BCl3 蝕刻
2019年8月29日 — 簡單的流程就是把多晶矽閘極(poly gate 或稱dummy gate)給移除後再疊上High K材料與金屬，. 因此對於二氧化鉿的蝕刻特性了解，正在扮演更重要 ... ,由 古坤文 著作 · 2003 — 半導體金屬蝕刻製程主要使用Cl2(氯氣)、BCl3(氯化硼)等氣體，以. 高能電漿(plasma)離子化產生自由基(free radicals)後使其與晶圓表面之鋁. 反應將多餘之鋁蝕刻 ... ,2020年10月21日 — 答：Cl2, BCl3. 用於W金屬蝕刻的主要氣體為. 答：SF6. 何種氣體為oxide vai/contact ETCH主要使用氣體? 答：C4F8, C5F8, C4F6. 硫酸槽的化學 ... ,做為活性離子蝕刻源,對砷化銦鋁與砷化銦鎵兩種材料進行蝕刻.本研究特 別著重於BCl3+CHF3與BCl3+CF4兩種混合氣體在蝕刻速率,選擇性,蝕刻剖 面,表面粗糙度, ... ,在過蝕刻步驟將氯(Cl2)與三氯化硼(BCl3)比例由一比一，增加到一比三，降低金屬鋁(Al)與介電層(IMD)的選擇比，可以增加側壁保護改善底切。同時增加射頻 ... ,由 葉偉誠 著作 · 2008 — 3-4-1 SF6/O2 蝕刻SiO2. 43. 3-4-2 CF4/O2 蝕刻SiO2. 46. 3-4-3 CF4/Ar蝕刻SiO2. 48. 3-5 電漿蝕刻參數及氮化鎵深度探討. 50. 3-5-1 BCl3/Cl2蝕刻GaN. 50. ,在BCl3/SF6、和SiCl4/SF6與CH4/H2為混合氣體對於磷化銦蝕刻的比較, CH4/H2 的混合氣體有很好 ... 且在BCl3/SF6 中，在SF6佔0.6-0.8比例時有最快的蝕刻速率。 ,由 呂英敏 著作 · 1993 — 此論文探討氮化鎵在CH4/H2、CF4、CF4/O2、BCl3及BCl3/SF6電漿中的蝕刻特性。所使用的氮化鎵晶體是以低壓有機金屬化學氣相磊晶法成長，部分蝕刻用的試 ... ,蝕刻技術. (Etching). 嚴大任助理教授. 國立清華大學材料科學工程學系 ... 三分鐘後停止蝕刻, 試問會有多少下層的Si被蝕刻掉? min/. 016.0 m ... 使用氣體包含BCl3、. ,感應耦合電漿蝕刻氮化鎵/氮化銦鎵材料之研究. 研究成果 ... InGaN/GaN 材料進行反應蝕刻，探討主要. 的製程參數如 ... 化合物的氣體有Cl2、SiCl4、I2、Br2、BCl3.
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2020年10月21日 — 答：Cl2, BCl3. 用於W金屬蝕刻的主要氣體為. 答：SF6. 何種氣體為oxide vai/contact ETCH主要使用氣體? 答：C4F8, C5F8, C4F6. 硫酸槽的化學 ... http://ilms.ouk.edu.tw 博碩士論文行動網
做為活性離子蝕刻源,對砷化銦鋁與砷化銦鎵兩種材料進行蝕刻.本研究特 別著重於BCl3+CHF3與BCl3+CF4兩種混合氣體在蝕刻速率,選擇性,蝕刻剖 面,表面粗糙度, ... https://ndltd.ncl.edu.tw 博碩士論文行動網 - 全國博碩士論文資訊網
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由 葉偉誠 著作 · 2008 — 3-4-1 SF6/O2 蝕刻SiO2. 43. 3-4-2 CF4/O2 蝕刻SiO2. 46. 3-4-3 CF4/Ar蝕刻SiO2. 48. 3-5 電漿蝕刻參數及氮化鎵深度探討. 50. 3-5-1 BCl3/Cl2蝕刻GaN. 50. https://ir.nctu.edu.tw 國立交通大學機構典藏：磷化銦活性離子蝕刻之研究及其接地洞 ...
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由 呂英敏 著作 · 1993 — 此論文探討氮化鎵在CH4/H2、CF4、CF4/O2、BCl3及BCl3/SF6電漿中的蝕刻特性。所使用的氮化鎵晶體是以低壓有機金屬化學氣相磊晶法成長，部分蝕刻用的試 ... https://ir.nctu.edu.tw 蝕刻技術
蝕刻技術. (Etching). 嚴大任助理教授. 國立清華大學材料科學工程學系 ... 三分鐘後停止蝕刻, 試問會有多少下層的Si被蝕刻掉? min/. 016.0 m ... 使用氣體包含BCl3、. https://www.sharecourse.net 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 - CHUR - 中華大學
感應耦合電漿蝕刻氮化鎵/氮化銦鎵材料之研究. 研究成果 ... InGaN/GaN 材料進行反應蝕刻，探討主要. 的製程參數如 ... 化合物的氣體有Cl2、SiCl4、I2、Br2、BCl3. http://chur.chu.edu.tw |