3d堆疊技術
其中TSV是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律的互連技術，可堆疊多片晶片，其設計概念來自於印刷電路板，在晶片鑽出小洞，從底部填充入金屬， 矽晶圓 ...,然而現今的3D 封裝堆疊構裝皆是以打線接合. (Wire Bonding) 為基礎製程，若以相同的晶圓上製作出. 更多的電晶體，隨縮小線寬、線距的同時，卻因為金屬. 導線的截 ... , 先是2.5D/3D封裝，這已是行之有年的技術。然後就一下子躍進到真正的3D製程－3D NAND Flash。幾十層的線路、結構，用4、5層的光 ..., 英特爾推出採用異質堆疊邏輯與記憶體晶片的新一代3D封裝技術——Foveros，將3D封裝的概念進一步擴展到包括CPU、繪圖和AI處理器等高性能 ..., 英特爾2018.12.12宣布，已開發出一種邏輯晶片3D堆疊封裝技術「Foveros」，規劃明年(2019)下半年推出相關產品，企圖重振聲勢奪回市場領先地位 ...,3D IC是將多顆晶片進行三維空間垂直整合，以因應半導體製程受到電子及材料的物理極限。 半導體行業追求這個有前途的技術，在許多不同的形式，但它尚未被廣泛使用， ... 3D 積體電路封裝是指堆疊不同的晶片成為一個單一的封裝以節省空間，被稱為SiP或Chip Stack MCM, 並未整合進入單一的電路內。晶片與晶片之間的溝通方式 ... , 與此同時，為了加速3D IC技術發展，台積電現已與多家電子設計自動化工具廠商如新思科技(Synopsys)、益華(Cadence)、明導(Mentor)與安矽思( ..., 3D 堆疊技術是把不同功能的晶片或結構, 通過堆疊技術和過孔互連等微機械加工技術, 使其在Z軸方向上形成立體集成和信號連通以及圓片級、晶片 ..., 這在當時被譽為可再次把三星狠狠甩在後頭、實現3D IC的高階封裝技術。 SoIC技術是採用矽穿孔(TSV)技術，可以達到無凸起的鍵合結構，可以把很多 ..., 另外一些組織和公司也都在積極開發基於TSV（矽通孔，through silicon via）的3D晶片技術。究其原因，是因為許多晶片廠商都擔心將來繼續縮減製程 ...
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然而現今的3D 封裝堆疊構裝皆是以打線接合. (Wire Bonding) 為基礎製程，若以相同的晶圓上製作出. 更多的電晶體，隨縮小線寬、線距的同時，卻因為金屬. 導線的截 ... http://www.ndl.org.tw 半導體的3D之路－兼論三維單片堆疊 - Digitimes
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