鍺半導體載流子密度
由於某些外部條件而使半導體內部的載子存在濃度梯度的時候，將產生擴散 ... 順向偏壓下，跨PN接面的電流強度取決於多數載子的密度，這一密度隨順向偏壓電壓 ... 面兩端加入弱電場就會使中性粒子中的價電子脫離原子的束縛，從而成為載流子。 ,1.2 半導體中的導電載子---電子與電洞. 1.3 帶溝與 ... 為5.43Å，計算矽每立方公分所含之原子數及質量密度。 ... 鍵較少，固有的導電電子電洞的濃度矽就較鍺為低。 ,材料中载流子（carrier）的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他「杂质」（IIIA、VA族元素）来控制。如果我們在純矽中摻 ... ,半導體中的導電載子---電子與電洞 ... 為5.43Å，計算矽每立方公分所含之原子數及質量密度。 ... 其中再摻雜入比原來施子濃度高的受子，就可以形成p型半導體。 ,相較於矽，純鍺材料的電晶體運行速度可提升2 至4 倍，而由胡正明院士發明的鰭. 式電晶體已讓 ... 就是增加通道載子速度，幸運地，將材料換成III-V 族. 及鍺（Ge）將有 ... 蝕（Etching Pit）密度約為106 cm-2，這些缺陷會顯著影. 響元件的電性 ... ,可见，半导体中存在两种载流子，即带电荷+q的空穴和带电荷–q的自由电子。 ... 例如每104个锗原子中掺入一个砷原子，锗的原子密度是4.4´1022/cm3，在单位 ... ,無其他物質在晶格內之單一晶格半導體材料(不掺雜，純矽Si). 2. 電子與 ... T=300 °K 求矽之本質載子濃度 ... 總漂移電流密度：不管n 或p 型半導體都同時有電子及電洞 ... 高濃度粒子一半往低濃度流，低濃度亦一半往高濃度流，所以淨結果是高濃度. ,杂质半导体载流子浓度积与ni 关系no p0 ? ... 的限制○纯度达不到本征激发是载流子的主要来源（杂质原子/总原子＜＜ 本征载流子/总原子） Si：原子密度1023/cm3，室温时，ni =1010/cm3 本征载流子/ ... 在半导体锗材料中掺入施主杂质浓度N D ? ,摻雜一純半導體如何戲劇性地改變其導電度，. 此為使用半導體 ... 電荷載子之密度不均勻時會發生 ... 步驟1: 以x表示電流密. 度Jp. ▫ 步驟2: 當x = 0，計算電. 流密度. ,利用霍爾效應觀察並了解不同溫度對載子濃度的影響。 3.由導電率測量半導體能隙。 原理: 在1879 年，霍爾(Edwin H.Hall)利用於導體中導入電流，將導體置於外加 ...
| 相關軟體 Process Monitor 資訊 | |
|---|---|
 鍺半導體載流子密度 相關參考資料
PN接面- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
由於某些外部條件而使半導體內部的載子存在濃度梯度的時候，將產生擴散 ... 順向偏壓下，跨PN接面的電流強度取決於多數載子的密度，這一密度隨順向偏壓電壓 ... 面兩端加入弱電場就會使中性粒子中的價電子脫離原子的束縛，從而成為載流子。 https://zh.wikipedia.org 一、半導體物理簡介(基本概念）
1.2 半導體中的導電載子---電子與電洞. 1.3 帶溝與 ... 為5.43Å，計算矽每立方公分所含之原子數及質量密度。 ... 鍵較少，固有的導電電子電洞的濃度矽就較鍺為低。 http://140.120.11.1 半导体- 维基百科，自由的百科全书
材料中载流子（carrier）的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他「杂质」（IIIA、VA族元素）来控制。如果我們在純矽中摻 ... https://zh.wikipedia.org 半導體物理簡介
半導體中的導電載子---電子與電洞 ... 為5.43Å，計算矽每立方公分所含之原子數及質量密度。 ... 其中再摻雜入比原來施子濃度高的受子，就可以形成p型半導體。 http://ezphysics.nchu.edu.tw 奈米鍺元件之製備 - 台灣半導體研究中心
相較於矽，純鍺材料的電晶體運行速度可提升2 至4 倍，而由胡正明院士發明的鰭. 式電晶體已讓 ... 就是增加通道載子速度，幸運地，將材料換成III-V 族. 及鍺（Ge）將有 ... 蝕（Etching Pit）密度約為106 cm-2，這些缺陷會顯著影. 響元件的電性 ... http://www.ndl.org.tw 电子和空穴_百度百科
可见，半导体中存在两种载流子，即带电荷+q的空穴和带电荷–q的自由电子。 ... 例如每104个锗原子中掺入一个砷原子，锗的原子密度是4.4´1022/cm3，在单位 ... https://baike.baidu.com 第1 章半導體材料與特性講義與作業Example 1.1：
無其他物質在晶格內之單一晶格半導體材料(不掺雜，純矽Si). 2. 電子與 ... T=300 °K 求矽之本質載子濃度 ... 總漂移電流密度：不管n 或p 型半導體都同時有電子及電洞 ... 高濃度粒子一半往低濃度流，低濃度亦一半往高濃度流，所以淨結果是高濃度. http://eportfolio.lib.ksu.edu. 载流子浓度和电导率_图文_百度文库
杂质半导体载流子浓度积与ni 关系no p0 ? ... 的限制○纯度达不到本征激发是载流子的主要来源（杂质原子/总原子＜＜ 本征载流子/总原子） Si：原子密度1023/cm3，室温时，ni =1010/cm3 本征载流子/ ... 在半导体锗材料中掺入施主杂质浓度N D ? https://wenku.baidu.com 電子學與半導體
摻雜一純半導體如何戲劇性地改變其導電度，. 此為使用半導體 ... 電荷載子之密度不均勻時會發生 ... 步驟1: 以x表示電流密. 度Jp. ▫ 步驟2: 當x = 0，計算電. 流密度. http://aries.dyu.edu.tw 霍爾效應及鍺晶體的導電載子的密度
利用霍爾效應觀察並了解不同溫度對載子濃度的影響。 3.由導電率測量半導體能隙。 原理: 在1879 年，霍爾(Edwin H.Hall)利用於導體中導入電流，將導體置於外加 ... http://w3.phys.nthu.edu.tw |