鍺半導體載流子密度

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鍺半導體載流子密度

由於某些外部條件而使半導體內部的載子存在濃度梯度的時候,將產生擴散 ... 順向偏壓下,跨PN接面的電流強度取決於多數載子的密度,這一密度隨順向偏壓電壓 ... 面兩端加入弱電場就會使中性粒子中的價電子脫離原子的束縛,從而成為載流子。 ,1.2 半導體中的導電載子---電子與電洞. 1.3 帶溝與 ... 為5.43Å,計算矽每立方公分所含之原子數及質量密度。 ... 鍵較少,固有的導電電子電洞的濃度矽就較鍺為低。 ,材料中载流子(carrier)的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他「杂质」(IIIA、VA族元素)来控制。如果我們在純矽中摻 ... ,半導體中的導電載子---電子與電洞 ... 為5.43Å,計算矽每立方公分所含之原子數及質量密度。 ... 其中再摻雜入比原來施子濃度高的受子,就可以形成p型半導體。 ,相較於矽,純鍺材料的電晶體運行速度可提升2 至4 倍,而由胡正明院士發明的鰭. 式電晶體已讓 ... 就是增加通道載子速度,幸運地,將材料換成III-V 族. 及鍺(Ge)將有 ... 蝕(Etching Pit)密度約為106 cm-2,這些缺陷會顯著影. 響元件的電性 ... ,可见,半导体中存在两种载流子,即带电荷+q的空穴和带电荷–q的自由电子。 ... 例如每104个锗原子中掺入一个砷原子,锗的原子密度是4.4´1022/cm3,在单位 ... ,無其他物質在晶格內之單一晶格半導體材料(不掺雜,純矽Si). 2. 電子與 ... T=300 °K 求矽之本質載子濃度 ... 總漂移電流密度:不管n 或p 型半導體都同時有電子及電洞 ... 高濃度粒子一半往低濃度流,低濃度亦一半往高濃度流,所以淨結果是高濃度. ,杂质半导体载流子浓度积与ni 关系no p0 ? ... 的限制○纯度达不到本征激发是载流子的主要来源(杂质原子/总原子<< 本征载流子/总原子) Si:原子密度1023/cm3,室温时,ni =1010/cm3 本征载流子/ ... 在半导体锗材料中掺入施主杂质浓度N D ? ,摻雜一純半導體如何戲劇性地改變其導電度,. 此為使用半導體 ... 電荷載子之密度不均勻時會發生 ... 步驟1: 以x表示電流密. 度Jp. ▫ 步驟2: 當x = 0,計算電. 流密度. ,利用霍爾效應觀察並了解不同溫度對載子濃度的影響。 3.由導電率測量半導體能隙。 原理: 在1879 年,霍爾(Edwin H.Hall)利用於導體中導入電流,將導體置於外加 ...

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鍺半導體載流子密度 相關參考資料
PN接面- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia

由於某些外部條件而使半導體內部的載子存在濃度梯度的時候,將產生擴散 ... 順向偏壓下,跨PN接面的電流強度取決於多數載子的密度,這一密度隨順向偏壓電壓 ... 面兩端加入弱電場就會使中性粒子中的價電子脫離原子的束縛,從而成為載流子。

https://zh.wikipedia.org

一、半導體物理簡介(基本概念)

1.2 半導體中的導電載子---電子與電洞. 1.3 帶溝與 ... 為5.43Å,計算矽每立方公分所含之原子數及質量密度。 ... 鍵較少,固有的導電電子電洞的濃度矽就較鍺為低。

http://140.120.11.1

半导体- 维基百科,自由的百科全书

材料中载流子(carrier)的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他「杂质」(IIIA、VA族元素)来控制。如果我們在純矽中摻 ...

https://zh.wikipedia.org

半導體物理簡介

半導體中的導電載子---電子與電洞 ... 為5.43Å,計算矽每立方公分所含之原子數及質量密度。 ... 其中再摻雜入比原來施子濃度高的受子,就可以形成p型半導體。

http://ezphysics.nchu.edu.tw

奈米鍺元件之製備 - 台灣半導體研究中心

相較於矽,純鍺材料的電晶體運行速度可提升2 至4 倍,而由胡正明院士發明的鰭. 式電晶體已讓 ... 就是增加通道載子速度,幸運地,將材料換成III-V 族. 及鍺(Ge)將有 ... 蝕(Etching Pit)密度約為106 cm-2,這些缺陷會顯著影. 響元件的電性 ...

http://www.ndl.org.tw

电子和空穴_百度百科

可见,半导体中存在两种载流子,即带电荷+q的空穴和带电荷–q的自由电子。 ... 例如每104个锗原子中掺入一个砷原子,锗的原子密度是4.4´1022/cm3,在单位 ...

https://baike.baidu.com

第1 章半導體材料與特性講義與作業Example 1.1:

無其他物質在晶格內之單一晶格半導體材料(不掺雜,純矽Si). 2. 電子與 ... T=300 °K 求矽之本質載子濃度 ... 總漂移電流密度:不管n 或p 型半導體都同時有電子及電洞 ... 高濃度粒子一半往低濃度流,低濃度亦一半往高濃度流,所以淨結果是高濃度.

http://eportfolio.lib.ksu.edu.

载流子浓度和电导率_图文_百度文库

杂质半导体载流子浓度积与ni 关系no p0 ? ... 的限制○纯度达不到本征激发是载流子的主要来源(杂质原子/总原子<< 本征载流子/总原子) Si:原子密度1023/cm3,室温时,ni =1010/cm3 本征载流子/ ... 在半导体锗材料中掺入施主杂质浓度N D ?

https://wenku.baidu.com

電子學與半導體

摻雜一純半導體如何戲劇性地改變其導電度,. 此為使用半導體 ... 電荷載子之密度不均勻時會發生 ... 步驟1: 以x表示電流密. 度Jp. ▫ 步驟2: 當x = 0,計算電. 流密度.

http://aries.dyu.edu.tw

霍爾效應及鍺晶體的導電載子的密度

利用霍爾效應觀察並了解不同溫度對載子濃度的影響。 3.由導電率測量半導體能隙。 原理: 在1879 年,霍爾(Edwin H.Hall)利用於導體中導入電流,將導體置於外加 ...

http://w3.phys.nthu.edu.tw