FSM 製程
2019年7月19日 — 正面金屬化製程(FSM)是MOSFET晶圓薄化前的一個關鍵製程，由於MOSFET具備高開關切換速度，低輸入阻抗與低功率耗損之特性， 必須承受大電流，因此在製程上， ... ,2018年7月20日 — 服務項目. MOSFET 正面金屬化FSM 製程. ,2018年12月12日 — 正面金屬化製程FSM是MOSFET晶圓薄化關鍵製程，MOSFET具備高開關切換速度，低輸入阻抗與低功率耗損之特性，必須承受大電流，因此在必須使用銅夾 ... ,2018年9月11日 — Power MOSFET在完成了前段Foundry FAB的製程後，緊接著還要在Top Metal上製作圖形化正面金屬(FSM)、晶圓薄化並將背面鍍上金屬後(BGBM)，進行CP測試. ,2018年10月3日 — 同時為了協助客戶一站式接軌BGBM製程，在前端的正面金屬化製程(FSM)上，除了提供濺鍍沉積(Sputtering Deposition，下稱「濺鍍」)服務外，宜特更展開化 ... ,2019年2月13日 — 正面金屬化製程(FSM)是MOSFET晶圓薄化前的一個關鍵製程，由於MOSFET具備高開關切換速度，低輸入阻抗與低功率耗損之特性，必須承受大電流，因此在製程 ... ,二、為什麼不是所有晶片都需經過正面金屬化製程(FSM)? 需要的型態有哪些? 如果MOSFET元件需要進行夾焊(Clip Bond)或是混合焊(Mixed Bond, 指Source ... ,2018年9月20日 — 同時為了協助客戶一站式接軌BGBM製程，在前端的正面金屬化製程(簡稱FSM)上，除了提供濺鍍沉積(Sputtering Deposition，下稱「濺鍍」)服務外，本月宜特更 ... ,... 晶圓熱處理製程技術，並搭配晶圓測試，以提供客戶產品全方位加工服務著稱。 ... 晶圓背面研磨和金屬鍍膜製程(BGBM); TAIKO晶圓研磨; 晶圓正面金屬化製程(FSM by ...
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