KOH 蝕刻速率
由 林廷政 著作 · 2003 — 以蝕刻矽的溶液來說，最常使用的應該就是KOH。而KOH和TMAH. 對矽基材所進行的蝕刻都是一種非等向性蝕刻。不同的濃度，不同的溫度，. 對不同的方向具有不同的蝕刻速率。 ,蝕刻速率是測量在蝕刻製程中物質被移除的速. 率有多快的一種參數。 ... Etching Rate for KOH etching of Si: (100):(110):(111)=100:16:1 ... ,由 JS Wang 著作 · 2007 — 傳統上，利用氫氧化鉀(KOH). 於矽晶片上產生非等向性蝕刻，以製作金字塔抗反射結構。由於，. 反應進行時會於矽晶片表面釋放出氫氣，所以通常會於溶液中加入. 異丙醇( ... ,對於KOH 溶液在不同的溫度、. 時間下會有不同的蝕刻速率等製程參數進行研究，並成功製作出面. 積為20 X 20μm的金字塔結構，另外在基材上鍍上二氧化矽和氮化. ,從實驗結果發現，超音波震盪式的蝕. 刻速率相較於葉片攪拌式來的快。在相同的蝕刻溶液. 與相同的攪拌方式之下，凹槽與島塊的平均蝕刻速率. 並沒有太大 ... ,反應性離子蝕刻(RIE)：蝕刻速率低(<1μm/min) ... 或Si3N4. 矽晶圓. 非等向性溼式蝕刻. 蝕刻液. 鹼性溶液： KOH 、NaOH 等. 有機溶液： EDP、N2H4 、TMAH等 ... ,由於單晶矽的結晶方式為鑽石立方結構，所以對某些特定的蝕刻液，如. KOH、EDP 或TMAH 來說，在不同結晶方向會呈現不同的蝕刻速率，此特性. 稱為非等向性蝕刻【72】。 其中 ... ,等向性蝕刻，顧名思義就是不管在哪個晶格方向上，其蝕刻速率皆相同， ... 後來使用KOH、水和醇類的混合溶液來蝕刻矽，但是並沒有針對此方法的精確. 度作探討。 ,Etch Rate (蝕刻速率, r):. ▫ Rate of material removal (μm/min) ... KOH, H. 2. O. 2. , HCL, .. ▫ 10:1, 5:1, or maximum (solubility limit). ,由 林仁輝 著作 · 2004 — 不同蝕刻液濃度、蝕刻溫度及蝕刻時間來分析對無攪拌濕蝕刻速率的影響。研究 ... 度的氫氧化鉀（KOH）蝕刻溶液來進行. 非等向性蝕刻。執行完蝕刻之後， ...
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 KOH 蝕刻速率 相關參考資料
1.緒論
由 林廷政 著作 · 2003 — 以蝕刻矽的溶液來說，最常使用的應該就是KOH。而KOH和TMAH. 對矽基材所進行的蝕刻都是一種非等向性蝕刻。不同的濃度，不同的溫度，. 對不同的方向具有不同的蝕刻速率。 https://ir.nctu.edu.tw Etching
蝕刻速率是測量在蝕刻製程中物質被移除的速. 率有多快的一種參數。 ... Etching Rate for KOH etching of Si: (100):(110):(111)=100:16:1 ... http://homepage.ntu.edu.tw Fabrication of pyramid textures as anti-reflection layer on ...
由 JS Wang 著作 · 2007 — 傳統上，利用氫氧化鉀(KOH). 於矽晶片上產生非等向性蝕刻，以製作金字塔抗反射結構。由於，. 反應進行時會於矽晶片表面釋放出氫氣，所以通常會於溶液中加入. 異丙醇( ... http://ir.lib.nsysu.edu.tw 中華大學碩士論文
對於KOH 溶液在不同的溫度、. 時間下會有不同的蝕刻速率等製程參數進行研究，並成功製作出面. 積為20 X 20μm的金字塔結構，另外在基材上鍍上二氧化矽和氮化. http://chur.chu.edu.tw 攪拌方式與蝕刻幾何特徵對KOH 矽蝕刻蝕刻速率及表面粗糙度 ...
從實驗結果發現，超音波震盪式的蝕. 刻速率相較於葉片攪拌式來的快。在相同的蝕刻溶液. 與相同的攪拌方式之下，凹槽與島塊的平均蝕刻速率. 並沒有太大 ... http://www2.nkfust.edu.tw 矽溼式蝕刻技術 - NTNU MNOEMS Lab. 國立台灣師範大學機電 ...
反應性離子蝕刻(RIE)：蝕刻速率低(<1μm/min) ... 或Si3N4. 矽晶圓. 非等向性溼式蝕刻. 蝕刻液. 鹼性溶液： KOH 、NaOH 等. 有機溶液： EDP、N2H4 、TMAH等 ... http://mems.mt.ntnu.edu.tw 第三章應用理論與技術 - 國立臺灣師範大學
由於單晶矽的結晶方式為鑽石立方結構，所以對某些特定的蝕刻液，如. KOH、EDP 或TMAH 來說，在不同結晶方向會呈現不同的蝕刻速率，此特性. 稱為非等向性蝕刻【72】。 其中 ... http://rportal.lib.ntnu.edu.tw 第二章文獻回顧 - 國立臺灣師範大學
等向性蝕刻，顧名思義就是不管在哪個晶格方向上，其蝕刻速率皆相同， ... 後來使用KOH、水和醇類的混合溶液來蝕刻矽，但是並沒有針對此方法的精確. 度作探討。 http://rportal.lib.ntnu.edu.tw 蝕刻技術
Etch Rate (蝕刻速率, r):. ▫ Rate of material removal (μm/min) ... KOH, H. 2. O. 2. , HCL, .. ▫ 10:1, 5:1, or maximum (solubility limit). https://www.sharecourse.net 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 - 國立成功大學 ...
由 林仁輝 著作 · 2004 — 不同蝕刻液濃度、蝕刻溫度及蝕刻時間來分析對無攪拌濕蝕刻速率的影響。研究 ... 度的氫氧化鉀（KOH）蝕刻溶液來進行. 非等向性蝕刻。執行完蝕刻之後， ... http://ir.lib.ncku.edu.tw |