電漿鞘

相關問題 & 資訊整理

電漿鞘

電漿鞘 · plasma sheath · 名詞解釋: 1.和電漿體接觸的牆壁聚集負電荷,此負電荷吸引電漿體中帶正電的粒子,推開電子,因而形成的一層薄膜。 2.極音速物體穿越大氣 ... ,電漿粒子和其他氣體分子一樣都是連續運動的,包括其間的碰撞有彈性及非彈性 ... 若腔體壓力低至自由程遠遠超過鞘層厚度,此時之電漿鞘厚度可由下式計算獲得:. ,由 林兆焄 著作 · 2005 — 電漿的定義是一團氣體原子或分子,其中包含自由電子、氣體離子、. 中性的氣體原子或 ... 電極,基板等)之間的過渡區域,形成一個鞘層(sheath,或稱plasma. ,由 張朝雯 著作 · 2003 · 被引用 1 次 — 電子受感應電場加熱的機制可分為兩類,一是發生於肌膚深度內的碰撞(歐. 姆)​加熱,再則發生於主電漿(Bulk Plasma)中電子與鞘層間的能量轉換,由於. 此機制 ... ,3. 5. 平行板電漿系統. 電漿. 射頻功率. 暗區. 或. 鞘層. 電極. 至真空幫浦. 陰極 ... 電漿​蝕刻. ▫ CF. 4. 氣體在電漿中分解,產生氟自由基以進. 行氧蝕刻製程 e− + CF. 4. ,3. 平行板電漿系統. 電漿. 射頻功率. 暗區. 或. 鞘層. 電極. 至真空幫浦. 陰極. 4 ... 電漿​蝕刻. • CF. 4. 氣體在電漿中分解,產生氟自由基以. 進行氧蝕刻製程 e. −*. + CF. ,由 李安平 著作 — 例如在電漿. 蝕刻技術中,正離子經由電漿鞘層(Plasma Sheath)加速. 後轟擊矽晶圓,使其表面原子的鍵結破壞進而能迅速. 與活化粒子進行化學反應達到蝕刻效果。 ,在物體表面因電子的流失率. 遠大於正離子,局部的電荷失衡使物體表面很小的區. 域產生急速的電位降,這個區域稱為電漿鞘層(plasma sheath),以典型的電漿製程 ... ,但是,冷壁式電漿化學氣相沉積系統面臨製程上的瓶頸,因此本. 研究主要建構一組新的電漿 ... 3-1-2 電漿鞘產生之原理. ... 3-1-3 利用電漿鞘合成筆直直立矽奈米柱. ,因射頻負偏壓電. 位不同於直流負偏壓電位,工件表面的鞘層厚度. 與鞘層電位會隨時間而變,造成入射導體工件表. 面的能量也隨之改變。本研究建立一射頻電漿鞘. 層 ...

相關軟體 Etcher 資訊

Etcher
Etcher 為您提供 SD 卡和 USB 驅動器的跨平台圖像刻錄機。 Etcher 是 Windows PC 的開源項目!如果您曾試圖從損壞的卡啟動,那麼您肯定知道這個沮喪,這個剝離的實用程序設計了一個簡單的用戶界面,允許快速和簡單的圖像燒錄.8997423 選擇版本:Etcher 1.2.1(32 位) Etcher 1.2.1(64 位) Etcher 軟體介紹

電漿鞘 相關參考資料
plasma sheath - 電漿鞘 - 國家教育研究院雙語詞彙

電漿鞘 · plasma sheath · 名詞解釋: 1.和電漿體接觸的牆壁聚集負電荷,此負電荷吸引電漿體中帶正電的粒子,推開電子,因而形成的一層薄膜。 2.極音速物體穿越大氣 ...

https://terms.naer.edu.tw

電漿製程技術講義

電漿粒子和其他氣體分子一樣都是連續運動的,包括其間的碰撞有彈性及非彈性 ... 若腔體壓力低至自由程遠遠超過鞘層厚度,此時之電漿鞘厚度可由下式計算獲得:.

http://www.mse.nchu.edu.tw

第二章文獻回顧

由 林兆焄 著作 · 2005 — 電漿的定義是一團氣體原子或分子,其中包含自由電子、氣體離子、. 中性的氣體原子或 ... 電極,基板等)之間的過渡區域,形成一個鞘層(sheath,或稱plasma.

https://ir.nctu.edu.tw

國立交通大學機械工程研究所碩士論文 - 國立交通大學機構典藏

由 張朝雯 著作 · 2003 · 被引用 1 次 — 電子受感應電場加熱的機制可分為兩類,一是發生於肌膚深度內的碰撞(歐. 姆)​加熱,再則發生於主電漿(Bulk Plasma)中電子與鞘層間的能量轉換,由於. 此機制 ...

https://ir.nctu.edu.tw

Plasma

3. 5. 平行板電漿系統. 電漿. 射頻功率. 暗區. 或. 鞘層. 電極. 至真空幫浦. 陰極 ... 電漿​蝕刻. ▫ CF. 4. 氣體在電漿中分解,產生氟自由基以進. 行氧蝕刻製程 e− + CF. 4.

http://homepage.ntu.edu.tw

第五章電漿基礎原理

3. 平行板電漿系統. 電漿. 射頻功率. 暗區. 或. 鞘層. 電極. 至真空幫浦. 陰極. 4 ... 電漿​蝕刻. • CF. 4. 氣體在電漿中分解,產生氟自由基以. 進行氧蝕刻製程 e. −*. + CF.

http://homepage.ntu.edu.tw

電漿源原理與應用之介紹

由 李安平 著作 — 例如在電漿. 蝕刻技術中,正離子經由電漿鞘層(Plasma Sheath)加速. 後轟擊矽晶圓,使其表面原子的鍵結破壞進而能迅速. 與活化粒子進行化學反應達到蝕刻效果。

http://psroc.phys.ntu.edu.tw

高密度電漿源設計製作及其應用在半導體製程之發展情況

在物體表面因電子的流失率. 遠大於正離子,局部的電荷失衡使物體表面很小的區. 域產生急速的電位降,這個區域稱為電漿鞘層(plasma sheath),以典型的電漿製程 ...

http://ejournal.stpi.narl.org.

東海大學物理學系碩士論文 - 東海大學機構典藏系統

但是,冷壁式電漿化學氣相沉積系統面臨製程上的瓶頸,因此本. 研究主要建構一組新的電漿 ... 3-1-2 電漿鞘產生之原理. ... 3-1-3 利用電漿鞘合成筆直直立矽奈米柱.

http://thuir.thu.edu.tw

射頻電漿鞘層與加工件溫度分佈之研究

因射頻負偏壓電. 位不同於直流負偏壓電位,工件表面的鞘層厚度. 與鞘層電位會隨時間而變,造成入射導體工件表. 面的能量也隨之改變。本研究建立一射頻電漿鞘. 層 ...

http://www.etop.org.tw