電容耦合式電漿源
本文討論電容耦合射頻電漿源，在增加製程. 面積至米平方等級(scaling up to meter square). 以及增加射頻功率頻率至超高頻波段(VHF, very high frequency)時，由於電磁波 ... ,2023年4月24日 — ... 電漿會產生於電極與介電質材料、或兩個介電質材料之間的縫隙。在兩電極之間引入介電層，整個裝置將由電容耦合（Capacitive Coupling）的方式進行電路 ... ,感應耦合電漿（英語：Inductively Coupled Plasma，縮寫：ICP）是一種通過隨時間變化的磁場電磁感應產生電流作為能量來源的電漿體源。 圖1. 一個感應耦合電漿火炬 ... ,電容式耦合電漿源(Capacitively coupled plasma sources，簡稱CCP)具有大面積、均勻度較佳的優點，然而有著電子密度相對電感式耦合電漿源(Inductively-Coupled Plasma, ... ,電容式耦合也可生成大電壓(例如，電漿電位的增加)，加速離子以高能量打到各表面。依此觀點，電容式耦合會噴濺表面材料，釋出污染物進入處理室，並/或損害在一基板上的裝置。此外 ... ,電容式耦合電漿源(Capacitively Couple Plasma, CCP)為半導體工業中常見的電漿製程應用。常見的應用例如雙頻耦合式電漿源(Dual Frequency CCP, DF-CCP)，其中高頻主要為 ... ,本发明公开了一种电容耦合式射频电浆源，其为一种大面积电容耦合式射频电浆源，其仅使用一射频电源供应器，而使射频功率以双端口的方式输入，并且每端口的输入阻抗可以个别 ... ,由 廖木生 著作 · 2004 · 被引用 1 次 — 電容耦合式電漿源(capacitive coupled plasma)是最早利用. 射頻技術所發展的電漿產生系統，利用加在兩相鄰電極板上的射頻電. 壓產生電漿，但其主要的功率都消耗在sheath 電壓 ... ,由 吳宗信 著作 · 2007 — 其中已經發展的大氣電漿源之中，又以非熱平衡『常壓射頻電容耦合式電漿束』(簡稱常壓電漿束) 引起了最多的注意。主要乃因為其應用範圍相當廣闊，包括半導體製程光阻去除，清潔 ...
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 電容耦合式電漿源 相關參考資料
關鍵詞(Keyword) 摘要(Abstract) 1. 前言
本文討論電容耦合射頻電漿源，在增加製程. 面積至米平方等級(scaling up to meter square). 以及增加射頻功率頻率至超高頻波段(VHF, very high frequency)時，由於電磁波 ... https://www.itri.org.tw 探索大氣電漿的神秘世界，隱藏在高科技背後的 ...
2023年4月24日 — ... 電漿會產生於電極與介電質材料、或兩個介電質材料之間的縫隙。在兩電極之間引入介電層，整個裝置將由電容耦合（Capacitive Coupling）的方式進行電路 ... https://technews.tw 感應耦合電漿 - 維基百科
感應耦合電漿（英語：Inductively Coupled Plasma，縮寫：ICP）是一種通過隨時間變化的磁場電磁感應產生電流作為能量來源的電漿體源。 圖1. 一個感應耦合電漿火炬 ... https://zh.wikipedia.org 高頻低壓大面積電容式耦合電漿之駐波效應數值模擬研究分析
電容式耦合電漿源(Capacitively coupled plasma sources，簡稱CCP)具有大面積、均勻度較佳的優點，然而有著電子密度相對電感式耦合電漿源(Inductively-Coupled Plasma, ... https://ndltd.ncl.edu.tw TWI527502B - 感應式電漿源
電容式耦合也可生成大電壓(例如，電漿電位的增加)，加速離子以高能量打到各表面。依此觀點，電容式耦合會噴濺表面材料，釋出污染物進入處理室，並/或損害在一基板上的裝置。此外 ... https://patents.google.com 電容式耦合射頻氫氣電漿之數值模擬研究- 特製電壓波形對 ...
電容式耦合電漿源(Capacitively Couple Plasma, CCP)為半導體工業中常見的電漿製程應用。常見的應用例如雙頻耦合式電漿源(Dual Frequency CCP, DF-CCP)，其中高頻主要為 ... https://ndltd.ncl.edu.tw CN101770922A - 电容耦合式射频电浆源
本发明公开了一种电容耦合式射频电浆源，其为一种大面积电容耦合式射频电浆源，其仅使用一射频电源供应器，而使射频功率以双端口的方式输入，并且每端口的输入阻抗可以个别 ... https://patents.google.com 變壓耦合式電漿製程設備之蝕刻率批片控制Wafer to ...
由 廖木生 著作 · 2004 · 被引用 1 次 — 電容耦合式電漿源(capacitive coupled plasma)是最早利用. 射頻技術所發展的電漿產生系統，利用加在兩相鄰電極板上的射頻電. 壓產生電漿，但其主要的功率都消耗在sheath 電壓 ... https://ir.lib.nycu.edu.tw 常壓射頻電容耦合式電漿束之研究
由 吳宗信 著作 · 2007 — 其中已經發展的大氣電漿源之中，又以非熱平衡『常壓射頻電容耦合式電漿束』(簡稱常壓電漿束) 引起了最多的注意。主要乃因為其應用範圍相當廣闊，包括半導體製程光阻去除，清潔 ... https://ir.lib.nycu.edu.tw |