影響 KOH 蝕刻 Si 的參數
以下將針對影響蝕刻速率和表面粗糙度的參數加. 以說明。在本實驗中攪拌方式分別為超音波震盪和葉. 片攪拌，於超音波震盪中，蝕刻溶液溫度控制在± ... ,Si. SiO2. PR. Si. (c) 在KOH及TMAH蝕刻液中以. 不同攪拌方式蝕刻 ... (a) 熱氧化沉積SiO2. (b) 微影及用BOE蝕刻SiO2. (c) 以最佳蝕刻參數蝕刻. Si. ,由 林廷政 著作 · 2003 — 以蝕刻矽的溶液來說，最常使用的應該就是KOH。而KOH和TMAH. 對矽基材所進行的蝕刻都是一種非等向性蝕刻。不同的濃度，不同的溫度，. 對不同的方向具有不同的蝕刻速率。 ,由 徐文祥 著作 · 2011 — 中文摘要： 本計畫根據單晶矽微加工技術之特點，提出以感應耦合電漿. 離子蝕刻（Inductively Coupled Plasma Reactive Ion. Etching , ICP-RIE）之體型微加工製程技術，以 ... ,由 劉吉峰 著作 · 2005 — 另外，本研究亦探討奈米孔洞二氧化矽薄膜的乾蝕刻特性，並進行溝 ... 4.4.1 探討不同的蝕刻參數對蝕刻性質之影響………………….97. 4.4.1.1 感應耦合式電漿功率(ICP power)對 ... ,對於KOH 溶液在不同的溫度、. 時間下會有不同的蝕刻速率等製程參數進行研究，並成功製作出面. 積為20 X 20μm的金字塔結構，另外在基材上鍍上二氧化矽和氮化. ,後來使用KOH、水和醇類的混合溶液來蝕刻矽，但是並沒有針對此方法的精確. 度作探討。 ... 完全取決於是蝕刻過程中的製程參數穩定性，但影響蝕刻的因素含有矽晶圓的. ,由 JS Wang 著作 · 2007 — 於實驗過程中所制定的五大參數，濃度、間距、時間、溫度和網. 目，其特性與影響分述如下：. 1.濃度：KOH 於單晶非等向性蝕刻中，KOH 蝕刻液濃度與蝕刻. 矽表面光滑度呈正 ... ,表面物質去除化的製程: 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻或整面全區蝕刻 ... Etching Rate for KOH etching of Si: (100):(110):(111)=100:16:1 ... ,由 趙健祥 著作 — 論文名稱：＿非等向性蝕刻製程於矽基板之應用:翻鑄模仁與矽基板V 型凹槽. □同意□不同意 ... 圖4-3 不正確的光罩對準與實際<110>方向的影響.
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Si. SiO2. PR. Si. (c) 在KOH及TMAH蝕刻液中以. 不同攪拌方式蝕刻 ... (a) 熱氧化沉積SiO2. (b) 微影及用BOE蝕刻SiO2. (c) 以最佳蝕刻參數蝕刻. Si. http://mems.mt.ntnu.edu.tw 1.緒論
由 林廷政 著作 · 2003 — 以蝕刻矽的溶液來說，最常使用的應該就是KOH。而KOH和TMAH. 對矽基材所進行的蝕刻都是一種非等向性蝕刻。不同的濃度，不同的溫度，. 對不同的方向具有不同的蝕刻速率。 https://ir.nctu.edu.tw 3.2. ICP-RIE 各基本製程參數之影響 ... - 國立交通大學機構典藏
由 徐文祥 著作 · 2011 — 中文摘要： 本計畫根據單晶矽微加工技術之特點，提出以感應耦合電漿. 離子蝕刻（Inductively Coupled Plasma Reactive Ion. Etching , ICP-RIE）之體型微加工製程技術，以 ... https://ir.nctu.edu.tw 第一章緒論 - 國立交通大學機構典藏
由 劉吉峰 著作 · 2005 — 另外，本研究亦探討奈米孔洞二氧化矽薄膜的乾蝕刻特性，並進行溝 ... 4.4.1 探討不同的蝕刻參數對蝕刻性質之影響………………….97. 4.4.1.1 感應耦合式電漿功率(ICP power)對 ... https://ir.nctu.edu.tw 中華大學碩士論文
對於KOH 溶液在不同的溫度、. 時間下會有不同的蝕刻速率等製程參數進行研究，並成功製作出面. 積為20 X 20μm的金字塔結構，另外在基材上鍍上二氧化矽和氮化. http://chur.chu.edu.tw 第二章文獻回顧 - 國立臺灣師範大學
後來使用KOH、水和醇類的混合溶液來蝕刻矽，但是並沒有針對此方法的精確. 度作探討。 ... 完全取決於是蝕刻過程中的製程參數穩定性，但影響蝕刻的因素含有矽晶圓的. http://rportal.lib.ntnu.edu.tw Fabrication of pyramid textures as anti-reflection layer on ...
由 JS Wang 著作 · 2007 — 於實驗過程中所制定的五大參數，濃度、間距、時間、溫度和網. 目，其特性與影響分述如下：. 1.濃度：KOH 於單晶非等向性蝕刻中，KOH 蝕刻液濃度與蝕刻. 矽表面光滑度呈正 ... http://ir.lib.nsysu.edu.tw Etching
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由 趙健祥 著作 — 論文名稱：＿非等向性蝕刻製程於矽基板之應用:翻鑄模仁與矽基板V 型凹槽. □同意□不同意 ... 圖4-3 不正確的光罩對準與實際<110>方向的影響. http://etd.lib.nsysu.edu.tw |