露其可為DRAM提供一種更理想的堆疊途徑——DBI Ultra 2.5D/3D互連,可製造8、12甚至16層晶片封裝,因而擁有延伸超越摩爾定律的 ... ,2020年8月6日 — 「堆疊」(stacking)並不是什麼新技術,但來自美國加州的半導體技術IP授權公司Xperi聲稱他們有一種更好的方法能為DRAM實現堆疊,並正在提供該技術授權 ... ,2023年5月9日 — NEO 承諾2025 年將推出第一代3D X-DRAM 就有230 層堆疊,核心容量128Gb,相較2D DRAM 記憶體核心容量還只是16Gb,整整提升8 倍容量。 NEO 還提出每10 年將 ...
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这场DRAM技术困局谁来破?
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2010年2月26日 — 如稍早恩益禧(NEC)對一個八層堆疊DRAM散熱所做的分析,TSV的散熱效果比傳統用打線接合的方式提升二至三倍。 來當訊號線外,也可以用來散熱--這正是導熱孔( ... https://www.2cm.com.tw 半導體產業與學術討論區| # DRAM技術與市場淺談(上)
2021年4月9日 — DRAM技術與市場淺談(上), 041021' 動態隨機存取記憶體(DRAM) 晶圓製造在台灣應該是陌生了,很多人都會把記憶體模組廠和記憶體封測廠跟記憶體晶圓廠 ... https://m.facebook.com 半導體的3D之路-兼論三維單片堆疊
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