電容耦合電漿原理
以電容耦合的方式產生電漿，電子能量的獲得是受到. 兩平板電極之電位差而加速，所以受電場影響電子運動方向與電極垂直，大部分. 沒有與中性氣體分子碰撞之電子會逃離電漿跑 ...,由 CC Yang 著作 · 2010 — 1.3.4 電容耦合電漿（Capacitively Coupled Plasma, CCP） . 16 ... 第二章、實驗原理與研究方法，說明了本研究所使用的介電質放. 電電漿特性、電漿游離機制與質譜檢測 ...,由 李安平 著作 — 由於電感偶合模式其功率吸收較電容偶合模. 式來得佳，此時電漿密度將顯著地增加。由於ICP 之. 電漿密度(n ~ 1010- 1012 cm-3)較傳統電容式電漿(n ~. 109 ...,電漿是具有等量正電荷和負電荷的離子氣體. • 更精確的定義：電漿是有著帶電與中性粒子. 之準中性氣體，電漿是 ... 平行板電極(電容耦合型). 電漿系統. 電漿. 射頻功率.,由 廖木生 著作 · 2004 · 被引用 1 次 — 本原理，對於整個電漿系統作一簡述，其中包含說明電漿生成機制、. 蝕刻原理及電容耦合式電漿源(capacitive coupled plasma)與變壓. 耦合式電漿源（Transformer Coupled ...,由 彭元宗 著作 · 2005 — PECVD 製程原理, 電漿原理、CVD Clean endpoint 介紹、電漿中RF Vdc Vpp 代 ... 電漿，,電容耦合型(Capacitively couple plasma )電漿， 以RF 高頻電源兩端輸出端.,電容耦合型電漿源無法製造高密度電漿。 ○蝕刻和CVD兩製程都希望在低壓下能得到高密度的電漿。 ○ICP和ECR是最普遍的高密度電漿源。 ○CP和ECR電漿源都能夠單獨控制 ...,感應耦合電漿（英語：Inductively Coupled Plasma，縮寫：ICP）是一種通過隨時間變化的磁場電磁感應產生電流作為能量來源的電漿體源。
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感應耦合電漿（英語：Inductively Coupled Plasma，縮寫：ICP）是一種通過隨時間變化的磁場電磁感應產生電流作為能量來源的電漿體源。 https://zh.wikipedia.org |