封裝 堆疊技術
3D IC是將多顆晶片進行三維空間垂直整合，以因應半導體製程受到電子及材料的物理極限。 半導體行業追求這個有前途的技術，在許多不同的形式，但它尚未被廣泛使用，因此，定義還是有點不固定。 目录. 1 3D ICs 對決3D 封裝; 2 著名的晶片; 3 製造技術; 4 優點; 5 挑戰; 6 Design ... 3D 積體電路封裝是指堆疊不同的晶片成為一個單一的封裝以節省空間，被稱 ... , 英特爾推出採用異質堆疊邏輯與記憶體晶片的新一代3D封裝技術——Foveros，將3D封裝的概念進一步擴展到包括CPU、繪圖和AI處理器等高性能 ..., 台積電(TSMC)日前表示已完成全球首顆3D IC封裝，並預計於2021年量產，為3D IC發展畫下新里程。與此同時，為了加速3D IC技術發展，台積電現已 ..., 其中TSV是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律的互連技術，可堆疊多片晶片，其設計概念來自於印刷電路板，在晶片鑽出小洞，從底部填充入金屬， 矽晶圓 ..., 然而隨著封裝技術的發展，在平面方向上的封裝已經達到了極限。 另一方面，隨著CMOS工藝的不斷發展，繼續等比例縮小的局限越發明顯，系統設計師 ..., 據了解，SoIC是基於台積電的CoWoS(Chip on wafer on Substrate)與多晶圓堆疊(WoW)封裝技術開發的新一代創新封裝技術，未來將應用於十納米 ..., 隨著科技產品的多功能化與體積微小化，元件間的系統化整合也被視為未來通訊及資訊電子產品的重點發展技術。目前業界正朝系統單晶片(System ..., 英特爾計畫推出首款Foveros 3D封裝產品，該產品是將10奈米的HPC晶片與低耗能的22奈米基本晶片互相結合，並在頂部堆疊記憶體，形成一種 ..., 英特爾2018.12.12宣布，已開發出一種邏輯晶片3D堆疊封裝技術「Foveros」，規劃明年(2019)下半年推出相關產品，企圖重振聲勢奪回市場領先地位 ..., 在三維的電路設計中，雷射矽垂直導通孔(Through Silicon Via；TSV)是非常重要的關鍵技術之一，對於具有低腳數與較大間距的元件而言，雷射鑽孔 ...
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三維晶片- 维基百科，自由的百科全书
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